河北工业大学电子信息工程学院
- 作品数：1,134 被引量：3,261H指数：20
- 相关作者：贾志成王伟闫辰奇高娇娇张金更多>>
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- 发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程文化科学更多>>
- 带有p型岛的超低导通电阻绝缘体上硅器件新结构
- 2019年
- 为了减小绝缘体上硅(SOI)器件的比导通电阻,提高器件的击穿电压,提出一种带有p型岛的SOI器件新结构.该结构的特征如下:首先,漂移区周围采用U型栅结构,在开启状态下,U型栅侧壁形成高密度电子积累层,提供了一个从源极到漏极低电阻电流路径,实现了超低比导通电阻;其次,在漂移区引入的氧化槽折叠了漂移区长度,大大提高了击穿电压;最后,在氧化槽中引入一个p型岛,该高掺杂p型岛使漂移区电场得到重新分配,提高了击穿电压,且p型岛的加入增大了漂移区浓度,使器件比导通电阻进一步降低.结果表明:在最高优值条件下,器件尺寸相同时,相比传统SOI结构,新结构的击穿电压提高了140%,比导通电阻降低了51.9%.
- 代红丽赵红东王洛欣石艳梅李明吉李宇海
- 关键词：绝缘体上硅击穿电压比导通电阻
- 基于双MIMU的行人双足轨迹约束算法被引量：2
- 2020年
- 基于MIMU的行人导航系统受惯性器件固有属性的影响,导航误差会随着时间累积而发散,为提高行人惯性导航系统的精度,提出了一种基于双MIMU的行人导航算法。将2套MIMU分别固联在行人的左右脚上,先对单足进行零速检测和零速修正,再根据行人双足的运动特征,设计了一种行人双足轨迹间距离约束的算法。利用行人正常行走时左脚轨迹和右脚轨迹间距不超过某个最大值,构造不等式约束的卡尔曼滤波器,对零速修正后的行人位置进行二次校正。实验结果表明,采用行人双足轨迹间最大距离约束算法,位置误差比约束前平均降低了39.14%。
- 傅温慧伍萍辉曾成花中秋
- 关键词：惯性导航MIMU不等式约束卡尔曼滤波
- 智能监控系统中运动物体的检测与提取
- 为解决传统智能频监控系统自动化程度不高的问题,提出了一种前景自适应分割、自适应阈值相结合的减背景的运动物体检测算法。利用初始帧图像产生初始背景且不断进行自动更新,当有运动物体时自动分割出前景。使用自适应阈值替代人为的选择...
- 侯景忠杨帆马德新于虹尹惠玲
- 关键词：自适应分割自适应阈值
- 文献传递
- 电子科学与技术专业电子实习课程建设探索
- 2013年
- 电子科学与技术类大学本科学生往往对电子元器件及其测量仪器了解不多,通常是只知道理论,元器件具体什么样,如何进行测量和选择,知之甚少。有的到了大学四年级毕业设计阶段才开始接触实践课程,刚了解到皮毛就毕业走上工作岗位了,真正成为了人们所说的只会空谈的"理论家"。
- 韩力英张存善
- 关键词：晶体管集成电路电阻电容
- 一种高结终端效率1700V/10A SiC功率MOSFET被引量：4
- 2020年
- 设计了一种具有分组缓变间距场限环(MGM-FLR)结终端结构的SiC功率MOSFET,并基于国内现有的SiC电力电子器件工艺平台进行了流片,完成了1700 V/10 A SiC功率MOSFET样品的制备。测试结果表明,MGM-FLR结构有效调制并优化了结终端区域的表面电场强度分布,SiC MOSFET漏电流为1μA时最大击穿电压达到2400 V,为理想平行平面结击穿电压的91%。器件的比导通电阻约为36 mΩ·cm^2,阈值电压为2.9 V。对制备的SiC功率MOSFET进行了150℃、168 h的高温反偏(HTRB)可靠性测试评估,实验前后的击穿电压变化量不超过100 V,初步验证了MGM-FLR结终端结构的鲁棒性和可行性。
