刘家敬
- 作品数：10 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中山大学更多>>
- 发文基金：广东省重大科技项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程更多>>
- 一种背面钝化晶体硅太阳电池的背电极结构及所用网版
- 本发明属于太阳能技术领域，具体涉及一种背面钝化晶体硅太阳电池背电极结构以及所用网版。该背面钝化晶体硅太阳电池的背电极结构，包括置于太阳电池硅基片背面的钝化介质膜，置于钝化介质膜上的背银电极和背铝电极，所述背银电极内部设有...
- 沈辉刘斌辉刘家敬
- 文献传递
- 一种基于等离子刻蚀技术的背面接触晶体硅太阳电池的制备方法
- 本发明公开一种基于等离子刻蚀技术的背面接触晶体硅太阳电池的制备方法，在硅片衬底上通过热氧化形成二氧化硅层和氮化硅，以形成双层钝化复合膜，随后在硅片衬底背面丝网印刷有空心阵列图案的、无玻璃料的铝浆料层并烧结，将硅片放入等离...
- 沈辉刘家敬邹禧武陈达明
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- 一种背面钝化晶体硅太阳电池的背电极结构及所用网版
- 本发明属于太阳能技术领域，具体涉及一种背面钝化晶体硅太阳电池背电极结构以及所用网版。该背面钝化晶体硅太阳电池的背电极结构，包括置于太阳电池硅基片背面的钝化介质膜，置于钝化介质膜上的背银电极和背铝电极，所述背银电极内部设有...
- 沈辉刘斌辉刘家敬
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- 一种前电极主栅线与硅衬底隔离的选择性发射极太阳电池及其制备方法
- 本发明公开一种前电极主栅线与硅衬底隔离的选择性发射极太阳电池及其制备方法，该选择性发射极太阳电池，包括p型片为衬底的硅片，所述硅片的前表面依次设有扩磷的n+层、细栅线图案底部的n++层、氮化硅减反膜层、氮化硅隔离层以及银...
- 沈辉刘家敬刘斌辉李力李明华陈思铭
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- 一种电场钝化背面点接触晶体硅太阳电池及其制备工艺
- 本发明属于电池技术领域。具体公开一种电场钝化背面点接触晶体硅太阳电池及其制备方法，该太阳电池包括硅片衬底，硅片衬底包括有吸收太阳光的前表面，前表面有硅片前表面有扩散得到的n+层、氮化硅减反膜及银前电极，所述银前电极底部设...
- 沈辉刘家敬陈达明梁宗存
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- 一种前电极主栅线与硅衬底隔离的选择性发射极太阳电池及其制备方法
- 本发明公开一种前电极主栅线与硅衬底隔离的选择性发射极太阳电池及其制备方法，该选择性发射极太阳电池，包括p型片为衬底的硅片，所述硅片的前表面依次设有扩磷的n+层、细栅线图案底部的n++层、氮化硅减反膜层、氮化硅隔离层以及银...
- 沈辉刘家敬刘斌辉李力李明华陈思铭
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- 超薄晶体硅太阳电池关键工艺及产业化研究被引量：2
- 2013年
- 随着硅片切割技术的不断发展,越来越薄的晶体硅太阳电池成为降低太阳电池生产成本的重要途径之一。本文主要通过理论及实验方法对超薄晶体硅太阳电池制备的关键技术及产业化进行研究。本实验采用目前主流厚度为190μm、大小为125×125mm2的p型Cz单晶硅片为衬底,通过20%的NaOH溶液在不同时间下分别减薄,得到不同厚度(180μm、155μm、130μm、105μm和80μm)的硅片,然后分别采用常规工艺、背面局域接触电池制备工艺制备出不同厚度的电池。通过表征它们的反射率、I-V等性能,评价各种制备工艺的优劣,并提出产业化思路,为超薄晶体硅太阳电池产业化发展提供方案。
- 刘家敬沈辉
- 关键词：晶体硅太阳电池超薄电池
- 一种电场钝化背面点接触晶体硅太阳电池及其制备工艺
- 本发明属于电池技术领域。具体公开一种电场钝化背面点接触晶体硅太阳电池及其制备方法，该太阳电池包括硅片衬底，硅片衬底包括有吸收太阳光的前表面，前表面有硅片前表面有扩散得到的n+层、氮化硅减反膜及银前电极，所述银前电极底部设...
- 沈辉刘家敬陈达明梁宗存
- 一种基于等离子刻蚀技术的背面接触晶体硅太阳电池的制备方法
- 本发明公开一种基于等离子刻蚀技术的背面接触晶体硅太阳电池的制备方法，在硅片衬底上通过热氧化形成二氧化硅层和氮化硅，以形成双层钝化复合膜，随后在硅片衬底背面丝网印刷有空心阵列图案的、无玻璃料的铝浆料层并烧结，将硅片放入等离...
- 沈辉刘家敬邹禧武陈达明
- 等离子刻蚀工艺制备背面钝化局域接触太阳电池
- 背面钝化局域接触太阳电池结构具有优良的背表面钝化效果,其电池性能比常规全铝背场太阳电池大大提高,吸引了广泛的研究兴趣.本文主要通过使用等离子刻蚀技术应用在背面钝化局域接触电池的开膜工艺中,制备出不同开膜宽度的等离子刻蚀一...
- 刘斌辉刘家敬沈辉
- 关键词：物理性能
- 文献传递
