重庆师范大学物理与电子工程学院光电功能材料重庆市重点实验室
- 作品数：60 被引量：78H指数：5
- 相关作者：陈燕樊聪刘畅王静范凤更多>>
- 相关机构：西南大学物理科学与技术学院重庆大学物理学院北京大学物理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金重庆市自然科学基金重庆市教育委员会科学技术研究项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 钙钛矿钴氧化物中钴离子自旋态的研究进展被引量：2
- 2015年
- 钙钛矿钴氧化物具有丰富的物理现象,特别是其Co离子自旋态的变化更为复杂,蕴藏着丰富的物理机理。由于材料本身存在的庞磁电阻效应使其在提高磁存储密度和制备磁敏感探测元件等领域有着很广阔的应用前景,受起了广泛关注。从介绍钙钛矿氧化物的结构入手,着重阐述了钙钛矿钴氧化物中Co离子自旋态转变的研究进展,并对钙钛矿钴氧化物中存在的其他物性进行了简单综述。
- 赵若禺毋志民王敏娣邓军权丁水燕
- 关键词：钴离子自旋态庞磁电阻效应
- Mn掺杂LiZnN新型稀磁半导体磁电性质的第一性原理计算被引量：2
- 2018年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,对纯LiZnN、Mn掺杂LiZnN及Li不足和过量时Mn掺杂LiZnN体系进行几何结构优化,分析体系的电子结构、半金属性和磁电性质.结果表明,Mn的掺入使体系产生自旋极化杂质带,自旋极化率为100%,表现出半金属铁磁性,且形成较强的Mn—N共价键.当Li不足时,Mn—N键的共价性最强,键长变短,体系半金属性明显增强,形成能最低,结构最稳定.Li过量时,体系半金属性消失,表现为金属性,杂质带宽度增大,体系导电能力增强.表明Mn掺杂LiZnN新型稀磁半导体可以通过Mn的掺入和改变Li的含量来实现磁性和电性的分离调控.掺杂体系的基态均为铁磁性,其净磁矩主要由Mn原子贡献,通过海森堡模型计算发现,Li空位可以有效提高体系的居里温度.
- 徐建杜成旭杜颖妍贾倩刘洋华毋志民
- 关键词：第一性原理铁磁性
- 碱金属(Li、Na、K)掺杂二维单层CrI_(3)的半金属铁磁性研究
- 2024年
- 基于第一性原理计算的方法,对二维单层CrI_(3)及碱金属(Li、Na、K)掺杂后的电荷布局、晶体稳定性、电子结构和居里温度进行了计算和分析。研究结果显示:在单层CrI_(3)和碱金属掺杂后,各原子之间的键合能力较强,体系表现出稳定的共价键晶体结构。在由I原子组成的八面体晶体场中,Cr原子发生自旋劈裂现象,使得单层CrI_(3)呈现磁性半导体性质。而碱金属的掺入增加了体系的载流子浓度,加强了Cr原子间的铁磁交换作用,使居里温度由46 K提高到95 K。此外,电子浓度的提升使得Cr-3 d轨道的电子占据数增加,导致Cr原子的自旋磁矩增大。这使得掺杂体系呈现稳定的半金属性,具有100%自旋极化率,并具备较大的半金属能隙,分别为1.13 eV(Li掺杂)、1.26 eV(Na掺杂)和1.41 eV(K掺杂),能有效抑制热扰动及自旋翻转,是自旋电子学领域的潜在候选材料。
- 张伟华李雨欣王朕骆逸夫刘祥林彭波丁守兵毋志民
- 关键词：第一性原理计算碱金属掺杂居里温度
- 具有大半金属能隙的V掺杂LiZnP新型稀磁半导体的磁电性质被引量：2