- 刘岳巍杨瑞霞张志国王永维邓小川
- 关键词：场限环击穿电压
- NH3流量调控Ⅴ/Ⅲ比对HVPE生长GaN薄膜的影响
- 2021年
- 氢化物气相外延(HVPE)法具有生长成本低、生长条件温和、生长速率快等优点,被认为是生长高质量GaN单晶衬底的最有潜力的方法。为了优化HVPE生长GaN的条件,通过改变NH3流量调控Ⅴ/Ⅲ比(NH3流量与HCl流量之比)。通过建立简单的生长模型,对不同Ⅴ/Ⅲ比下GaN薄膜形态变化的机理进行了分析,研究了HVPE生长过程中氮源(Ⅴ族)和镓源(Ⅲ族)不同流量比对结晶质量和表面形貌的影响。实验结果表明,低Ⅴ/Ⅲ比会导致成核密度低,岛状晶胞难以合并;高Ⅴ/Ⅲ比会降低表面Ga原子的迁移率,导致表面高度差异大,结晶质量差。与Ⅴ/Ⅲ比为15.000和28.125相比,Ⅴ/Ⅲ比为21.250时更适合GaN薄膜生长,得到的晶体质量最高。
- 潘大力杨瑞霞张嵩董增印
- 关键词：GAN
- 改进的自适应变步长功率控制算法在TD-SCDMA系统中的应用
- 功率控制是CDMA系统的核心技术,针对现有的固定步长功率控制算法在深度快衰落时产生的补偿滞后问题,本文提出了一种改进的自适应变步长功率控制算法的模型,来解决 TD-SCDMA系统中的功率控制问题。新算法是基于信噪比测量的...
- 赵琳刘剑飞于晓然王现彬朱思宇
- 关键词：TD-SCDMA功率控制变步长
- 文献传递
- 1.5～4GHz超宽带微波功率放大器的设计
- 本文介绍了一款1.5GHz～4GHz的超宽带大功率的放大器,功率放大器采用自匹配的场效应管,用集总元件、微带混合带宽匹配电路来实现。通过仿真软件进行优化设计,和对电路进行实验调试,最终研制出了一套带内功率平坦度好,功率大...
- 连智富王驰袁景中谷东
- 关键词：放大器超宽带大功率
- 文献传递
- LED倒装芯片Ni/Ag/Au结构反射层的退火工艺被引量：2
- 2016年
- 针对LED倒装芯片中p-GaN与Ni/Ag/Au金属反射层之间的接触进行了研究,找到最优工艺条件。以光学反射率(455 nm波长)、比接触电阻率(SCR)、样品表面均方根粗糙度(RMS)和倒装芯片电参数测试结果为依据,找出Ni/Ag/Au金属反射层在N2环境下的最优退火条件。在不同N2流速、退火时间、退火温度下退火的Ni/Ag/Au金属反射层应用于254μm×559μm的GaN基发光二极管,来减小Ni/Ag/Au金属反射层与p-GaN比接触电阻率,降低LED工作电压及提高光学反射率、增强LED的发光亮度。并分析其在60 mA工作电流下正向电压和光输出功率的变化,在最优条件下制得的LED在直流电流60 mA下的正向平均电压为3.27 V,平均光输出功率为88.9 mW。
- 周朝旭张保国王静辉甄珍珍李晓波潘柏臣
- 关键词：氮化镓发光二极管(LED)欧姆接触倒装芯片
- 电子胶囊的宽频带柔性环天线设计
- 天线是电子胶囊系统中由体内向体外传输病理信息的主要部件,但人体生理电参数以及电子胶囊电池会使天线谐振频率偏移,因此研究具有宽频特性并且能够与胶囊外壳共形的柔性天线。利用电磁仿真软件CST从理论上设计并分析了天线的性能,获...
- 蔡露露王蒙军郑宏兴杨泽
- 关键词：宽频带聚酰亚胺
- 文献传递
