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贵州大学理学院新型光电子材料与技术研究所: 作品数：32 被引量：97H指数：6; 相关作者：陈站朱培强沈向前郑旭罗倩更多>>; 相关机构：安顺学院物理与电子科学系铜仁学院物理与电子科学系绵阳师范学院物理与电子工程学院更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国际科技合作与交流专项项目贵州省自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

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β-FeSi2/Si异质结的伏安特性分析: 2013年; 用磁控溅射方法制备β-FeSi2/Si异质结，在分析其伏安特性的基础上探索其是否适合制备红外探测器，XRD、SEM分析表明，该方法能得到纯净、表面平整的β-FeSi2/Si薄膜；在室温下异质结的I—V特性具有很好的整流特性，整流效率约为Idirect／Ireverse～10^2，分流电阻约为38．4kΩ，零偏压下的电流响应率约为26μA／W。推算结果表明，该异质结的红外探测率约为1．479×10^9cm·√Hz/W，适合用于制备红外探测器。; 张立敏张晋敏郑旭熊锡成唐华杰金浩; 关键词：磁控溅射 Β-FESI2 SI异质结伏安特性

金属间化合物Fe3Si的性质研究: 综述了金属间化合物FeSi研究现状,详细讨论了FeSi的结构及性质,包括其晶体结构特点,磁学性质,过渡金属元素占位,以及扩散机制和环境脆性等,最后归纳了金属间化合物FeSi研究面临的主要问题,展望了今后的发展趋势。; 陈站张晋敏朱培强谢泉马道京王衍; 关键词：磁学性质相变环境脆性; 文献传递

基于β-FeSi_2薄膜的异质结研究现状被引量：1: 2010年; 详细介绍了β-FeSi2的结构和β-FeSi2薄膜的物理特性,以及基于β-FeSi2薄膜的异质结在光电方面的应用。目前,基于β-FeSi2薄膜的异质结应用的研究主要集中在PL和EL等LED领域,而对其应用于太阳能电池方面的研究还很薄弱,所获得的光电转换效率最高是3.7%,远低于其16%～23%的理论值。; 熊锡成谢泉张晋敏肖清泉; 关键词：Β-FESI2 晶体结构光电性质异质结太阳能电池

机械合金化法制备Cr掺杂Fe-Si合金: 2011年; 采用高能行星式球磨机制备了Cr掺杂Fe-Si混合粉,用X射线衍射（XRD）测试研究Cr掺杂Fe-Si合金的机械合金化过程,实验结果表明,随着球磨强度的增加,Fe、Cr、Si粉末通过原子扩散实现机械合金化,最佳的球磨工艺参数为：球磨时间35h、球磨机转速360r/min、球料比40：1。; 王朋乔谢泉罗倩陈站; 关键词：FE-SI合金机械合金化

退火对Fe（200nm）／Si系统中硅化物的形成和微结构的影响被引量：1: 2010年; 采用直流磁控溅射方法，在Si（100）衬底上沉积厚约200nm纯金属Fe膜，随后在真空退火炉中不同退火条件下对样品进行热处理，形成Fe—Si化合物薄膜，利用X-射线衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）对Fe—Si化合物进行表征分析，研究了退火条件对厚膜系统中Fe—Si化合物薄膜的形成、晶体结构和表面形貌的影响。; 王衍张晋敏马道京朱培强陈站谢泉; 关键词：磁控溅射真空退火

Mg_2Si半导体薄膜的磁控溅射制备被引量：1: 2010年; 采用磁控溅射技术和退火工艺制备出Mg2Si半导体薄膜,研究了退火时间对Mg2Si薄膜的形成和结构的影响。首先在Si(111)衬底上溅射沉积380nmMg膜,然后在退火炉内氩气氛围500℃退火,退火时间分别为3.5h、4.5h、5.0h、5.5h、6.0h。采用X射线衍射和扫描电镜对薄膜的结构和形貌进行了表征。结果表明,采用磁控溅射方法成功地制备了环境友好的半导体Mg2Si薄膜。Mg2Si薄膜具有Mg2Si(220)的择优生长特性,最强衍射峰出现在40.12°位置;随着退火时间的延长,Mg2Si外延薄膜的衍射峰强度先逐渐增强后逐渐减弱,退火5h后,样品的衍射峰最强。Mg2Si晶粒随着退火时间的延长,先逐渐增大,退火5h后逐渐减小。; 肖清泉谢泉余志强赵珂杰; 关键词：磁控溅射退火

掺杂β-FeSi_2的研究进展被引量：1: 2011年; β-FeSi2是一种新的环境友好型半导体材料,通过在β-FeSi2中掺入不同的杂质,可制成p型或n型半导体。从掺杂β-FeSi2的制备技术、电学性质、光学性质和热电性质等几个方面介绍了掺杂β-FeSi2的发展状况,并展望了掺杂β-FeSi2的研究方向。; 王朋乔谢泉罗倩; 关键词：电学性质光学性质热电性质

磁控溅射辉光放电特性的模拟研究: 2012年; 采用二维、自洽的PIC/MCC(particle-in-cell with Monte Carlo collision)方法,模拟了磁控溅射辉光放电过程,重点讨论了工作参数对放电模式和放电电流的影响.模拟结果表明,当工作气压由小到大或空间磁场从强到弱变化时,放电模式会从阴极空间电荷主导的放电模式过渡到阳极空间电荷主导的放电模式.在过渡状态,对应的工作气压与磁通密度分别为0.67 Pa和0.05 T;随着工作气压的增大,放电电流先增大后趋向平衡,当工作气压超过2.5 Pa时,电流开始随工作气压的增大而减小;而阴极电压增大时,放电电流近似线性增加.; 沈向前谢泉肖清泉陈茜丰云; 关键词：磁控溅射辉光放电计算机模拟

金属间化合物Fe3Si的研究进展: 2013年; 文章简要介绍了金属间化合物Fe3Si的基本性质、常用的制备方法，以及在软磁性能等方面的应用，并对存在的一些问题以及未来可能的研究方向做了简要探讨。; 刘罗昊谢泉; 关键词：FE3SI 软磁性能抗腐蚀性

Co掺杂β-FeSi_2电子结构及光学性质的第一性原理研究被引量：12: 2011年; 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对不同Co含量的β-FeSi2的能带结构,态密度、分态密度和光学性质进行了计算和比较。几何结构和电子结构的计算结果表明,Co掺杂使得β-FeSi2的晶格常数a增大,b和c变化不大,晶格体积增大。Fe1-xCoxSi2的能带结构变为直接带隙,禁带宽度从0.74 eV减小到0.07 eV,Co的掺入削弱了Fe的3d态电子,但费米能级附近的电子态密度仍主要由Fe的3d态电子贡献。此外,Co掺杂导致β-FeSi2的晶格体积增大,这对掺杂后β-FeSi2的带隙变窄起到一定的调制作用。光学性质的计算表明,Co掺入后介电函数虚部ε2(ω)向低能方向偏移,且光学跃迁强度明显减弱,吸收边发生了红移,光学带隙随Co含量增加而减小。计算结果为β-FeSi2光电材料的设计和应用提供了理论依据。; 闫万珺周士芸谢泉桂放张春红郭笑天; 关键词：Β-FESI2 电子结构光学性质掺杂第一性原理