- 2019年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法,对新型稀磁半导体Li1±y(Zn1-xVx)P(x=0,0.0625;y=0,0.0625)体系进行几何结构优化,计算并分析了各体系的电子结构,形成能,半金属性,磁性及居里温度。结果表明,新型稀磁半导体LiZnP可通过掺入V和改变Li的化学计量数来实现自旋和电荷注入机制的分离。单掺V引入了自旋极化杂质带,表现出强的半金属性,sp-d杂化导致体系产生2.92 μB的净磁矩。体系的性质还受Li的化学计量数的影响,Li空位时,半金属性和磁性有所减弱,但居里温度最高;Li填隙时,杂化作用增强,形成能最低,导电能力最强,磁性最大。
- 贾倩杜颖妍杜成旭陈婷刘焦于越张恒源刘明毋志民
- 关键词：电子结构磁性
- 二维材料XTe_(2)(X=Pd,Pt)热电性能的第一性原理计算被引量：3
- 2021年
- 利用密度泛函理论结合玻尔兹曼输运方程,预测了二维层状热电材料XTe_(2) (X=Pd, Pt)的热电性质.两种材料都具有较低的热导率,材料的晶格热导率随温度的升高而降低,且表现出各向异性.而电子热导率随温度的升高而升高.在较低温时,晶格热导率对总热导率的贡献占据主导地位.较高的载流子迁移率、电导率及塞贝克系数也对材料的热电转换效率产生极大的影响,展现出较为优异的电输运性能.对比分析PdTe_(2)和PtTe_(2)两种材料的ZT值,发现两种材料的热电性能以p型掺杂为主. PtTe_(2)单层的ZT值高于PdTe_(2)单层,并且PtTe_(2)单层在常温下的ZT峰值可达到2.75,是一种极具潜力的热电材料.
- 王艳陈南迪杨陈曾召益胡翠娥陈向荣
- 关键词：第一性原理计算输运性质热电效应
- 非晶态合金包覆层对铜线强度和抗腐蚀性能的提高被引量：1
- 2017年
- 【目的】非晶态合金是一种新型的金属材料,其长程无序的原子结构导致其具有优异的力学性能,因此,有必要研究利用非晶态合金来提高普通材料性能的具体方案。【方法】通过快速熔体浸润抽拉包覆的方式,把Zr基非晶态合金材料快速包覆于铜线表面。【结果】非晶态合金包覆层可以有效地提高铜线的抗压强度,同时由于包覆层优异的抗腐蚀性,所制备的非晶态合金包覆铜线材料也具有优异的抗腐蚀性能。同时还发现铜线的包覆层厚度随着抽拉速度的增加而减小。随着包覆层厚度的增加,样品的屈服强度也逐步提高,但是不能无限度增加包覆层厚度:由于冷却散热问题,当包覆层厚度超过120μm时,包覆层合金会形成明显的晶化相,晶化后的包覆层不具备非晶态合金的高强度,从而不能提高铜线的力学性能。【结论】非晶态合金包覆层超高的强度和抗腐蚀性可以有效地改善铜线的力学和抗腐蚀性能,从而增强铜线环境耐受力,使之具有更广泛的应用价值。
- 向优生何孟珂陈燕张倪侦余鹏
- 关键词：非晶态合金包覆层抗腐蚀性
- 氧化镓微晶薄膜制备及其日盲深紫外探测器被引量：1
- 2020年
- 采用射频磁控溅射技术和热退火技术在石英衬底上制备了微晶态Ga2O3薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱(Raman)、紫外-可见-红外分光光度计(UV-Vis-IR)以及X射线光电子能谱仪(XPS)等手段对薄膜结构、光学特性以及化学组分进行了系统研究。结果表明,制备的Ga2O3薄膜呈非晶态,退火处理后,薄膜由非晶态转变为含β相Ga2O3的微晶薄膜,随退火温度升高,薄膜内部微晶成分不断增加,但最终在石英衬底上制备的薄膜并未全部转换成全晶态薄膜(β-Ga2O3)。基于非晶和微晶Ga2O3薄膜制备了金属-半导体-金属(MSM)结构的日盲深紫外探测器,发现非晶Ga2O3薄膜基器件表现出更高的光响应,而微晶Ga2O3薄膜基器件则具有更低的暗电流和更快的响应速度。
