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刘永跃
作品数:
4
被引量:2
H指数:1
供职机构:
武汉大学物理科学与技术学院
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
化学工程
理学
文化科学
电子电信
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合作作者
漆宗能
中国科学院化学研究所
王采林
武汉大学物理科学与技术学院物理...
王少阶
武汉大学物理科学与技术学院物理...
吴波
武汉大学物理科学与技术学院物理...
宋五洲
武汉大学物理科学与技术学院
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双机通信
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通信
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物理演示
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相变
机构
3篇
武汉大学
2篇
中国科学院
作者
4篇
刘永跃
2篇
王采林
2篇
漆宗能
1篇
周殿清
1篇
田在荣
1篇
吴波
1篇
吴波
1篇
蔡光旭
1篇
黄晓华
1篇
宋五洲
1篇
王少阶
传媒
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上饶师范学院...
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武汉大学学报...
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2001年全...
年份
1篇
2011
1篇
2001
2篇
1995
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HIPS的γ辐照效应的正电子寿命谱研究
被引量:2
1995年
测量了高强度聚苯乙烯(HIPS)的正电子寿命谱随γ辐照剂量的变化,观察到自由体积孔洞的平均半径随辐照剂量的增加而基本不变,且自由体积孔洞的浓度和半径分布宽度随辐照剂量的增加而减小.这一实验结果表明,γ辐照后高强度聚苯乙烯力学性能的改善与自由体积特性的变化相关联.
吴波
王采林
刘永跃
王少阶
漆宗能
关键词:
Γ辐照
正电子寿命
高聚物
自由体积
用正电子湮没研究γ辐照和压力驰豫对聚苯乙烯自由体积特性的影响
1995年
在γ辐照0~40Mrad的范围内测量了高强度聚苯乙烯(highimpactpolystyrene,HIPS)的正电子湮没寿命谱,发现随着辐照剂量的增加,o-Ps寿命τ3基本不变(约为1.98ns),而o-Ps强度Ⅰ3下降;当辐照剂量由20Mrad上升到40Mrad时,自由体积孔洞的半径分布宽度变窄;此外,还测量了在压力驰豫期间HIPS的正电子湮没寿命谱,施加的静态压力为0,25,50MPa,发现τ3不随驰豫时间t变化(约为2.0ns),但Ⅰ3随时间下降。
吴波
王采林
刘永跃
王少阶
漆宗能
关键词:
正电子湮没
自由体积
单缝衍射光强分布数据计算机采集与显示
在《几何光学实验》中有对单缝衍射的光强分布和缝宽的测定.其中数据采集与控制部分主要由手动执行,误差较大.并且采集数据不够密集,不能精确反映实验现象.本文通过单片机与计算机联合使用,开发出了一套具有高速度,高精度的数据采集...
黄晓华
刘永跃
田在荣
关键词:
单缝衍射
数据采集
双机通信
文献传递
胆甾相液晶的热致光效应的物理演示
胆甾相液晶的螺距随温度升高为负增长,而且温度灵敏度S非常大,温度只要改变1.5℃,散射光可从红光变到紫光.利用AD590芯片作测温元件设计出智能精密控温系统,整合数码摄像和投影,实现了液晶的热致光效应的物理演示,成为一个...
蔡光旭
刘永跃
宋五洲
周殿清
关键词:
胆甾相液晶
相变
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