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江苏省光电信息功能材料重点实验室

作品数:57 被引量:111H指数:5
相关作者:李斌斌陆海赵红刘占辉姚劲更多>>
相关机构:南京大学中国科学院北京大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

文献类型

  • 31篇期刊文章
  • 25篇会议论文
  • 1篇标准

领域

  • 37篇电子电信
  • 12篇理学
  • 6篇自动化与计算...
  • 5篇一般工业技术
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 12篇MOCVD生...
  • 8篇MOCVD
  • 6篇ALGAN
  • 5篇上网
  • 5篇片上网络
  • 5篇网络
  • 5篇光谱
  • 5篇发光
  • 5篇半导体
  • 5篇NOC
  • 4篇导体
  • 4篇光学
  • 4篇USB2.0
  • 4篇GAN薄膜
  • 4篇INN薄膜
  • 3篇氮化
  • 3篇氮化物
  • 3篇淀积
  • 3篇多核
  • 3篇金属有机物

机构

  • 57篇江苏省光电信...
  • 25篇南京大学
  • 8篇中国科学院
  • 2篇北京大学
  • 1篇联想集团公司
  • 1篇海信集团有限...
  • 1篇闪联信息技术...
  • 1篇中国人民解放...
  • 1篇杭州鸿雁电器...
  • 1篇北京集创北方...
  • 1篇上海三思电子...
  • 1篇厦门华联电子...
  • 1篇鸿利智汇集团...
  • 1篇新联合众(北...

作者

  • 30篇张荣
  • 29篇郑有炓
  • 23篇谢自力
  • 23篇刘斌
  • 20篇韩平
  • 20篇修向前
  • 17篇李丽
  • 14篇何书专
  • 11篇江若琏
  • 11篇顾书林
  • 11篇施毅
  • 10篇潘红兵
  • 8篇高明伦
  • 8篇张曾
  • 8篇李伟
  • 6篇张禹
  • 6篇龚海梅
  • 6篇李亮
  • 6篇陆海
  • 5篇姬小利

