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北京大学微电子学研究院

作品数：168 被引量：451H指数：11
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  • 11篇2004
  • 36篇2003
共 168 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
高深宽比深隔离槽的刻蚀技术研究被引量：6
2003年
体硅集成MEMS器件中的一个非常重要的技术就是微结构与电路部分的电隔离和互连。由于体硅工艺与传统CMOS工艺不兼容 ,所以形成高深宽比的深隔离槽 (宽约 3μm ,深 2 0～ 10 0μm)是体硅集成中急待解决的工艺难题。本文采用MEMS微加工的DRIE (DeepReactiveIonEtching)技术、热氧化技术和多晶硅填充技术 ,形成了高深宽比的深电隔离槽 (宽 3.6 μm ,深 85μm)。还提出了一种改变深槽形状的方法 ,使深槽的开口变大 ,以利于多晶硅的填充 。
朱泳闫桂珍王成伟王阳元
关键词：高深宽比刻蚀技术电隔离微电子机械系统
基于脉宽收缩和累积寄存器的片上时钟抖动测试电路被引量：1
2014年
本文提出一种基于脉宽收缩和累积寄存器的片上时钟抖动测试电路,用于监测片上时钟信号的抖动,测量精度可达到亚门级.该测试电路是由脉宽收缩环路、累积寄存器、异或阵列、计数器和控制电路组成的.以环形方式连接脉宽收缩单元,可减小由于工艺波动带来的影响,节省面积开销.在监测模式下,累积寄存器同时记录多个时钟周期脉宽的测量结果,并以数字序列码的形式输出,能够直观地显示时钟的抖动.该电路是采用65 nm CMOS工艺设计的,仿真结果表明该电路可测量数GHz的时钟信号,测量精度为1 ps.
冯为蕾冯建华叶红飞张兴
关键词：时钟抖动抖动测试
MEMS隧道加速度计的系统分析与设计
主要论述了一种新型体硅工艺MEMS隧道加速度计的系统分析与设计,对加速度计敏感头与伺服反馈电路组成的系统进行系统建模,其中包含了结构的模型和反馈控制电路的模型.以系统模型作为基础,分析了器件工作所必须的条件,对器件的结构...
董海峰贾玉斌郝一龙
关键词：微机电系统加速度计体硅工艺电路模型
文献传递
MOSFET表面势解析近似方法的改进(英文)
2006年
通过在表面势公式中增加一高阶近似项,大大提高了传统表面势的解析近似精度.改进前通用参数的精度一般达到1nV量级,某些情况下只能达到0.03 mV.改进后的方法在所有情况下精度都达到1pV量级.同时,改进后的近似方法消除了原有方法误差曲线中的毛刺现象.
陆静学黄风义王志功吴文刚
关键词：MOSFET表面势
预非晶化和碳共注入在超浅结工艺中的应用
2016年
针对纳米PMOS器件超浅结工艺面临的硼扩散问题,开展了预非晶化与激光退火和碳共注入结合的超浅结实验,通过透射式电子显微镜(TEM),二次离子质谱(SIMS),扩展电阻法(SRP)等测试对超浅结特性进行评估。结果表明,采用激光退火和碳共注入的方式可有效抑制硼扩散和减小结深。锗预非晶化后5 ke V,1×10^(15)/cm^2条件下注入的硼在激光退火(波长532 nm、脉冲宽度小于20 ns、能量密度0.25 J/cm^2)中的再扩散量非常小,退火后结深较注入结深仅增加6 nm,但激活率仅为24%。相同的硼掺杂条件下采用碳的共注入,常规快速热退火下的结深较未注碳样品减小49%,而且实现了84%的硼激活率。在单项实验基础上,进一步将预非晶化和碳共注入技术应用于纳米尺度器件制作,实验制备了亚50 nm PMOS器件,器件在Vdd=-1.2 V时的电流开关比大于104,亚阈值斜率为100 m V/dec,漏致势垒降低(DIBL)值为104 m V/V。
许晓燕陈文杰刘兴龙
关键词：激光退火硼扩散超浅结
扭转微镜光学致动器研究
应用基于表面硅、体硅微电子工艺的混合微加工技术研制了新型扭转微镜光学致动器,实现了致动器结构与具有光纤自固定、自对准功能的新型光纤定位保持结构的单片集成.新型扭转微镜光学致动器的机电和光学特性研究表明,其工作寿命超过10...
