吴良才
- 作品数：131 被引量：34H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术金属学及工艺一般工业技术电子电信更多>>
- 室温下Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒在Si衬底上的化学自组装被引量：1
- 2008年
- 应用胶体化学的方法,在溶液中合成了Ⅱ-Ⅵ族化合物—CdSe,CdTe纳米晶粒.紫外-可见光吸收谱(ABS)和光致荧光谱(PL)显示Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒具有良好的单分散性.在室温下利用双功能分子在S i衬底表面组装了Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒,原子力显微镜图像和接触角实验证实,Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒已经自组装到了S i衬底表面,并且表面比较平整,纳米晶粒分布均匀.
- 赵伟明甘新慧戴明徐岭孙萍李卫马懿马忠元吴良才徐骏陈坤基
- 关键词：半导体纳米晶体自组装刻蚀
- 宽带隙半导体二极管作为选通管相变存储器及方法
- 本发明涉及一种利用宽带隙半导体二极管作为相变存储器的选通管及方法，其特征在于所述的相变存储器器件单元是由一个宽带隙半导体二极管和一个可逆相变存储介质构成。宽带隙半导体材料具有禁带宽度大、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电...
- 吴良才宋志棠倪鹤南
- 文献传递
- 一种抗辐照高可靠的相变存储器器件单元及其制作方法
- 本发明涉及一种抗辐照高可靠的相变存储器器件单元及其制作方法。该相变存储器的外围电路制作在抗辐照加固的衬底上。存储单元由一个可逆相变电阻和一个pn结二极管构成，形成1D1R结构。利用SiO<Sub>2</Sub>等介质材料...
- 宋志棠吴良才刘卫丽刘波封松林
- 文献传递
- 导电氧化物过渡层及含该过渡层的相变存储器单元
- 本发明提供一种导电氧化物过渡层及含该过渡层的相变存储器单元，该相变存储器单元包括位于底电极与硫系化合物薄膜层之间的导电氧化物过渡层，其厚度控制在2～10nm。所述导电氧化物过渡层具有良好的热稳定性；与介质材料、硫系化合物...
- 宋三年宋志棠刘波吴良才封松林
- 文献传递
- 锗纳米晶浮栅存储器的电荷存储特性
- 2007年
- Ge纳米晶嵌入高k介质中既可以提高器件的可靠性又可以降低写入电压和提高存储速度。本实验主要研究了用于非挥发存储器的含有Ge纳米晶MIS结构的电荷存储特性。MIS结构由电子束蒸发的方法制备,包括Al2O3控制栅,Al2O3中Ge纳米晶和Al2O3隧道氧化层。这种MIS结构在1MHz下的C-V特性表现出良好的电学性能,平带电压漂移为0.96V,电荷存储密度达到4.17×1012cm-2。不同频率下Ge纳米晶在Al2O3介质中电荷存储特性随着频率的增加,平带电压的漂移和存储的电荷数减小。随着扫描速率的增加,平带电压的漂移和存储电荷也减小。
- 刘奇斌宋志棠吴良才封松林
- Y‑Sb‑Te 相变材料、相变存储器单元及其制备方法
- 本发明提供一种Y‑Sb‑Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法，所述Y‑Sb‑Te相变材料为包括钇、锑及碲三种元素的化合物，所述Y‑Sb‑Te相变材料的化学式为Y<Sub>100‑x‑y</Sub>Sb<Sub>x</...
- 王勇饶峰宋志棠吴良才丁科元李涛
- 文献传递
- 一种相变存储材料及其制备方法
- 本发明公开了一种相变存储材料及其制备方法，该相变存储材料包括铝锑二元材料，所述铝锑二元材料的组成式为Al<Sub>x</Sub>Sb<Sub>1-x</Sub>，其中0<x<1；所述相变存储材料还包括对铝锑二...
- 李学来饶峰宋志棠任堃吴良才刘波刘卫丽
- 制备钛-锑-碲相变材料的方法及相变存储单元制备方法
- 本发明提供一种制备钛-锑-碲相变材料的方法及相变存储单元制备方法，包括：1）在基底上引入Sb的前驱体SbCl<Sub>3</Sub>脉冲，清洗未被吸收的的SbCl<Sub>3</Sub>，然后引入Te的前驱体(R<Sub...
- 宋三年宋志棠吴良才饶峰刘波朱敏
- 一种用于相变存储器的富锑高速相变材料及其制备方法和应用
- 本发明涉及微电子技术领域的金属元素掺杂的相变材料，尤其涉及一种用于相变存储器的富锑高速相变材料及其制备方法和应用。一种用于相变存储器的富锑高速相变材料，其化学通式为：<I>A</I><Sub><I>x</I></Sub>...
- 宋志棠吴良才彭程饶峰朱敏
- 降低相变存储器器件单元功耗的加热层及器件的制作方法
- 本发明涉及一种降低相变存储器器件单元功耗的加热层及器件的制作方法，属微电子领域。其特征在于：在底加热W电极与硫系化合物薄膜层之间加入一加热层，加热层厚度控制在2～3nm，可选择的加热层用的材料包括ZrO<Sub>2</S...
- 宋志棠饶峰吴良才封松林
- 文献传递
