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刘廷禹

作品数:61 被引量:98H指数:5
供职机构:上海理工大学理学院更多>>
发文基金:上海市教育委员会重点学科基金国家自然科学基金上海市教委科研基金更多>>
相关领域:理学电子电信机械工程文化科学更多>>

文献类型

  • 59篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 58篇理学
  • 3篇电子电信
  • 2篇机械工程
  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 36篇晶体
  • 24篇电子结构
  • 24篇子结构
  • 16篇光学
  • 15篇第一性原理
  • 15篇光学性
  • 15篇光学性质
  • 13篇模拟计算
  • 11篇钨酸
  • 11篇钨酸铅
  • 11篇钨酸铅晶体
  • 11篇PBWO4晶...
  • 9篇色心
  • 8篇F
  • 7篇第一性原理研...
  • 7篇点缺陷
  • 6篇氧空位
  • 6篇计算机
  • 6篇计算机模拟
  • 6篇本征

机构

  • 60篇上海理工大学
  • 3篇上海大学
  • 1篇郑州大学
  • 1篇空军航空大学

作者

  • 61篇刘廷禹
  • 30篇张启仁
  • 9篇庄松林
  • 5篇张秀彦
  • 5篇陈俊
  • 5篇田东升
  • 5篇陈腾
  • 4篇濮春英
  • 4篇易志军
  • 4篇严非男
  • 4篇孙媛媛
  • 3篇邵泽旭
  • 3篇张飞武
  • 3篇陶琨
  • 3篇张涵
  • 3篇陈建玉
  • 3篇刘检
  • 3篇李海心
  • 3篇刘凤明
  • 3篇康玲玲

传媒

  • 24篇上海理工大学...
  • 11篇人工晶体学报
  • 7篇物理学报
  • 2篇光学学报
  • 2篇光子学报
  • 2篇计算物理
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇高等学校化学...
  • 1篇物理实验
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇原子与分子物...
  • 1篇功能材料
  • 1篇物理化学学报
  • 1篇光学仪器
  • 1篇上海理工大学...
  • 1篇中国科学:化...

