北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市光电子技术实验室
- 作品数：284 被引量：771H指数：11
- 相关作者：牛南辉张剑铭达小丽盖红星王智群更多>>
- 相关机构：湘潭大学信息工程学院中国科学院半导体研究所电子科技大学中山学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术机械工程更多>>
- 用于高灵敏度红外探测器的超薄硅膜的研制被引量：1
- 2005年
- 超薄、平整的硅膜对于制作高灵敏度红外探测器是非常重要的。这种超薄硅膜的各向异性腐蚀技术,包括有机溶液EPW和无机溶液KOH及KOH+IPA(异丙醇)。从腐蚀速率、腐蚀表面质量、腐蚀停特性、腐蚀边缘形貌及腐蚀工艺的角度分析比较了两种腐蚀系统,分别制作出了约1μm厚的平整超薄硅膜,并研究了不同掩膜材料在腐蚀液中的抗蚀性,为高灵敏度红外探测器的制作奠定了工艺基础。
- 董典红徐晨邹德恕李兰杨道虹张剑铭阳启明沈光地
- 关键词：各向异性腐蚀
- 微透镜光纤在半导体激光器中的应用研究被引量：8
- 2005年
- 对几种典型的半导体激光器与光纤的耦合特性进行分析,提出提高耦合效率所采用的微透镜光纤的结构。介绍熔拉型、化学蚀刻型、研磨抛光型、切削型、自聚焦光纤型和铸模型等微透镜光纤的制作原理和工艺以及目前达到的指标,并对各种形式的透镜光纤进行了评价。提出了提高耦合效率和失调容差、降低插损的新思路。
- 于海鹰邹德恕崔碧峰沈光地
- 关键词：微透镜透镜光纤
- AlInGaAs/AlGaAs垂直腔面发射激光器温度特性的对比研究被引量：2
- 2006年
- 通过测量、对比材料生长和器件制备条件基本相似,但是谐振腔腔模波长与增益峰值波长相对位置明显不同的两类氧化物限制型应变AlInGaAs/AlGaAs量子阱垂直腔面发射激光器(VCSEL)在261—369K温度范围内输出光功率_电流的变温曲线,同时结合测试得到的两类样品的白光反射谱、光荧光谱以及模拟计算得到的不同温度下VCSEL反射谱和增益谱,分析了输出光功率、阈值电流、斜率效率和激射波长随温度变化的关系,掌握了新材料AlInGaAs的温度特性,得到了谐振腔腔模波长和增益峰值波长的相对位置对VCSEL输出特性,尤其是对阈值的影响规律,指出获得室温工作阈值最低且稳定的VCSEL的一个方法是调整谐振腔腔模波长和增益峰值波长的相对位置,并利用这种方法获得了特征温度T0=333K的AlInGaAs/AlGaAs量子阱VCSEL器件.
- 陈敏郭霞关宝璐邓军董立闽沈光地
- 关键词：垂直腔面发射激光器
- C掺杂GaAs外延层的MOCVD生长被引量：1
- 2004年
- 以CCl4为掺杂源,利用EMCORED125MOCVD系统生长了不同C掺杂浓度的GaAs外延层。通过Hall、PL、DXRD以及在位监测工具Epimetric等手段研究了掺CGaAs层的电学特性、光学特性、晶体质量和生长速度等。
- 李建军韩军邓军邢艳辉刘莹沈光地
- 关键词：MOCVDGAAS掺杂
- 表面为二维光子晶体结构的AlGaInP系发光二极管的研究被引量：4
- 2010年
- 近年来,GaN基光子晶体发光二极管(light emitting diode,LED)的研究已经取得了一定的进展,利用光子晶体的光子带隙效应和光栅衍射原理,在LED上制作光子晶体结构将会提高出光效率.本文为了提高AlGaInP系LED的光提取效率,分析了常规LED光提取效率受到限制的原因,将光子晶体结构引入了AlGaInP系LED的器件结构设计,通过理论分析与实验验证,结果显示:光子晶体结构对于提高AlGaInP系LED的光提取效率同样起到了明显的效果,引入光子晶体后,LED的输出光强比常规结构LED平均提高了16%.
- 陈依新郑婉华陈微陈良惠汤益丹沈光地
- 关键词：光子晶体光提取效率光强
- 新型非制冷高速高灵敏度红外探测器的研制被引量：3
- 2003年
- 介绍了一种新型非制冷高速高灵敏度硅基电容式红外探测器的工作原理,描述了探测器的设计思想及制作工艺。该探测器采用密封于微气腔的特殊气体吸收红外辐射以改变探测器微电容的原理来进行红外探测,制作工艺采用微机械加工技术。对样品的测试表明这种红外探测器能探测红外信号。
- 刘铮李兰邹德恕杨道虹徐晨沈光地
- 关键词：微机械红外探测器非制冷
- 应力对硅悬空薄膜的机械灵敏度的影响
- 本文运用四周固支薄板小挠度理论,分析了存在较大残余应力的浓硼重掺杂硅悬空薄膜的力学特性.给出了小挠度下,在外界载荷作用下总应力表达式和薄膜机械灵敏度表达式,并分析了残余应力对二者的影响.研究表明,对存在较大残余应力的硅薄...
- 宋义超徐晨赵林林李博沈光地
- 关键词：微电子机械系统残余应力
- 文献传递
- 用离子注入和掩埋金属自对准技术改善Si/SiGe HBT性能
- 2005年
- 在器件纵向结构确定后,常规工艺制作的SiGe/SiHBT噪声性能不理想的主要原因是其基极电阻较大,高频性能不理想主要是由于其基极和发射极台面面积较大造成的;为达到改善其高频与低噪声性能的目的,在不改变光刻工艺精度的情况下,采用离子注入和掩埋金属自对准工艺方法完成了器件制作;与传统制作方法相比,前者可减小外基区电阻,后者可以减小电极接触电阻,并能使器件的台面面积做得更小。在此基础上,我们测试了器件的最小噪声系数与最高截止频率,结果表明:用自对准工艺制作的器件的高频噪声与频率性能都显著改善。
- 杨维明史辰徐晨陈建新
- 关键词：离子注入HBT噪声系数
- 基于MOCCⅡ差分式跳耦结构电流模式滤波器被引量：1
- 2005年
- 为了更有效地抑制偶次谐波及共模干扰信号,提出了基于MOCCⅡ的高阶差分式跳耦结构电流模式滤波器电路及设计方法．对提出的电路进行了截止频率为1MHz的四阶巴特沃斯滤波器的计算机PSPICE仿真．该电路对偶次谐波及共模干扰信号有较好的抑制作用,且保留了无源梯形网络灵敏度低的特点．
- 王春华沈光地
- 关键词：滤波器差分式
- 多量子阱红外探测材料的光致荧光谱
- 2009年
- 在多量子阱红外探测器外延材料制备中,由于器件响应波长对量子阱的阱宽和垒高变化敏感,因此对外延材料的制备有很高的要求。本文中我们利用光致荧光谱(PL)对GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器材料进行了测量和计算,从而在器件工艺前,快速确定器件的探测波长。以光致荧光光谱对GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器材料进行测试,通过理论计算,得到多量子阱红外探测器探测波长。计算得到的理论响应波长与实际器件的响应波长有良好的一致性,证明用光荧光谱对外延材料进行测量并计算,能够更加有效地开展器件研究工作。同时,我们在低温下测量了外加偏压下器件暗电流情况,以及液氮温度下,500K黑体辐射情况时,信号噪声比达到235.3。
- 马楠邓军史衍丽沈光地
- 关键词：红外QWIP暗电流光荧光谱
