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苏州中普电子有限公司

作品数:28 被引量:61H指数:5
相关作者:章来平洪俊伟夏青王翠翠更多>>
相关机构:同济大学西安电瓷研究所长沙隆泰科技有限公司更多>>
发文基金:江苏省高技术研究计划项目更多>>
相关领域:电气工程电子电信一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 16篇期刊文章
  • 9篇会议论文
  • 3篇专利

领域

  • 6篇电气工程
  • 5篇电子电信
  • 5篇一般工业技术
  • 3篇化学工程
  • 1篇建筑科学

主题

  • 27篇压敏电阻
  • 22篇电阻
  • 21篇压敏
  • 11篇ZNO压敏电...
  • 10篇氧化锌压敏电...
  • 6篇氧化锌电阻
  • 5篇TIO
  • 4篇纳米
  • 4篇晶粒
  • 3篇低压压敏电阻
  • 3篇电性能
  • 3篇微波烧结
  • 3篇掺杂
  • 3篇TIO2
  • 2篇低压
  • 2篇低压ZNO压...
  • 2篇电弧
  • 2篇电弧电阻
  • 2篇电流
  • 2篇电阻器

机构

  • 28篇苏州中普电子...
  • 15篇同济大学
  • 2篇西安电瓷研究...
  • 1篇西安交通大学
  • 1篇中国电子学会
  • 1篇长沙隆泰科技...

作者

  • 26篇孙丹峰
  • 14篇徐政
  • 7篇林枞
  • 6篇许业文
  • 6篇章来平
  • 5篇洪俊伟
  • 2篇王玉平
  • 2篇李磊
  • 1篇樊东辉
  • 1篇姚学玲
  • 1篇郭方方
  • 1篇张弘
  • 1篇王翠翠
  • 1篇夏青
  • 1篇孙丹峰
  • 1篇王亮
  • 1篇范卓维