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 3篇2016
  • 4篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 4篇2012
  • 4篇2011
  • 3篇2010
  • 1篇2009
  • 3篇2008
  • 5篇2007
  • 5篇2006
  • 12篇2005
  • 3篇2004
  • 1篇2003
  • 1篇2002
  • 1篇2001
  • 1篇2000
61 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
含铅空位PbWO_4晶体光学性质的模拟计算被引量:3
2005年
为了研究钨酸铅晶体中铅空位对光学性质的影响,利用完全势缀加平面波局域密度泛函近似,按照能量最低原理采用共轭梯度方法,对含铅空位的PbWO4 (PWO)晶体进行结构优化处理。计算了含铅空位的PWO晶体的电子结构、复数折射率、介电函数及吸收光谱,并与完整的PWO晶体进行了比较。结果表明:完整的PWO晶体在可见和近紫外区域内无吸收,而含铅空位的PWO晶体在可见和近紫外区域出现2个明显的吸收峰,这2 个吸收峰可分解成4个高斯线型的吸收带,它们的峰值分别为350 nm、405 nm、550 nm和670 nm。可以得出这样的推论:PWO晶体中350 nm、420 nm、550 nm和670 nm 吸收带的出现都与铅空位的存在有关。
刘廷禹张启仁庄松林
关键词:光学材料PBWO4晶体光学性质
ZrO_2晶体本征点缺陷形成能的第一性原理计算及热动力学性质被引量:2
2015年
结合第一性原理和热动力学方法模拟计算得到不同温度和氧分压条件下ZrO2晶体本征点缺陷的形成能,讨论了各种点缺陷的形成能随Fermi能级变化的规律。在常温低氧分压条件下,随着Fermi能级从0变化到5.40eV,最稳定的点缺陷依次出现的顺序为V..O3、O×i和V''''Zr,在Fermi能级接近价带顶区域的主要缺陷类型是VO和Oi。在其它温度和氧分压条件下,点缺陷的的类型也作了详细讨论。在此基础上,计算分析得到该晶体中最稳定点缺陷类型在环境温度、氧分压和Fermi能级三维空间的分布,为分析该晶体在不同条件下可能出现的点缺陷类型提供清晰的图像及调控晶体点缺陷的形成提供参考。
李海心刘廷禹刘检刘凤明
关键词:点缺陷热力学性质
结合第一性原理和热力学计算对HfO_2晶体本征点缺陷的预测被引量:1
2015年
基于第一性原理和热动力学方法模拟计算得到了不同温度和氧分压下Hf O2晶体本征点缺陷的形成能,并讨论了各种点缺陷的形成能随费米能级变化的规律.结果表明:当费米能级在价带顶附近时,随着温度和氧分压的变化,出现了不同的最稳定点缺陷(O0i、V2+O3和Hfi4+).当费米能级大于3.40 e V时,主要点缺陷是带-4价的Hf空位.该晶体除Hf空位在价带顶附近出现了奇数价态,其它的点缺陷都只显现偶数价态,这表明该晶体的点缺陷具有典型的negative-U特性.本文还计算得到了该晶体可能存在的最稳定点缺陷在温度、氧分压和费米能级三维空间的分布,这为分析该晶体在不同条件下可能出现的点缺陷类型提供清晰的图像,为调控晶体点缺陷的形成提供参考.
刘凤明刘廷禹刘检李海心
关键词:密度泛函理论点缺陷
从大学物理期末考试成绩分析看学风问题被引量:5
2003年
通过对大学物理期末考试成绩和学风的相关性分析,得到学风好坏对考试成绩和教学质量有严重影响的 结论。因此,抓好学风建设对学校发展至关重要。
陈俊刘廷禹
关键词:大学物理考试成绩分析学风问题教学质量学风建设
LuPO_4晶体中F心和F^+心的光谱性质模拟计算被引量:1
2018年
基于密度泛函理论下的广义梯度近似结合平面波赝势方法计算得到LuPO_4晶体的缺陷形成能,对带电缺陷与其镜像之间周期性库伦作用进行修正,得到比较精确的不同带电态的氧空位缺陷形成能,并利用杂化泛函方法修正带隙和带边.考虑电子声子耦合作用结合缺陷形成能构建光谱.对比LuPO_4∶Nd的实验结果与计算结果,发现F心的吸收峰与Nd^(3+)的5d—4f发射峰重叠(位于189nm),表明LuPO_4∶Nd中光产额较低的原因与F心的存在有密切关系.
李金刘廷禹付明雪鲁晓晓
关键词:第一性原理F心
Cr掺杂锐钛矿相TiO_2光学性质的第一性原理研究被引量:10
2011年
本文对Cr掺杂TiO2进行了基于密度泛函理论的第一性原理研究。模拟计算了完整及Cr掺杂TiO2的电子结构,介电函数及吸收光谱的偏振特性。计算结果表明完整的锐钛矿型TiO2晶体在可见光范围内无吸收;掺Cr后晶体的禁带宽度减小到2.25 eV,吸收边红移,并在可见光区域出现了2.51 eV(495 nm)的吸收峰,表明Cr掺杂有利于提高TiO2对太阳光的吸收。计算结果与实验结果基本相符。
陈俊严非男梁丽萍刘廷禹耿滔
关键词:CR掺杂电子结构光学性质
对不同掺杂浓度La^(3+)∶PbWO_4晶体电子结构的研究
2006年
采用缺陷化学方法讨论了PbWO4晶体中不同浓度掺La3+时可能存在的缺陷团簇模型.通过GULP计算软件模拟计算了缺陷团簇中La3+离子最可能的替位位置,并通过基于密度泛函理论的离散变分DV Xα方法计算得到相应的La3+∶PWO4晶体的电子态密度.计算得到低浓度掺杂时晶体的禁带宽度变宽,高浓度掺杂时晶体的禁带宽度变窄.实验测得低浓度掺La3+时晶体的吸收边紫移,高浓度掺La3+时晶体的吸收边红移,计算结果与实验结果相符.计算表明,La3+∶PWO4晶体中掺La3+可以有效地抑制420 nm吸收.
孙媛媛张启仁刘廷禹易志军
关键词:LA^3+电子结构吸收边
半导体激光器开启瞬态噪声的模拟计算被引量:1
2000年
利用状态空间法通过对含噪声项的Langevin速率方程的求解,得到半导体激光器开启瞬态光子数噪声的方差及其自相关函数.结果显示,半导体激光器非稳态的光子数噪声主要表现为弛豫振荡的颤抖时间.
刘廷禹
关键词:半导体激光器噪声状态空间法
钨酸铅晶体中掺杂阳离子的计算机模拟
2007年
用缺陷化学方法讨论了Nd3+、Th4+、Sb5+掺杂PbWO4(PWO)中可能存在的杂质缺陷模型,用GULP软件计算了不同杂质缺陷的生成能.计算结果表明,Nd3+和Th4+将占据PWO晶体中VP2b-周围的Pb位,对VP2b-的电荷补偿抑制了PWO晶体中420 nm吸收带.Sb5+在高浓度掺杂时将占据PWO晶体中V2O+周围的W位,并由于占据W位所呈现的一价负电性补偿V2O+的正电性,使孤立的铅空位增多,引起350 nm吸收的减弱和420 nm吸收的增强.
田东升张启仁刘廷禹陈腾张秀彦
关键词:PBWO4晶体模拟计算
填隙氧离子对钨酸铅晶体光学性质的影响及绿光起源的研究被引量:4
2007年
应用GULP软件按照能量最低原理确定了钨酸铅(PWO)晶体中填隙氧离子的位置,再用CASTEP软件计算了完整PWO晶体和含有填隙氧离子的PWO晶体的总态密度、分态密度和吸收光谱.计算结果表明,填隙氧离子的存在不会造成PWO晶体可见光区的显著吸收;PWO晶体中的绿光中心可能起源于WO4+Oi.
张秀彦张启仁刘廷禹陈腾田东升
关键词:电子态密度
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