湖北省等离子体化学与新材料重点实验室
- 作品数：29 被引量：56H指数：4
- 相关作者：刘翔陈辉卫应亮胡晖更多>>
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- 相关领域：一般工业技术化学工程理学电子电信更多>>
- MPECVD法在抛光石英玻璃上沉积金刚石薄膜
- 采用微波等离子体增强化学气相沉积方法(MPECVD),利用氢气和甲烷混合气体,在抛光石英基片上低温沉积出金刚石薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)、激光拉曼光谱仪(Raman)和傅立叶红外光谱仪(FTIR)对薄膜的表面形貌、...
- 熊礼威汪建华满卫东
- 关键词：化学气相沉积金刚石薄膜石英玻璃微波
- 文献传递
- 纳米碳管/碳化钨复合粉体材料及镍基复合镀层的制备
- 纳米碳管/碳化钨复合粉体材料其具有高硬度、高强度的"双高"良好特性,是良好的复合镀层增强材料。本研究以NaWO·2HO和Fe(NO)·9HO为原料,在微波等离子体的作用下,通过对钨的强制碳化,直接制备了分散均匀的纳米碳管...
- 邓晓清王升高杜宇余冬冬许传波汪建华
- 关键词：碳化钨纳米碳管
- 文献传递
- 基片温度对纳米金刚石薄膜掺硼的影响被引量：1
- 2014年
- 采用微波等离子体化学气相沉积法,以氢气稀释的乙硼烷为硼源进行了纳米金刚石(NCD)薄膜的生长过程掺硼,研究了基片温度对掺硼NCD薄膜晶粒尺寸、表面粗糙度、表面电阻和硼原子浓度的影响.利用扫描电子显微镜和原子力显微镜观察NCD薄膜的表面形貌,并通过Imager软件对原子力显微镜数据进行分析获得薄膜的表面粗糙度及平均晶粒尺寸信息;采用四探针测量掺硼NCD薄膜的表面方块电阻,利用二次离子质谱仪对掺杂后NCD薄膜表面区域的硼原子浓度进行测量.实验结果表明,较高的基片温度有利于提高薄膜的导电能力,但随着基片温度的提高,NCD薄膜的平均晶粒尺寸和表面粗糙度逐渐增大;此外,当反应气体中的乙硼烷浓度一定时,掺杂后NCD薄膜的表面硼原子浓度随基片温度升高存在一个饱和值.在所选乙硼烷浓度为0.01%的条件下,基片温度在700℃左右可以在保证薄膜表面电性能的基础上保持较好的表面形貌.
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- 关键词：纳米金刚石薄膜掺硼化学气相沉积
- MPECVD法在抛光石英玻璃上沉积金刚石薄膜被引量：4
- 2006年
- 采用微波等离子体增强化学气相沉积方法（MPECVD），利用氢气和甲烷混合气体，在抛光石英基片上低温沉积出金刚石薄膜。用扫描电子显微镜（SEM）、激光拉曼光谱仪（Raman）和傅立叶红外光谱仪（FTIR）对薄膜的表面形貌、颗粒尺寸、纯度和光学透过性能进行了表征．．通过SEM发现，得到的金刚石薄膜的颗粒尺寸为0．2～0．3μm，形核密度超过10^9cm^-2，从薄膜形貌可以发现，较高温度有于提高薄膜的生长速率和颗粒尺寸的均匀性。通过拉曼光谱和红外透射光谱分析发现，较高温度下沉积的薄膜具有较高的金刚石相含量，薄膜的光学透过性能也相对较好。
- 熊礼威汪建华满卫东
- 关键词：化学气相沉积金刚石薄膜石英玻璃微波
- 纳米白炭黑增强丁苯橡胶材料的制备与表征被引量：3
- 2014年
- 采用正硅酸四乙酯为二氧化硅前驱体,纳米二氧化硅前驱体反相微乳液与溶聚丁苯橡胶原胶溶液共混原位反应生成纳米二氧化硅,使二氧化硅微粒均匀分散在溶聚丁苯橡胶原胶液中,形成二氧化硅纳米级分散的溶聚丁苯橡胶溶液,最后经过汽提干燥工艺,得到二氧化硅纳米级分散的丁苯橡胶/纳米二氧化硅绿色轮胎母炼胶.对制备出的复合材料进行X射线衍射、扫描电子显微镜等测试分析,发现制备出的二氧化硅的平均粒径为40.4nm.同时,制备出的二氧化硅被丁苯橡胶很好地包裹在内,均匀地分散在丁苯橡胶内.