- 赖黎莫慧兰符思婕毛彦琦王加恒范嗣强
- 关键词：氧化镓微晶光电性能
- 机械合金化制备铁基纳米晶合金的粉末粒度、结构演变和磁学性能
- 2024年
- 采用单质粉末混合物球磨1~24h制备Fe_(79)Mo_(10)B_(10)Cu_(1)合金粉末,考察合金粉末的粒度、结构和磁学性能。结果表明,延长球磨时间能够细化颗粒粒径(约8μm)和晶粒尺寸(约5 nm),并均匀化粒度分布和合金元素分布。Mo元素置换固溶于α-Fe,降低了合金粉末的饱和磁化强度,且在球磨15h后生成了纳米晶α-(Fe,Mo)单相固溶体,其晶格常数随Mo含量的增加而增大。在合金化前期(˂5h),由于残余应力和磁致伸缩系数的增大,磁弹各向异性成为矫顽力的主导因素,导致矫顽力随晶粒尺寸的减小而反常增大。球磨24h后合金的矫顽力为约2200A/m,微观压应变(约0.52%)和细小B夹杂物(˂1μm)是合金矫顽力较高的主要因素。
- 张林孙阳陈艺月谭优王锋余鹏兰颂
- 关键词：机械合金化粒度磁学性能
- 新型稀磁半导体Mn掺杂LiZnP的电子结构和光学性质被引量：5
- 2017年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,对纯LiZnP、Mn掺杂LiZnP、Li过量和不足时Mn掺杂LiZnP体系进行了几何结构优化,计算并分析了体系的电子结构、半金属性、态密度及光学性质.结果表明:LiZnP新型稀磁半导体可以实现自旋和电荷注入机制的分离.Mn的掺入使体系产生自旋极化杂质带,自旋极化率达到100%,表现出半金属铁磁性,且体系性质受Li计量数的影响.当Li不足时杂质带宽度增大,半金属性增强,居里温度提高,形成能最低.进一步比较光学性质发现:Mn掺入后体系光学性质没有明显变化,但随Li的化学计量数的改变,介电函数虚部会在低能区中出现新的介电峰,同时复折射率函数对低频电磁波吸收明显加强,且能量损失在Li过量时最小.
- 王婷谭欢边庆徐建李培源孙建春陈登明毋志民
- 关键词：电子结构光学性质第一性原理计算
- 缺陷对β-Ga_(2)O_(3)薄膜的结构和光学特性的影响被引量：1
- 2021年
- 采用射频磁控溅射技术和后期退火在蓝宝石衬底上成功制备了β-Ga_(2)O_(3)薄膜。借助于X射线衍射(XRD)、拉曼散射光谱(Raman)、X射线光电子能谱(XPS)、以及二次离子质谱(SIMS)研究了缺陷对β-Ga_(2)O_(3)薄膜的结构和光学特性的影响。结果表明,未退火的Ga_(2)O_(3)薄膜呈现非晶态,随高温退火时间逐渐增加,非晶Ga_(2)O_(3)薄膜逐步转变为沿(-201)方向择优生长的β-Ga_(2)O_(3)薄膜。所有Ga_(2)O_(3)薄膜在近紫外到可见光区的平均透过率都高达95%,β相Ga_(2)O_(3)薄膜的光学带隙比非晶态薄膜增加~0.3 eV,且随退火时间的增加,β-Ga_(2)O_(3)薄膜的光学带隙也随之变宽。此外,发现非晶Ga_(2)O_(3)薄膜富含氧空位缺陷,高温退火处理后,β-Ga_(2)O_(3)薄膜中的氧空位浓度明显降低,但蓝宝石衬底中的Al极易扩散至Ga_(2)O_(3)薄膜层,并随退火时间的增加Al浓度明显增加,氧空位的降低和Al杂质的增加是导致β-Ga_(2)O_(3)薄膜光学带隙变宽的主要原因。
- 符思婕向琴赖黎莫慧兰范嗣强李万俊
- 关键词：退火结构和光学特性
