冀国蕊
- 作品数：13 被引量：4H指数：1
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- 相关领域：理学文化科学自动化与计算机技术机械工程更多>>
- 用定值占空比及变频光脉冲测定发光体的发光期间的方法
- 本发明公开了一种用定值占空比及变频光脉冲测定发光体的发光期间的方法，是测定光致发光期间的一种方法。该方法使用恒定光源，用斩光器获得恒定占空比，用变速马达调节脉冲光的频率，然后，以此脉冲光激发光致发光体，用分光探测器测量光...
- 徐征赵谡玲张福俊冀国蕊徐叙瑢
- 文献传递
- 用变频交流电源测定有机场致发光的发光期间的方法
- 用变频交流电源测定有机场致发光的发光期间的方法，涉及信息显示技术。该方法包括：第一，选用交流电源：频率可调的有正、负脉冲的交流电源。第二，要求<Image file="201010225075.1_AB_0.GIF" h...
- 徐征赵谡玲张福俊冀国蕊徐叙瑢
- 文献传递
- 磁控溅射法沉积SiNx非晶薄膜的生长机制及结构分析被引量：4
- 2009年
- 利用磁控溅射技术在单晶Si衬底上沉积了SiNx非晶薄膜。样品的傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR)显示,SiNx非晶薄膜在812～892cm-1范围内存在一个较强的吸收谱带。该吸收谱带对应于Si—N—Si键的伸缩振动吸收(Stretching vibration mode),其吸收峰峰位随着溅射功率的增大明显红移;但退火后,该吸收峰又逐渐蓝移。结合中心力模型和自由结合模型,分析了磁控溅射过程中SiNx非晶薄膜的生长机制和内部结构。研究认为,随着溅射功率的提高,薄膜中先后形成Si-N4四面体,Si—N—Si3,Si-N2-Si2及Si-N3-Si等结构,这几种结构分别对应着Si—N—Si键的不同模式的振动吸收。随着退火温度的升高,分子热运动逐渐加剧,非晶SiNx薄膜发生相分离,生成Si3N4和Si纳米晶颗粒,因此,Si—N—Si键的吸收峰逐渐向Si3N4的特征振动吸收峰位870cm-1靠近。
- 邬洋衣立新王申伟杜玙璠黄圣冀国蕊王永生
- 关键词：磁控溅射傅里叶变换红外光谱
- 图书馆读者管理系统在流通管理中的应用
- 2001年
- 介绍了DT－2000图书馆管理系统在读者管理中的功能和实际应用，提出了图书馆管理信息系统的发展方向。
- 冀国蕊刘素范
- 关键词：图书馆管理信息系统流通管理读者数据库
- 发光真实寿命的测量方法
- 本发明涉及一种发光寿命的测量方法，适用于光致发光、各类电场诱导的发光的真实寿命和可以光激发的非发光系统的时间分辨。该方法是在保持发光器件驱动电压不变的条件下，测量出不同频率下发光强度，画出亮度－频率曲线，从曲线上找出回折...
- 徐征张福俊赵谡玲冀国蕊徐叙瑢
- 文献传递
- 固态阴极射线发光的发现
- 2008年
- 通过分层优化方案,采用有机场致发光材料,发现了一种新的激发发光方式,即固态阴极射线发光(solid statecathodolum inescence,简称SSCL),文章主要介绍了固态阴极射线发光的发现历史、发光现象的辨认、发光现象的普适性考察以及其良好的发展前景.
- 冀国蕊徐叙瑢
- 关键词：固态阴极射线发光发光强度
- 用恒定幅度及脉宽的可变频光源测定发光期间的方法
- 本发明公开了一种利用恒定幅度及脉宽的可变频光源测定发光期间的方法，涉及发光在激发后持续的时间长短，用于判定发光信息显示屏的反应速度及交流电源驱动的无闪烁光源质量。采用恒定幅度及脉宽的可变频脉冲光源激发发光体，分光探测器测...
- 赵谡玲徐征张福俊冀国蕊徐叙瑢
- 文献传递
- 在频域内测量发光材料的发光寿命及迁移率
- 发光动力学过程可以用来研究很多未知的发光过程，测量发光动力学特征参数-发光寿命的传统方法主要有两种：一)时域内用脉冲光激发，通过单光子计数器、条纹相机等来测量；二)在频域内，用正弦调制光激发，通过发光波形位相的变化来探测...
- 徐叙瑢赵谡玲徐征张福俊冀国蕊
- 用变频交流电源测定有机场致发光的发光期间的方法
- 用变频交流电源测定有机场致发光的发光期间的方法，涉及信息显示技术。该方法包括：第一，选用交流电源：频率可调的有正、负脉冲的交流电源。第二，要求<Image file="DDA0000029513280000011.GIF...
- 徐征赵谡玲张福俊冀国蕊徐叙瑢
- 文献传递
- 用变频交流电源测定有机场致发光的发光期间的方法
- 用变频交流电源测定有机场致发光的发光期间的方法，涉及信息显示技术。该方法包括：第一，选用交流电源：频率可调的有正、负脉冲的交流电源。第二，要求<Image file="201010519954.5_AB_0.GIF" h...
- 徐征赵谡玲张福俊冀国蕊徐叙瑢
