北京电力电子新技术研究开发中心
- 作品数：51 被引量：90H指数：6
- 相关作者：赵善麒王正元王正元许敬英王晓秋更多>>
- 相关机构：山东师范大学北京市电加工研究所电子部更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金吉林省科委资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程机械工程一般工业技术更多>>
- 电力电子及其应用的十年展望
- 电力电子及其应用已经走过了从诞生到成熟的艰难历程。但在人类的科技史上看这仅仅是开始。让我们从时代前进的角度,对包括材料、元器件、整机和系统,从基础理论到可靠性的改善,来初步展望电力电子及其应用在可以预见的今后十年的新发展...
- 王正元
- 文献传递
- IGBT SPICE模型的建立被引量：4
- 1996年
- 建立ＩＧＢＴ的ＳＰＩＣＥ模型，结合ＩＧＢＴ的工作原理对其模型进行分析，将仿真结果与实际器件进行了比较．
- 崔扬贾林王正元
- 关键词：仿真模型双极型晶体管晶体管
- IGBT构思的实现是电力电子技术走向高频大功率化的里程碑被引量：3
- 2003年
- 介绍并点评了IGBT(当时称为IGT)处于襁褓时期的经典论文——美籍印度人B.J.Baliga博士1983年发表的"绝缘栅晶体管(IGT)——一种新型功率开关器件"。分析了该论文的背景。20年来,IGBT构思的形成和实现,对电力电子技术的发展起到重大推动作用。它打开了电力电子技术向高频大功率化发展的新纪元,使其应用产品小型轻量化,并为国民经济相关领域的自动化、智能化、高效节能化和机电一体化做出了显著贡献。文中还对该论文的作者做了简单介绍。
- 王正元
- 关键词：绝缘栅双极晶体管电力电子
- 一种新的大功率电力半导体器件的烧结工艺
- 1995年
- 在现有的硅－铝－钼（Ｓｉ－Ａｌ－Ｍｏ）烧结工艺的基础上，引入了铬（Ｃｒ）、镍（Ｎｉ）、银（Ａｇ）金属阻挡层，并将这一新的金属阻挡层烧结工艺应用到双向晶闸管的生产中。结果表明，该工艺能得到浅而平坦的烧结合金结，并能改善器件的反向阻断特性和通态特性的一致性，提高器件的成品率．
- 赵善麒郑景春李景荣
- 关键词：双向晶闸管合金
- 世纪更迭中的电力电子器件
- 电子器件是电力电子技术及其应用装置的基础。继晶闸管（SCR）、可关断晶闸管（GTO）之后，绝缘栅晶体管（IGBT）作为又一个电力半导体器件的发展平台为世人瞩目。面对21世纪人类遭遇的“能源危机”、“资源危机”和“环境危机...
- 王正元
- 关键词：电力电子器件IGBTIGCT
- 面向新世纪的电力电子技术被引量：8
- 2001年
- 以信息处理为对象的微电子技术及其在计算机和通信领域中的飞速发展,是20世纪科学技术实用化的一大盛事:古人幻想的'千里眼'、'顺风耳'已成现实。然而,人类文明赖以存在所需的能源、资源(原材料)
- 王正元
- 关键词：电力电子技术信息技术电力半导体器件机电产品
- 中子嬗变掺杂硅(NTD-Si)的实用化是电力半导体器件发展的突破口之一
- 2003年
- 评述了30年前第一批用中子嬗变掺杂硅单晶(即无条纹硅)制造高电压、大电流整流管和晶闸管的报道。由此介绍硅材料的中子嬗变掺杂技术原理、发展进程,指出NTD硅的实用化成为电力半导体器件向大电流(大直径)、高电压方向发展的一个重要突破口。
- 王正元
- 关键词：电力半导体器件
- 开元胞叉指形三维结构大功率绝缘栅双极晶体管(1GBT)
- 本成果采用独特的开元胞、叉指形、三维结构的独特设计和独特制造工艺,使得所用设备投资低,有利于合格率的提高,有较强的竞争潜力. IGBT器件是国际上八十年代后期才开发出来的第三代电力电子器件,是20千周革命的核心基础,它的...
- 关键词：
- 关键词：电力电子器件大功率晶体管双极晶体管
- 高频电力电子技术的效益、基础和对策
- 王正元
- 关键词：高频电力电子技术开关半导体器件经济效果
- 一种艳红色稀土荧光粉及其配制方法
- 本发明涉及一种由氧化铝、氧化镧、碳酸锰、氧化铈、氧化铕、碳酸钙、碳酸钡、氧化锰、氧化轧、碳酸锶、氧化锌、二氧化硅、氧化铽按比例配制而成的艳红色稀土荧光粉及其配制方法。它适用于高、低压霓虹灯及节能灯、装饰灯。该发明光效高，...
- 许敬英
- 文献传递