吴文刚栗大超袁勇孙卫阎桂珍郝一龙靳世久
关键词：光开关
文献传递
硅通孔(TSV)的工艺引入热应力及其释放结构设计被引量：3
2014年
在3DSiP（三维系统级封装）的TSV（硅通孔）的工艺制造过程中，热应力会引发TSV周围的载流子迁移率的改变，进而改变3D系统级封装芯片的性能．针对这一问题，提出了一种TSV热应力释放槽结构，以期解决微机电系统（MEMS）应用的大尺寸TSV的热应力问题．在释放槽内外，硅衬底表面的应力得到有效隔离，表面应力大大降低．在结合可行工艺参数的基础上。通过数值模拟对比了3D与2D模型的区别、不同TSV材料的区别，计算应力释放槽的深度、位置、宽度等因素对硅衬底表面应力释放的效果，给出了TSV应力释放槽的布局建议．研究结果表明含有释放槽的TSV，释放槽外热应力可以减小至无释放槽情况下的40％-60％，保留区域的面积也相应降低．
孙汉王玮陈兢金玉丰
关键词：数值仿真
Low power Organic Memory Based On Polymer Material for Flexible Applications
The organic resistance memories are promising for future flexible applications.In this paper the main challeng...
蔡一茂
阵列式微机械悬臂梁的研制及其特性分析被引量：4
2003年
在一个芯片上设计了六组不同规格的矩形压阻悬臂梁 .采用ANSYS有限元分析系统对微压阻悬臂梁进行应力分析 ,并对压阻悬臂梁的噪声、灵敏度以及最小可探测位移进行了研究 .选用多晶硅为压阻材料 ,以硅微机械加工技术为基础 ,完成了阵列式压阻悬臂梁的制备 .通过测量器件的噪声和灵敏度 ,计算出在 6V偏压和 10 0 0Hz测量带宽下 ,多晶硅悬臂梁的最小可探测位移为 1nm .
于晓梅张大成李婷王小宝阮勇杜先锋
关键词：悬臂梁噪声灵敏度
基于复合静电驱动结构的硅微机械扭转微镜(英文)被引量：2
2006年
为了改善硅微机械扭转微镜的机电耦合特性,降低器件的驱动电压并提高其工作可靠性,提出了几种新颖的基于复合静电驱动结构的硅微机械扭转微镜.提出的硅微机械扭转微镜将垂直扭转梳齿静电驱动结构、侧壁平行板电容静电驱动结构有机结合,实现了两种静电驱动方式的复合驱动,同时设计了内外双镜面结构,通过内外双镜面结构,实现了微镜的差动复合驱动,理论分析、模拟仿真与测试结果表明,通过上述两个方面新颖的设计,新结构显著降低了器件的驱动电压.同时为了提高器件的工作可靠性,在设计折叠梁柔性支撑结构时,将梁的不同位置设计成不同的厚度,对于硅微机械扭转微镜扭转过程中容易疲劳的梁部分加大了其厚度,从而在不影响器件扭转性能的前提下,明显提高了器件的可靠性.利用有限元方法对器件的力学特性和机电耦合特性进行了系统的仿真,获得了影响器件机电特性的关键结构参数.器件基于SOI晶片,采用表面硅工艺与体硅工艺相结合的方式加工制造,采用SOI晶片显著降低了微镜镜面的表面粗糙度,提高了其光反射能力.最后利用原子力显微镜对微镜镜面的表面粗糙度进行了测量和分析,实验结果表面微镜表面具有16nm的表面粗糙度,完全可以满足光学应用的需要.
栗大超吴文刚袁勇陈庆华郝一龙胡小唐
关键词：MEMSSOI复合驱动表面粗糙度
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