公共文化服务平台

华东师范大学信息科学技术学院极化材料与器件教育部重点实验室: 作品数：19 被引量：34H指数：3; 相关作者：朱晟伟范梁肖云钞温洁李梁更多>>; 相关机构：中国科学院上海技术物理研究所中国科学院上海硅酸盐研究所中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>

合作机构

中心金属取代的新型酞菁配合物的非线性光学性能研究: UV-Vis吸收光谱和荧光光谱对四种金属酞菁配合物 C40H28FeN8O16,C36H28CoN8O8,C36H28Cu2N8O8,C36H28RuN8O8(FeⅢOCPc,CoTcPc,CuTcPc,RuTcPc )...; 刘琳李波马世红; 关键词：金属酞菁配合物非线性折射率 Z-扫描

GaAs/InGaAs量子点探测器件微光读出研究被引量：1: 2012年; GaAs/InGaAs量子点光电探测器,在633 nm激光辐射3.5 nW条件下,器件偏压-1.4 V时,测得响应电流8.9×10-9A,电流响应率达到2.54 A/W,量子注入效率超过90%。基于GaAs/InGaAs量子点光电探测器的高量子注入效率、高灵敏度等特点,采用具有稳定的电压偏置,高注入效率和低噪声特点的CTIA(电容互阻跨导放大器)作为列放大器读出结构,输出部分采用相关双采样(CDS)结构去除系统和背景噪声。实验结果表明,在3.5 nW的微光辐射下,器件偏压为-2.5 V时,50μm×50μm像素探测器与读出电路互联后有7.14×107V/W的电压响应率。; 尤虎郭方敏朱晟伟越方禹范梁茅惠兵; 关键词：量子点量子效率

长波量子阱红外光电探测器金属光栅耦合的研究——基于金属表面等离子效应被引量：4: 2011年; 采用时域有限差分法研究了二维金属光栅量子阱红外探测器的电磁场分布,研究表明充分利用金属表面等离子效应可显著提高量子阱红外探测器光耦合效率.研究还表明,对于8μm长波量子阱红外探测器,金属光栅结构选取圆孔直径与光栅周期比为0.8～0.9是最有益的,此时可获得最大的光耦合效率.; 翁钱春李梁陈俊温洁熊大元; 关键词：量子阱红外探测器

红外光电子学中的新族--量子阱红外探测器被引量：15: 2009年; 回顾了近10年基于半导体中量子限制效应红外探测器的进展.主要关注的是二维限制结构,即量子阱结构,形成的区别与传统红外光子探测的子带跃迁机理.在红外光电子领域作为新族的量子阱红外探测器(quantum well infrared photo-detector,QWIP)与最典型的红外探测器代表碲镉汞红外探测器进行了各自特色的分析,包括基本工作机理和材料与器件的制备技术等方面.对于QWIP发展的回顾提升了与碲镉汞红外探测器之间的互补关系.也给出了对于QWIP在未来发展方面的基本趋势.; 陆卫李宁甄红楼徐文兰熊大元; 关键词：量子阱红外探测器

全反射氧化锗空芯光纤弹性弯曲半径的计算与验证被引量：3: 2015年; 金属的塑性形变特性使金属毛细管空芯光纤在激光传输过程中容易产生不可逆塑性形变,依据金属管材的弹塑性弯曲理论和液相沉积金属毛细管氧化锗(GeO2)空芯光纤的工艺要求,本文对铍铜和不锈钢毛细管GeO2全反射空芯光纤的弹性弯曲半径进行了计算并通过实验验证。结果表明,铍铜和不锈钢空芯光纤的最小弹性弯曲半径的计算值与实验值相吻合。; 郭洪梁赪花修春马海生郭文锋敬承斌褚君浩; 关键词：衰减全反射