传媒

  • 6篇第十五届全国...
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  • 4篇电子测量技术
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  • 3篇计算机工程
  • 3篇激光与红外
  • 3篇微电子学
  • 2篇物理学报
  • 2篇计算机工程与...
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  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇电子学报
  • 1篇光学学报
  • 1篇系统仿真学报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇光源与照明
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 3篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 4篇2010
  • 9篇2009
  • 11篇2008
  • 16篇2007
  • 2篇2006
  • 3篇2005
  • 1篇2004
57 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Mg掺杂的AlGaN的MOCVD生长
本文对利用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)方法制备的Mg掺杂AlGaN薄膜进行了研究。根据Raman光谱对Mg掺杂AlGaN薄膜应力和X射线摇摆曲线对晶体质量的研究表明引入高温AlN插入层能有效调节应力,并提高薄膜质...
姚靖施毅郑有炓谢自力刘斌韩平张荣江若琏刘启佳徐峰龚海梅
关键词:半导体薄膜薄膜生长
文献传递
多处理器NoC仿真平台被引量:4
2009年
面向多媒体和无线通讯领域的多处理器片上系统(MPSoC)对通信带宽的要求与日俱增,于是片上网络(NoC)被提出来满足这种要求。在NoC设计初期,建立一个速度、精度满足要求,能支持设计空间探索的仿真平台显得尤为重要。采用SystemC建模和仿真环境,建立了一个完整的多处理器NoC仿真平台,包括处理器模型、通信结构模型、存储器模型和并行编程支持软件,并且提出了基于该平台的设计方法学和应用开发流程。在仿真平台支持下,面向各种应用的多处理器NoC设计空间探索和原型验证等研究变得不再困难。DCT、FFT和JPEG解码器三种算法被用来作为案例在该平台上实现,验证了以上提出的仿真平台及其设计方法学。
杨盛光李丽张宇昂王佳文董岚高明伦
关键词:多处理器系统芯片片上网络仿真平台设计方法学
MOCVD生长In_xGa_(1-x)N薄膜的表征被引量:2
2005年
本文利用MOCVD方法在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同生工艺条件下的InxGa1-xN薄膜的制备,并通过XRD、SEM、AFM等测量分析方法系统研究了生长工艺参数对InxGa1-xN薄膜的组分和性质的影响。InxGa1-xN薄膜的制备包括蓝宝石衬底表面上GaN缓冲层的生长以及缓冲层上InxGa1-xN薄膜的沉积两个过程。通过对所制备InxGa1-xN薄膜的XRD、SEM、AFM分析发现,调节生长温度和TMGa的流量可以有效控制InxGa1-xN薄膜中In的组分,并且随着生长温度的升高,InxGa1-xN薄膜的表面缺陷减少。
李亮张荣谢自力张禹修向前刘成祥毕朝霞陈琳刘斌俞慧强韩平顾书林施毅郑有炓
关键词:MOCVD缓冲层
AlGaN/GaN分布布拉格反射镜的MOCVD生长
文中利用MOCVD方法,采用高质量GaN作为缓冲层,在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同组分的AlxGa1-xN/GaN分布布拉格反射镜(DBR)的制备.通过XRD、SEM、AFM、反射谱等测量分析手段,研究了Al...
李亮周建军刘斌韩平江若琏顾书林施毅郑有炓张荣谢自力修向前姬小利刘成祥毕朝霞陈琳龚海梅张禹
关键词:ALGANGAN分布布拉格反射镜MOCVD
文献传递网络资源链接
ZnO-MOCVD水平反应室几何结构的模拟被引量:1
2007年
采用基于计算流体力学(CFD)的数值计算方法,对自制的生长ZnO的MOCVD(金属有机物化学气相淀积)反应室内的流场进行了三维数值模拟和分析.数值模拟采用有限体积差分方法对系统的控制方程进行离散.通过解决流体的能量、动量、质量和物种守恒方程,研究了气体入口的倾斜角度对衬底表面淀积的ZnO分布的影响,并研究了不同的衬底位置对生长速率的影响.计算结果对ZnO-MOCVD系统结构的优化提供了一个有力的参考依据.
刘松民顾书林朱顺明叶建东刘伟张荣郑有炓
关键词:ZNOMOCVD数值模拟
高分辨率X射线衍射研究InGaN/GaN多量子阱结构In组分及厚度
<正>InGaN/GaN 多量子阱作为有源层对 LED,LD 等光电子器件的发光效率具有重要意义。作为表征其结构的 X 射线衍射技术具有对样品的非破坏性和快速获得结果的优点值得深入研究。本文应用高分辨 X 射线衍射技术(...
李弋刘斌谢自力张荣修向前江若琏韩平顾书林施毅郑有炓
文献传递
氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜的淀积与发光特性
<正>氢化纳米硅(nc(Si:H)薄膜是一种重要的混合相准有序材料,由微小的晶粒和非晶界面区构成。它的独特的电学和光学性能以及在硅基纳电子器件与光电器件方面潜在的应用价值引起了人们的广泛关注。
左则文闾锦濮林施毅韩平张荣郑有炓
关键词:微结构光致发光谱
文献传递
湿化学腐蚀法研究GaN薄膜中的位错
本文采用湿化学腐蚀方法结合扫描电子显微镜、阴极荧光谱仪手段对GaN(0001)/Al2O3中的位错进行了研究。实验以熔融的浓度比为1:1的KOH-NaOH溶液加入10wt%的MgO,对样品进行腐蚀处理,得出优化的腐蚀条件...
赵红韩平梅琴刘斌陆海谢自力张荣郑有炓
关键词:GAN薄膜位错密度电子显微镜发光强度
文献传递
八通道多协议串行通信控制器的功能验证
2008年
超大规模集成电路芯片的验证是一项复杂的任务,占据了整个芯片设计工作量的70%。实现了一款八通道多协议串行通信控制器芯片的功能验证,介绍了基于总线功能模型验证平台的建立方法,并根据此芯片的设计特点,研究了该芯片的验证策略,设计了验证平台,同时完成了芯片的后仿真和样片测试。实践证明,该验证策略具有较高的功能覆盖率,验证平台具有较好的复用性,对同类具有复杂通信协议电路的功能验证有一定的参考价值。
周吉吉何书专李伟娄孝祥张仲金李丽
关键词:总线功能模型
面向层次化NoC的混合并行编程模型被引量:1
2010年
为更好发挥多核处理器的硬件性能,针对层次化的片上网络架构,提出MPI/OpenMP混合并行编程模型。运用基于MPI的任务级并行模型实现片内簇间的高效通信,采用OpenMP模型实现簇内四核的通信、同步和数据交换。实验结果表明,与单一并行编程模型相比,混合并行编程模型加速比提高了20%~50%。
曹祥易伟潘红兵高明伦李丽
关键词:片上网络消息传递接口层次化
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