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东南大学薄膜研究所

作品数:33 被引量:197H指数:8
相关作者:刘云峰吴乐林李建军更多>>
相关机构:上海交通大学微纳米科学技术研究院上海交通大学微纳米科学技术研究院信息存储研究中心更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 30篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 16篇电子电信
  • 10篇理学
  • 6篇化学工程
  • 6篇一般工业技术
  • 1篇电气工程
  • 1篇建筑科学

主题

  • 11篇电致变色
  • 10篇溅射
  • 7篇磁控
  • 5篇反应溅射
  • 5篇磁控溅射
  • 4篇氧化镍
  • 4篇氧化镍薄膜
  • 3篇电子束蒸发
  • 3篇氧化钨
  • 3篇射线衍射
  • 3篇幕墙
  • 3篇幕墙玻璃
  • 3篇X射线衍射
  • 3篇ITO膜
  • 2篇电致变色薄膜
  • 2篇电致变色器件
  • 2篇阳光控制
  • 2篇阳光控制膜玻...
  • 2篇氧化铝薄膜
  • 2篇氧化铟

机构

  • 33篇东南大学
  • 2篇上海交通大学

作者

  • 22篇陈国平
  • 10篇茅昕辉
  • 8篇张旭苹
  • 5篇张随新
  • 3篇刘云峰
  • 2篇张浩康
  • 2篇蔡炳初
  • 1篇吴乐林
  • 1篇李建军
  • 1篇吕忆农

传媒

  • 7篇真空
  • 6篇电子器件
  • 4篇真空科学与技...
  • 3篇太阳能学报
  • 3篇光电子技术
  • 2篇东南大学学报...
  • 2篇新型建筑材料
  • 2篇真空电子技术
  • 2篇中国真空学会...
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇第四届全国固...

年份

  • 3篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1999
  • 3篇1998
  • 4篇1997
  • 4篇1996
  • 9篇1995
  • 8篇1994
33 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
脉冲溅射技术在氧化铝薄膜沉积中的应用被引量:9
2001年
脉冲溅射是一种新型的、用于消除直流反应溅射中异常放电的技术。通过采用金属铝靶和自制的脉冲电源进行了氧化铝薄膜的脉冲磁控反应溅射沉积实验 ,讨论了脉冲溅射参数对异常放电的抑制效果 ,以及对氧化铝薄膜的沉积速率和折射率的影响。
茅昕辉蔡炳初陈国平
关键词:氧化铝薄膜
电致变色灵巧窗的设计与研制被引量:13
1997年
从电致变色器件的工作原理出发,对电致变色灵巧窗的基本结构和各层材料的作用进行分析和讨论,对组成灵巧窗的各层薄膜材料进行研究和制备,并研制了性能优良的ITO/WO3/LiClO4-PC/NiO/ITO以及ITO/NiO/LiClO4-PC/ITO结构的半固态灵巧窗和ITO/WO3/LiNbO3/NiO/ITO结构的全固态灵巧窗。
张旭苹
关键词:电致变色氧化钨氧化镍太阳能
电致变色氧化镍薄膜的制备与性能被引量:1
1996年
电致变色氧化镍薄膜的制备与性能张旭苹,陈国平(东南大学薄膜研究所,南京210018)电致变色是指材料的光学性能(光的透射、反射和吸收)通过外加电场或电流的作用在包括可见光波长的某一波长范围内发生可逆变化的现象,氧化镍薄膜是目前发现的性能最好的电致变色...
张旭苹陈国平
关键词:电致变色氧化镍薄膜光学性能
直流磁控反应溅射沉积ITO透明导电膜的研究被引量:9
1995年
研究了用铟锡合金靶直流磁控反应溅射制备ITO透明号电膜。介绍了膜的制备工艺和膜的特性。讨论了成膜过程和热处理对膜的电阻率和透光率的影响。
茅昕辉陈国平陈公乃张随新张旭苹
关键词:ITO膜透明导电膜磁控反应溅射
磁控反应溅射氧化镍薄膜电致变色特性的研究被引量:1
1994年
本文介绍了直流磁控反应溅射制备的氧化镍薄膜。研究了所沉积的氧化镍薄膜的电致变色性能、响应速度、开路记忆能力及循环寿命。实验结果表明:氧化镍薄膜初始态透射率和电化学测试方法与条件的选择对其电致变色性能有较大的影响。
陈国平张旭苹
关键词:氧化镍薄膜电致变色磁控反应溅射
氧化铟锡透明导电玻璃可见光透射率的研究被引量:2
1997年
随着近年来平板显示工业的飞速发展,ITO透明导电玻璃获得了广泛的应用。透明导电玻璃的可见光透射率和ITO膜的膜厚有关,本文通过实验数据和理论计算。
茅昕辉张浩康陈国平
关键词:氧化铟锡透明导电玻璃
氧化钨薄膜的电致变色特性
张旭苹陈匡平
射频磁控溅射制备SiO_2膜被引量:6
1995年
利用石英靶射频磁控溅射制备SiO2膜的工艺,采用L型阻抗匹配网络,并计算得到了等离子体的等效电容及等效电导。指出射频功率密度是最重要的沉积参数,靶面自偏压及SiO2膜沉积速率均随功率密度的增加而线性增加。溅射气压及氧分压对自偏压的影响较小,但两者的增加将导致SiO2沉积速率的降低。制备了可见光区透光性良好,折射率为1.46,沉积速率为35nm/min的SiO2膜。
陈国平张随新
关键词:射频磁控溅射阻抗匹配二氧化硅膜
氧化镍电致变色薄膜的XPS研究被引量:4
1997年
采用X射线光电子能谱分析技术研究了直流磁控反应溅射法制备的氧化镍电致变色薄膜初始态、漂白态和着色态的表面和经氩离子枪剥离后的内部组成与化学状态.并对测试结果进行了分析和讨论.
张旭苹陈国平
关键词:氧化镍X光电子能谱电致变色薄膜
交流磁控溅射技术及其应用被引量:5
1998年
本文阐述了交流溅射技术的原理、特点及其应用。
刘云峰茅昕辉张浩康陈国平
共4页<1234>
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