纳米晶Bi_2Cu_(0.1)V_(0.9)O_(5.35)粉末材料的沉淀法制备和特性研究被引量：1: 2011年; 采用反向滴定沉淀法合成Bi2Cu0.1V0.9O5.3(5BICUVOX.10)纳米粉体材料。通过热重-差热分析和X射线衍射研究BICUVOX.10粉料的相形成过程和相特性。结果表明,样品在500℃以上4 h退火后已完全形成单一的室温稳定四方γ导电相。用X射线多功能电子能谱对BICUVOX.10粉末的组分分布及化学态进行分析:样品中Bi、V、Cu元素的摩尔比约为20∶9∶1。透射电镜对样品颗粒分散性的研究表明:一定量表面活性剂PEG4000(聚乙二醇4000)的添加可有效提高纳米BICUVOX.10粉体颗粒的分散性;当PEG4000添加量为5%时,BICUVOX.10纳米颗粒产物的分散性最佳。; 郭鸣; 关键词：团聚

四方相多铁BiMnO3电控磁性的理论研究被引量：1: 2018年; 钙钛矿结构BiMnO_3作为同时具有铁电性与铁磁性的多铁材料,在人工神经网络方面可以作为一种潜在的人工突触材料,从而设计出新型多铁人工突触器件.本文使用第一性原理计算的方法,分别研究了四方相BiMnO_3在xy面内施加0.18%与4%应力条件下的铁电情况,以及Mn原子磁矩随着铁电极化强度变化的曲线.结果表明,在四方相多铁BiMnO_3中,Mn原子磁矩会随着极化强度的增强而增大,表示其铁磁性可以在一定程度上由其铁电极化来进行调控,并且应力越大,其磁矩变化范围就越大.这一结果使得多铁BiMnO_3在人工突触器件设计方面拥有潜在的应用价值,多铁性使其在作为人工突触器件材料中具有更多可调控的自由度,从而可用于模拟多突触连接.这可为将来构造类脑芯片打下一定的理论基础.; 袁野田博博段纯刚

不同衬底生长Bi_2VO_(5.5)薄膜及性能研究: 2012年; 用溶胶-凝胶法分别在LNO/Si(100)和ITO/glass衬底上成功制备了Bi2VO5.5(BVO)薄膜。通过X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)研究了薄膜的结构和表面形貌。结果表明,两种衬底上生长的BVO薄膜均具有(001)择优取回的单一相结构,晶粒大小均匀,结晶度良好。BVO薄膜介电特性的分析表明,1kHz～1MHz频率范围内,BVO薄膜在ITO衬底上表现出更稳定的介电特性,这主要归因于薄膜择优取向程度、晶粒大小和晶界特点的影响。两种衬底上BVO薄膜中的驰豫过程属于多分散系统的德拜驰豫。BVO薄膜的拉曼光谱研究表明薄膜结构几乎不受衬底影响。; 郭鸣罗志扬曾小荟刘昌鑫; 关键词：介电特性氧空位拉曼光谱

Sr位Nd掺杂对SrBi2Nb2O9性能的影响及机理研究被引量：4: 2009年; 采用传统固相法制备了(Sr1-3x/2Ax/2Ndx)Bi2Nb2O9(x=0,0.05,0.1和0.2)陶瓷,并系统研究了Nd离子取代Sr离子对SrBi2Nb2O9性能的影响及其作用机理.研究结果表明:Sr1-3x/2Ax/2NdxBi2Nb2O9的介电常数和介电损耗随温度变化的行为具有明显的离子松弛极化特征.Nd3+对Sr2+的部分取代,导致Sr1-3x/2Ax/2NdxBi2Nb2O9剩余极化强度Pr稍有下降,但其压电系数d33却有所增加,根据铁电热力学理论,这是Nd3+对Sr2+取代导致材料介电常数增大所致.Sr1-3x/2Ax/2NdxBi2Nb2O9的居里温度(TC)没有随Nd含量的增加而变化,拉曼光谱技术分析表明这是其NbO6八面体畸变程度没有发生变化所致.Nd3+取代Sr2+提高了材料的介电常数εr、压电系数d33、机电耦合系数Kp,同时降低了机械品质因数Q,但是谐振频率温度系数C值没有改变.; 孙琳褚君浩杨平雄冯楚德; 关键词：压电陶瓷介电性能压电性能拉曼光谱