刘慧卿
- 作品数：18 被引量：63H指数：4
- 供职机构：北京真空电子技术研究所更多>>
- 发文基金：北京市教委资助项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术化学工程电子电信电气工程更多>>
- 热处理温度对陶瓷/金属封接强度的影响
- 对陶瓷电镀件进行不同温度的热处理后，分别用Cu、Ag和AgCu28焊料与可伐和无氧铜封接。随着热处理温度的提高，发现某些封接件的封接强度及封接界面的显微结构发生了改变。综合各种因素后提出热处理温度不能超过850℃。
- 刘慧卿程建黄亦工刘征
- 关键词：HEATTREATMENTCERAMICMETALSOLDER
- 陶瓷-金属封接二次金属化研究被引量：1
- 2017年
- 本文采用显微结构的分析方法和性能测试手段,以二次金属化层为研究对象开展工艺试验,对陶瓷-金属封接工艺进行了新的探讨。分析结果表明采用电镀Cu作为二次金属化层方案是可行的,并且提出了取消二次金属化层的建议。
- 何晓梅刘慧卿王晓宁赵崇霞张静丁一牧
- 关键词：显微结构分析陶瓷-金属封接
- 高导热AlN陶瓷材料制造及其应用研究被引量：11
- 2002年
- 对AlN陶瓷材料制备过程中影响其性能尤其是导热性能的诸多因素进行实验 ,摸索出一套较合理的制备工艺 ,制造出性能较稳定、导热率高的AlN陶瓷材料。观察了AlN陶瓷的微结构并得出某些结论。已加工出AlN陶瓷夹持杆、收集极和输出窗 ,在微波管上试用 ,取得一些经验。
- 李发刘征鲁燕萍刘慧卿高陇桥
- 关键词：AIN陶瓷微波管
- CaO-Y_2O_3添加剂对AlN陶瓷显微结构及性能的影响被引量：28
- 2002年
- 研究了掺杂ＣａＯ－Ｙ２Ｏ３热压烧结和常压烧结ＡｌＮ陶瓷的性能和显微结构．结果表明：热压烧结ＡｌＮ陶瓷的第二相为Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２，常压烧结ＡｌＮ陶瓷的第二相为Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２和Ｃａ３Ｙ２Ｏ６；热压烧结ＡｌＮ的第二相体积百分数和晶格氧含量均低于常压烧结；热压烧结ＡｌＮ陶瓷的微观结构良好，其热导率达到２００Ｗ／ｍ·Ｋ．
- 黄小丽马庆智李发刘慧卿
- 关键词：添加剂显微结构氮化铝陶瓷
- 晶界相和晶界对AlN陶瓷热导率的影响被引量：7
- 2002年
- 本文研究了掺杂CaO Y2 O3热压烧结和常压烧结AlN陶瓷的晶界相及其产生过程和除氧机制 ;分析了两种烧结工艺烧制的AlN陶瓷的晶界成份 ;
- 黄小丽马庆智郑永红李发刘慧卿
- 关键词：ALN陶瓷晶界相晶界电子陶瓷氮化铝陶瓷
- 热处理温度对陶瓷/金属封接强度的影响
- 2012年
- 通过对陶瓷电镀件进行不同温度的热处理后,分别用Cu、Ag和AgCu28焊料与可伐和无氧铜封接。随着热处理温度的提高,发现某些封接件的封接强度及封接界面的显微结构发生了改变。综合各种因素后提出热处理温度不能超过850℃。
- 刘慧卿程建黄亦工刘征
- 关键词：热处理温度陶瓷金属焊料
- 焊料与金属材料对陶瓷/金属封接强度的影响被引量：4
- 2012年
- 对焊料与金属材料对陶瓷/金属封接强度的影响进行了初步分析与探讨。发现:用AuCu、AuNi焊料焊接陶瓷/可伐时,因为封接件的断裂模式为大量Mo-Ni分层,所以平均封接强度只有80MPa;用AgCu、PdAgCu焊料焊接陶瓷/可伐时,封接件的断裂模式为Mo-Mo分层或Mo-Ni分层,平均封接强度在100MPa左右;用Ag、Cu焊料焊接陶瓷/可伐时,封接件的断裂模式为粘瓷或瓷断,平均封接强度达150MPa。用AgCu、PdAgCu、AuCu焊料焊接陶瓷/无氧铜时,因为封接件的断裂模式为粘瓷或瓷断,所以平均封接强度在150MPa左右,比用同种焊料焊接陶瓷/可伐时最高提高了80%。
- 程建刘慧卿崔颖韦艳
- 关键词：封接强度焊料金属
- 高热导率(≥200W/m·K)AIN陶瓷的制备被引量：1
- 2001年
- 目前,散热问题已成为电子器件的发展技术关键之一,因而选用热导率高且安全无污染的陶瓷材料成为电子器件发展的主要方向。本实验主要介绍了采用优质AIN粉体经热压烧结的方法,获得了高热导率(≥200W/m·K)且介电性能良好的AIN陶瓷的制备工艺与配方。
- 刘慧卿刘征
- 关键词：热导率热压烧结氮化铝陶瓷
- 钼锰金属化活化剂各成分对物相变化的影响被引量：4
- 2008年
- 对于钙铝硅系95%氧化铝瓷的钼锰金属化,本文分析两个配方活化剂中锰、二氧化硅、氧化铝、氧化钙分别所起的作用。通过实验证明,只有合适的活化剂配方,才能得到几乎没有晶相的玻璃相。
- 黄亦工蔡安富刘亚琴刘慧卿
- 关键词：金属化活化剂
- 陶瓷-金属封接的化学镀镍工艺被引量：4
- 2006年
- 讨论了陶瓷-金属封接中化学镀镍与电镀镍工艺及相互之间的区别
- 刘慧卿
- 关键词：陶瓷-金属封接电镀镍化学镀镍抗拉强度