传媒

  • 3篇材料科学与工...
  • 2篇硅酸盐通报
  • 2篇硅酸盐学报
  • 2篇同济大学学报...
  • 2篇无机材料学报
  • 2篇电瓷避雷器
  • 1篇低压电器
  • 1篇建筑材料学报
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 13篇2007
  • 4篇2006
  • 3篇2005
  • 3篇2004
28 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
低压ZnO压敏电阻中Bi_2O_3-TiO_2相变过程的研究
2006年
在最高温度950℃、1050℃、1150℃、1250℃4个温度下,采用2种配方:98.3%ZnO-0.7%Bi2O3-1.0%TiO2(摩尔分数),相应的无TiO2配方99.3%ZnO-0.7%Bi2O3(摩尔分数),分别制备样品进行对比研究。发现前者在950℃和1050℃的烧结温度下,没有形成明显Bi2O3偏聚的晶界;在1150℃和1250℃下,却形成了清晰的富铋晶界。而后者在950℃、1050℃、1150℃、1250℃4个温度下均形成了非常明显且清晰可辨的ZnO晶粒和晶界。通过XRD及相对峰强分析,发现了Bi2O3和TiO2在低压ZnO压敏电阻中的相变过程,并对其在烧结过程中的作用提出新的解释。
许业文范卓维徐政孙丹峰
关键词:低压氧化锌压敏电阻烧成温度氧化铋
Cu2+、Cd2+、Fe3+对ZnO压敏电阻性能的影响
本文阐述了Cu2+、Cd2+二价离子和Fe3+三价离子对ZnO压敏电阻性能的影响,Cu2+为有害杂质,Cd2+对压敏电阻没有影响,Fe3+影响压敏电阻非线性系数。
邴绍同孙丹峰洪俊伟章来平
关键词:氧化锌电阻
高安全不燃型压敏电阻
一种高安全不燃型压敏电阻,它包括具有两个相对的表面的压敏电阻基片、电连接于所述的压敏电阻基片的一个表面上的第一引出电极、电连接于所述的压敏电阻基片的另一个表面上的第二引出电极,在所述的两相对表面的外侧分别具有在温度为15...
孙丹峰
文献传递
微波烧结ZnO压敏电阻的可行性研究被引量:12
2007年
采用微波烧结工艺制备了ZnO压敏电阻,研究了其致密化过程,运用XRD、SEM、电性能测试等手段,分析了烧结温度对其微观结构和电性能的影响。结果表明:微波烧结工艺不仅可显著提高ZnO压敏电阻的致密化,而且能够改善材料的微观结构和电性能。微波工艺的烧结周期仅是传统工艺的1/10~1/8。微波烧结样品的小电流特性有所提升;其通流量为11.6kA,比商用ZnO压敏电阻(7.75kA)高。
李磊许业文林枞徐政孙丹峰彭虎
关键词:无机非金属材料ZNO压敏电阻微波烧结微观结构电性能
添加TiO_2的ZnO压敏电阻的晶粒生长研究被引量:2
2004年
电子产品对低压压敏电阻的需求日益增长;添加TiO2可以使ZnO压敏电阻的晶粒长大,能有效地对压敏电阻进行低压化;实验证明了TiO2晶粒助长的作用,并对新发现的突起物现象进行了分析。
何忠伟徐政孙丹峰
关键词:压敏电阻器ZNO压敏电阻TIO2
掺杂TiO_2的ZnO压敏电阻正电子寿命谱研究被引量:1
2006年
利用正电子湮灭技术(PAS)和扫描电子显微镜(SEM),分析了掺杂TiO2的ZnO压敏电阻的晶界缺陷,以及不同降温速率对晶界特性的影响。实验结果表明,向样品中掺杂TiO2或者快速冷却样品,都能使得样品晶界处Zn空位团尺寸变大,浓度减小。
王亮樊东辉林枞徐政孙丹峰
关键词:ZNO压敏电阻正电子寿命谱
不同物理形态的TiO2添加剂对氧化锌压敏电阻电性能的影响
本文比较了不同粒度和分散状态的TiO2添加剂,对ZnO-Bi2O3-TiO2系压敏陶瓷的作用效果。将TiO2添加剂分为亚微米级粉料TiO2、纳米级粉料TiO2和单分散纳米级TiO2三种类型。不同烧结温度比较了烧成参数和电...
邴绍同孙丹峰陈明傅静何忠伟
关键词:氧化锌电阻纳米粉体
Co2_O_3和MnCO_3掺杂对低压ZnO压敏电阻电性能的影响被引量:9
2005年
概述了低压ZnO压敏电阻的重要添加剂的作用,阐述了其电性能“三参数”(压敏电压梯度、非线性系数和漏电流)的影响因素。用低压ZnO压敏电阻的基本配方,以及在此基础上分别添加Co2O3、MnCO3、Co2O3+MnCO3四种配方制备样品作对比实验。发现Co2O3、MnCO3掺杂后都能引起压敏电压梯度升高,非线性系数显著提高,漏电流明显降低,且效果Co2O3+MnCO3大于MnCO3大于Co2O3。对造成上述差别的原因进行了深入分析。
许业文何忠伟徐政孙丹峰
关键词:低压ZNO压敏电阻漏电流
氧化锌压敏电阻原料的选择
本文通过检测氧化锌(ZnO)、三氧化二铋(Bi2O3)、三氧化二锑(Sb2O3)和四氧化三钴(Co3O4)的纯度和主要杂质含量,提出氧化锌压敏电阻原料选择,要在保证原料达到一定纯度级别的同时,必须控制各种杂质在配方中的最...
孙丹峰邴绍同章来平季幼章
关键词:压敏电阻
低压压敏电阻的发展与标准化被引量:3
2009年
介绍了压敏电阻的主要应用领域、最新的产业发展动态和技术动态、低压压敏电阻的国家标准及相关的行标、企标等标准,重点介绍最新制定压敏电阻试验规范的国家标准及其相应IEC61643-331经IEC低压电涌保护器元件标准工作组关于该标准的维护情况,国际标准的发展趋势对环境条件,加速老化试验及判据都提高了要求,反映出国际标准向难、严的方向发展。
王玉平孙丹峰高峰张弘
关键词:压敏电阻
共3页<123>
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