任丙彦
- 作品数：77 被引量：200H指数：9
- 供职机构：河北工业大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程理学动力工程及工程热物理更多>>
- 硅太阳电池用MgF2/ZnS双层减反射薄膜的制备及表征被引量：5
- 2009年
- 采用真空热蒸发技术,制备出了性能优良的MgF2/ZnS双层减反射薄膜。采用扫描电子显微镜、X射线衍射仪对薄膜的形貌以及结晶形态进行分析,采用椭圆偏振仪测试薄膜的折射系数及厚度,利用反射谱对双层减反射薄膜的减反射性能进行了表征。研究表明:衬底温度为200℃时薄膜附着力、结晶态良好;蒸发速率影响薄膜的表面形态;MgF2/ZnS厚度为110 nm/35 nm时具有最佳减反射效果。
- 孙秀菊李海玲励旭东任丙彦周春兰赵雷王文静
- 关键词：ZNS薄膜
- 大直径直拉硅单晶炉热场的改造及数值模拟被引量：13
- 2000年
- 为了降低大直径硅单晶生长过程中氧的引入 ,对常规的 4 0 6mm(16英寸 )热场进行了改造。设计了以矮加热器为核心的复合式加热器系统 ,使晶体生长过程中熔体热对流减小。通过对热场的数值模拟计算 ,分析了热场的温度分布 ,发现熔体的纵向温度梯度下降 ,熔体热对流减小 ,硅单晶中氧含量降低。
- 任丙彦刘彩池张志成郝秋艳
- 关键词：加热器热对流数值模拟
- 自适应伪蒙特卡罗算法及其在拟合太阳电池I-V曲线中的应用
- 2003年
- 文章分析了序贯数论优化算法用于太阳电池I-V曲线拟合时的不足之处,将遗传算法中自适应搜索的思想和序贯数论优化算法相结合提出了一种自适应伪蒙特卡罗算法。该算法的基本过程是:以太阳电池等效电路的数学模型为基础建立目标函数;在拟合时,利用自适应搜索算法来随机地确定收缩比,即,用第t次拟合中的计算结果来确定第t+1次的最优参数可取值范围,使各步中目标函数的参数空间构成一个最优决策序列。拟合结果表明,该算法比直接采用伪蒙特卡罗算法具有更少的计算量、更高的收敛性和鲁棒性。
- 赵红生顾军华张维连任丙彦
- 中子嬗变掺杂直拉硅的退火工艺
- 一种中子嬗变掺杂直拉硅的退火工艺，其工序是：将自然直拉硅单晶进行中子嬗变掺杂，清洗处理后，送入经过清洗处理的高温扩散炉内进行热退火。该工艺可与器件制造中的热工序结合，因此可以大大节省工时和能耗。经过此工艺处理的硅单晶可得...
- 徐岳生张维连任丙彦林秀俊鞠玉林吕淑求崔德升
- 直拉硅片缺陷工程的新发展
- 徐岳生张维连任丙彦
- 关键词：硅辐照半导体材料
- CMOS器件用硅片的缺陷控制工艺
- 一种半导体材料的处理方法，特别是CMOS器件用硅片缺陷控制工艺，其工序是先将自然直拉硅单晶进行中子辐照，然后进行切、磨、抛等硅片加工，合格的硅抛光片清洗处理后，直接进行CMOS集成电路工艺制造的第一道热工序，该工艺稳定、...
- 徐岳生张维连任丙彦林秀俊鞠玉林吕淑求崔德升
- SiSiC陶瓷衬底上多晶硅薄膜的结构
- 2006年
- 采用快速热化学气相沉积(RTCVD)法在Si-SiC陶瓷衬底上直接沉积多晶硅薄膜的研究,属国内首次。采用SEM和XRD两种测试方法分析了沉积外延的表面形貌和薄膜晶向,实验发现在RTCVD工艺中生长的多晶硅薄膜结构致密、晶粒较大,为制备低成本的陶瓷衬底多晶硅薄膜太阳电池奠定了基础。
- 马丽芬许颖任丙彦勾宪芳王文静万之坚李海峰
- 关键词：多晶硅
- 大直径CZSi单晶中微缺陷与间隙氧之间的关系被引量：9
- 2002年
- 通过实验分析了大直径直拉硅片中间隙氧含量对原生新微缺陷的影响,并对具有不同间隙氧含量的硅片进行热处理实验。结果发现间隙氧含量影响到晶体中新微缺陷的密度,通过高温退火可显著降低微缺陷的密度。
- 任丙彦郝秋艳刘彩池王海云张颖怀
- 关键词：集成电路硅片大直径直拉硅单晶
- 直径200mm太阳能CZSi复合式热场的数值模拟
- 2003年
- 用直径18英寸复合式热系统生长了直径200mm的太阳能CZSi单晶,计算机数值模拟分析表明,该热系统能降低熔硅纵向温度梯度,从而有效抑制熔体的热对流,并增加了熔硅与坩埚的边界层厚度,减少了SiO的熔入,降低了硅中氧、碳的含量,数值模拟对热场温度梯度的分析与实验结果较好地吻合。
- 任丙彦王猛刘彩池王海云霍秀敏左燕
- 关键词：数值模拟太阳能电池光电转换有限元方法
- 高效晶硅太阳电池的发展与抑制光衰的研究进展被引量：5
- 2013年
- 晶硅太阳电池在光伏发电中占有80%以上的市场份额,其科技进步主导着光伏发电的走向。随着晶硅太阳电池光电转换效率的提高,其光衰也随之提高,成为高效晶硅电池科技发展的瓶颈。研究发现,硅中的杂质补偿度和B-O复合体均能造成电池的"光衰"。利用掺镓硅单晶替代掺硼硅单晶并严格控制硅中的杂质补偿度能够大大抑制光衰,其机理和工艺的研究对高效晶硅电池的发展意义重大。
- 杨淑云李宁丰云恺任丽任丙彦
- 关键词：太阳电池光衰减单晶硅掺杂