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- 关键词：纳米二氧化硅丁苯橡胶复合材料
- 射频等离子体制备类金刚石薄膜及其表征被引量：5
- 2009年
- 采用射频等离子体技术,以CH4和H2为反应气体,在单晶硅片和载玻玻璃片上成功制备出了高质量的类金刚石薄膜.采用扫描电镜、原子力显微镜、Raman光谱、红外光谱、显微硬度计表征了类金刚石薄膜的表面形貌、微观结构、光学性能和复合硬度.结果表明,制备出的类金刚石薄膜表面十分平整光滑,表面粗糙度极低,平均粗糙度Ra为0.492 nm;薄膜中含有sp2,sp3杂化键,具有典型的类金刚石结构特征;光学透过率比较高,薄膜的复合硬度可以高达507.3 kgf/cm2.
- 谢鹏汪建华王传新王升高满卫东熊礼威
- 关键词：射频等离子体类金刚石薄膜粗糙度拉曼光谱显微硬度
- 单晶硅表面磁控溅射铜栅极
- 2014年
- 晶硅太阳能电池表面的导电栅极主要用于输出电能,若其与基体间的附着力较差,将会极大地降低电池元件的稳定性和使用寿命,而与其他制备方法相比,物理气相沉积法具有可控性好、成本低等优势.为了继承物理气相沉积法的相关优势,同时能够使铜栅极与基片之间具有良好的附着力,利用磁控溅射法在单晶硅上进行铜栅极的制备实验,研究了磁控溅射过程中溅射功率和工作气压等参数对最终制得的铜栅极附着力的影响.采用超声震荡加强实验检测铜栅极的附着力,使用金相显微镜观察铜栅极的整体形貌及断线率,通过扫描电子显微镜观察铜膜的表面形貌.结果表明在溅射功率为180 W,工作气压为0.8 Pa的条件下制备的铜栅极线宽更为均匀,且进行加强实验后断线率为0.
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- 关键词：单晶硅太阳能电池附着力
- CVD金刚石薄膜半导体材料的研究进展被引量：12
- 2008年
- 含Ⅲ族与Ⅴ族元素掺杂的金刚石是宽禁带的半导体材料,同时具有优异的物理和化学特性,在电子器件与光电子器件方面的应用具有极大潜力,成为近几年来国内外研究的热点之一。介绍了目前常用的掺杂方法、技术水平及金刚石半导体的应用前景。
- 孙蕾满卫东汪建华谢鹏熊礼威李远
- 关键词：金刚石薄膜掺杂半导体N型P型
- 水热法制备氧化钇空心纳米花及其吸附性能被引量：2
- 2016年
- 采用水热法制备单分散、粒径均一的碱式碳酸钇(Y(OH)CO3)前驱体,经过高温煅烧处理得到氧化钇(Y_2O_3)空心纳米花。通过傅里叶转换红外分析(FT-IR),场发射扫描电子显微镜(FESEM),透射电子显微镜(TEM),X射线衍射(XRD),X射线能谱(XPS)以及N2吸-脱附等来表征样品,并研究了Y_2O_3空心纳米花吸附重铬酸钾(K2Cr2O7)的能力。实验结果表明:水热法制备的前驱体为Y(OH)CO3,经高温煅烧处理得到立方相Y_2O_3空心纳米花,尺寸约140 nm,比表面积为15 m2·g-1,讨论了Y_2O_3空心纳米花的形成机理。水热法制备的Y_2O_3空心纳米花对K2Cr2O7溶液的去除率可高达88.5%,吸附量为11.06 mg·g-1,约为Y_2O_3粉末的6倍。
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- 关键词：氧化钇水热法
- 硬质合金刀具上的类金刚石薄膜硬度的研究被引量：2
- 2008年
- 采用射频辉光等离子体法制备了类金刚石薄膜,研究了影响类金刚石薄膜硬度的各种因素,包括:极板间距、甲烷浓度、射频功率和膜层厚度等,分析了各种生长参数对类金刚石薄膜硬度的影响机理,找出了最佳的生长参数。
- 谢鹏汪建华王传新满卫东王升高熊礼威
- 关键词：类金刚石薄膜硬质合金
