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周树清

作品数：3 被引量：11H指数：2
供职机构：武汉科技大学更多>>
发文基金：湖北省自然科学基金更多>>
相关领域：金属学及工艺一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇金属学及工艺
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇硅钢片
  • 2篇PCVD
  • 1篇电工
  • 1篇电工材料
  • 1篇动力学
  • 1篇动力学研究
  • 1篇渗硅
  • 1篇涂层
  • 1篇硅钢
  • 1篇含硅量
  • 1篇SI
  • 1篇硅
  • 1篇CVD

机构

  • 3篇武汉科技大学

作者

  • 3篇周树清
  • 3篇王蕾
  • 3篇陈大凯

传媒

  • 1篇材料保护
  • 1篇热加工工艺
  • 1篇武汉科技大学...

年份

  • 3篇2000
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
PCVD法制作高硅硅钢片的研究被引量：5
2000年
用等离子体化学气相沉积方法 (PCVD) ,在 0 .1～ 0 .3mm厚的普通硅钢片表面涂硅 ,再进行短时间高温扩散 ,使硅钢平均含硅量达 6 .5 % ,磁性能超过或达到冷轧取向硅钢水平。
王蕾周树清陈大凯
关键词：硅钢PCVD涂层CVD含硅量
PCVD涂硅的动力学研究被引量：1
2000年
采用等离子体化学气相沉积（ＰＣＶＤ）法，在０．１～０．３ ｍｍ厚的普通硅钢片表面涂硅，再进行短时间高温扩散，使硅钢片的合Ｓｉ量增加到６．５％，铁损Ｐ１０／５０比原来钢片降低５０％，其他磁性能也大有改善。试验结果表明，在４６０～６００℃涂硅，其他条件不变，涂硅速度随温度升高而降低，并对等离子体反应的动力学和热力学进行了研究。
王蕾周树清陈大凯
关键词：动力学硅钢片
PCVD法渗Si的研究被引量：8
2000年
为解决硅含量超过 3.5 %的硅钢片无法轧制成薄片的矛盾 ,探讨用等离子体化学气相沉积法 (PCVD法 ) ,在 (0 .1～ 0 .3) mm厚的普通硅钢片表面涂硅 ,然后进行短时间高温扩散 ,使硅钢片平均含硅量达 6 .5 % ,磁性能达到或超过冷轧取向硅钢片性能。
王蕾周树清陈大凯
关键词：硅钢片渗硅电工材料
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共1页<1>
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