大连理工大学物理学院
- 作品数：550 被引量：727H指数：14
- 相关作者：杨维纲杨步恩于从新王奇刘泽文更多>>
- 相关机构：中国核工业集团公司核工业西南物理研究院中国科学院大连化学物理研究所哈尔滨工业大学理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程文化科学更多>>
- 基于Intranet的税务稽查系统
- 本文分析了现有单机模式税务稽查系统存在的问题,提出了基于Internet以多层的BWD模式建立税务稽查系统的解决方案.
- 李宏
- 关键词：税务稽查金税工程
- 文献传递
- “双一流”语境下中国特色大学文化的内涵与实现路径被引量：4
- 2018年
- 一流大学必有一流文化。中国特色大学文化是中国现代大学百年文化实践与探索的必然选择,是推进中国特色世界一流大学建设的核心驱动力。守正创新是中国特色大学文化的时代主题和逻辑内涵。中国特色大学文化的实现路径在于实现文化自觉。为此,"双一流"大学应率先实现"大学人"和大学组织在文化上的"两个回归"。
- 常亮
- 关键词：发展脉络文化自觉
- 发展分子束质谱和激光光谱技术诊断反应等离子体
- <正>等离子体诊断方法在等离子体物理发展中扮演着重要角色。传统的等离子体诊断技术主要包括:静电和磁探针技术,质谱技术,发射和吸收光谱技术等。对于反应等离体,由于存在多物种成份,特别是自由基,亚稳态和分子离子等活性物种,因...
- 丁洪斌
- 文献传递
- 乙醛分子在TiO_2(110)表面的光化学反应研究
- 我们应用程序升温脱附谱方法研究发现在400 nm光源照射条件下,吸附在还原性Rutile(110)表面的乙醛分子具有一定光化学活性:光照时会有少量乙醛直接以分子形式从表面脱附出来;在光照过程中部分乙醛分子会发生碳氧键断裂...
- 徐晨彪杨文绍耿振华郭庆戴东旭杨学明
- 关键词：二氧化钛乙醛
- 文献传递
- AlGaAs/GaAs 单片集成激光发射机被引量：1
- 1997年
- 报道一种新型ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ单片集成激光发射机．这种器件利用液相外延生长中的伴生高阻层，解决了半导体激光器与场效应晶体管驱动电路的工艺共容性问题，具有场效应晶体管与激光器结构同时形成且二者表面自动找平、制作简单的优点．初步测量结果表明，无致冷条件下器件的３ｄＢ小信号调制带宽至少为２７０ＭＨｚ．
- 胡礼中刘式墉
- 关键词：砷化镓激光发射机镓铝砷化合物半导体激光器
- 通过人类对光本性的认识过程进行科学认识论教育
- 关于光的本性十七世纪中叶同时出现了两种学说:微粒说和波动说.两种观点相互争论,相持不下,都能解释某些实验现象,占统治地位的是微粒说.直到十九世纪中叶麦克斯韦提出了光的电磁波理论,至此,光的波动理论才得以确立.到此,似乎光...
- 王雪莹
- 关键词：光本性物理教学
- 文献传递
- NH_3分子V_2带aQ（2，2）吸收谱线在CO_2气体中压力加宽系数的研究
- 1994年
- ＮＨ_３分子Ｖ_２带ａＱ（２，２）吸收谱线在ＣＯ_２气体中压力加宽系数的研究刘延伟，韩健德．吴桂林，杨维纲（大连理工大学物理系，大连１１６０２４）近几年气态分子高分辨振转光谱的研究越来越为人们感兴趣，其主要原因是它们不仅能为分子参数的确定提供必要的实验?..
- 刘延伟韩健德.吴桂林杨维纲
- 关键词：氨分子二氧化碳气体
- CO_2激光器腔外饱和吸收荧光稳频技术的研究被引量：2
- 1990年
- 报导能获得十瓦量级稳频CO_2激光输出的腔外吸收室荧光稳频技术.给出获得窄而深的荧光凹陷的最佳气压范围为10～18Pa,对10.6μm带的P(20)激光谱线进行了闭环锁定,用鉴频曲线估计的频率漂移为3×10^(-9),稳频激光输出功率为10W.
- 吴桂林杨维纲徐绍华藤永杰
- 关键词：CO2激光器荧光稳频
- 相位角对容性耦合电非对称放电特性的影响被引量：2
- 2018年
- 电非对称效应作为一种新兴技术,被广泛用于对离子能量和离子通量的独立调控.此外,在改善等离子体的径向均匀性方面,电非对称效应也发挥了重要作用.本文采用二维流体力学模型,并耦合麦克斯韦方程组,系统地研究了容性耦合氢等离子体中当放电由多谐波叠加驱动时,不同谐波阶数k下的电非对称效应,重点观察了相位角θ_n对自偏压以及等离子体径向均匀性的影响.模拟结果表明:在同一谐波阶数下,自偏压随相位角θ_n的变化趋势不尽相同,且当k增大(k> 3)时,自偏压随最高频相位角θ_k的变化范围逐渐减小.此外,通过调节相位角θ_n,可以改变轴向功率密度和径向功率密度的相对关系,进而实现对等离子体径向均匀性的调节.研究结果对于利用电非对称效应优化等离子体工艺过程具有一定的指导意义.
- 胡艳婷张钰如宋远红王友年
- 关键词：流体模拟
- 同轴双放电腔微波ECR等离子体源增强非平衡磁控溅射制备SiN_x薄膜研究
- <正>氮化硅薄膜具有高的化学稳定性、优良的机械性能和抗氧化、抗腐蚀特性,还具有高硬度和和自润滑性,在半导体芯片和光伏产业中获得广泛应用。目前制备氮化硅薄膜最常采用的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法需要使用危险性...
- 王明娥陆文琪孙文立徐军董闯
- 文献传递
