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于理科

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 8篇量子
  • 8篇量子点
  • 6篇量子点激光器
  • 6篇激光
  • 6篇激光器
  • 6篇激光器材料
  • 6篇分子束
  • 6篇分子束外延
  • 6篇分子束外延生...
  • 5篇阈值电流
  • 4篇导体
  • 4篇半导体
  • 4篇半导体量子点
  • 3篇形貌
  • 3篇形貌结构
  • 3篇分子
  • 1篇自组织
  • 1篇功率半导体
  • 1篇光波
  • 1篇光波长

机构

  • 8篇中国科学院

作者

  • 8篇于理科
  • 7篇赵昶
  • 7篇王占国
  • 7篇金鹏
  • 6篇张秀兰
  • 1篇胡良均
  • 1篇刘宁
  • 1篇雷文

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 2篇2006
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
1.02－1.08微米波段InGaAs/GaAs量子点外延结构及其制造方法
本发明涉及半导体激光器技术领域，提供了一种1.02－1.08微米波段InGaAs/GaAs量子点外延结构，以及实现这一外延结构的分子束大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法。通过精确控制分子束外延生长条件－用单原子层...
于理科徐波王占国金鹏赵昶张秀兰
文献传递
1.02-1.08微米波段InGaAs/GaAs量子点外延结构及其制造方法
本发明涉及半导体激光器技术领域，提供了一种1.02-1.08微米波段InGaAs/GaAs量子点外延结构，以及实现这一外延结构的分子束大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法。通过精确控制分子束外延生长条件-用单原子层...
于理科徐波王占国金鹏赵昶张秀兰
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1.02－1.08微米波段InGaAs/GaAs量子点外延结构及其制造方法
本发明涉及半导体激光器技术领域，提供了一种1.02-1.08微米波段InGaAs/GaAs量子点外延结构，以及实现这一外延结构的分子束大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法。通过精确控制分子束外延生长条件-用单原子层...
于理科徐波王占国金鹏赵昶张秀兰
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不同发光波长的GaAs基In(Ga)As量子点的材料生长和性质研究
In(Ga)As/GaAs量子点材料体系因具有非常诱人的发光器件应用前景，而受到人们的广泛关注。特别是如何通过控制量子点的尺寸、形状、密度，来改善量子点的发光质量以及控制发光峰位等，一直是国际上的前沿研究课题之一。本论文...
于理科
一种大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法
本发明涉及半导体激光器技术领域，提供了一种InGaAs/GaAs SK生长方式高密度量子点(10<Sup>11</Sup>/cm<Sup>2</Sup>以上)外延层结构，以及实现这一外延结构的分子束大功率半导体量子点激光...
于理科徐波王占国金鹏赵昶张秀兰
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一种亚分子单层量子点激光器材料的外延生长方法
本发明涉及半导体激光器技术领域，提供了一种InGaAs/GaAs亚分子单层量子点外延层结构，以及实现这一外延结构的分子束外延生长方法。结构包括第一层为GaAs过渡层；第二层为InGaAs亚分子单层量子点结构；第三层为Ga...
于理科徐波王占国金鹏赵昶张秀兰
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自组织量子点的形成过程
2006年
利用分子束外延技术(MBE)生长了一个分布很不均匀的InGaAs量子点样品.样品不同位置InGaAs的沉积量不同导致点的大小、密度分布不均匀.这种分布恰恰对应着量子点形成的不同时期,因此仅通过一个样品就可以把量子点的生长演变全过程展示出来.AFM和PL测试表明:随着InGaAs沉积量的增加,量子点的密度显著增加,量子点的尺寸分布渐趋均匀并倾向于一平衡值.
于理科徐波王占国金鹏赵昶雷文胡良均刘宁
关键词：量子点AFMPL谱
一种亚分子单层量子点激光器材料的外延生长方法
本发明涉及半导体激光器技术领域，提供了一种InGaAs/GaAs亚分子单层量子点外延层结构，以及实现这一外延结构的分子束外延生长方法。结构包括第一层为GaAs过渡层；第二层为InGaAs亚分子单层量子点结构；第三层为Ga...
于理科徐波王占国金鹏赵昶张秀兰
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