夏焕雄
- 作品数:21 被引量:29H指数:2
- 供职机构:清华大学更多>>
- 发文基金:国家科技重大专项更多>>
- 相关领域:一般工业技术电子电信机械工程理学更多>>
- 一种可快速精细调节温度场空间分布的加热盘及控制方法
- 本发明涉及一种可快速精细调节温度场空间分布的加热盘及控制方法,属于加热盘的精细控制技术领域。在加热盘金属基体上设置若干个隔热层,隔热层将加热盘金属机体分成不同直径的环形或扇形区域;在加热盘金属基体内部、各隔热层分隔的环形...
- 向东杨旺夏焕雄牟鹏张瀚王伟刘学平
- 文献传递
- 用于工艺腔室的基台及其控制方法、托盘及其设计方法
- 本发明公开了一种用于工艺腔室的基台及其控制方法、托盘及其设计方法。其中所述托盘包括:绝缘隔热层,绝缘隔热层在同一平面上组成多个相互绝缘和/或隔热的子区域;多个子基底,多个子基底分别设置在多个相互绝缘和/或隔热的子区域中,...
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- 用于工艺腔室的基台及其控制方法、托盘及其设计方法
- 本发明公开了一种用于工艺腔室的基台及其控制方法、托盘及其设计方法。其中所述托盘包括:绝缘隔热层,绝缘隔热层在同一平面上组成多个相互绝缘和/或隔热的子区域;多个子基底,多个子基底分别设置在多个相互绝缘和/或隔热的子区域中,...
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- 一种可用于功率场空间分布精细控制的基台及控制方法
- 本发明涉及一种可用于功率场空间分布精细控制的基台及控制方法,属于化学气相沉积技术领域。在基台金属基底上设置若干个绝缘层,绝缘层将基台金属基底分成不同直径的环形或扇形区域;在基台金属基底内部、各绝缘层分隔的环形或扇形区域内...
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- 薄膜沉积反应腔室多场建模及轮廓调控方法研究
- 薄膜沉积工艺是半导体制造、MEMS、表面工程等领域的基础工艺。等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是重要的薄膜沉积工艺方法之一,其工艺系统涉及复杂多场耦合及化学反应过程。目前PECVD反应腔室设计与工艺调控的研究普遍依...
- 夏焕雄
- 关键词:PECVD多场耦合
- 工艺腔室温度场轮廓特性分析及传热结构设计被引量:2
- 2016年
- 反应腔室晶片表面温度分布是影响薄膜沉积均匀性的重要因素。本文以载有晶片的典型化学气相沉积反应腔室为研究对象,考虑了晶片与加热盘之间的微小间隙导致的低压下流固接触面的温度跳跃现象,建立了腔室温度仿真模型。通过模型和实验研究了腔室气压和气体流量对晶片表面温度分布的影响,并研究了温度分布轮廓的调节方法及传热结构设计。研究结果表明,晶圆表面平均温度随气压的增加而增加,随气体流量的增加而降低,晶片从中心到边缘温度分布轮廓存在下降的趋势。通过在加热盘和晶片之间加入阻抗介质,可以有效调节晶片表面温度分布轮廓。本文最后通过仿真手段,得到了能使晶片表面温度均匀分布的阻抗介质表面形状。本文的研究结果对指导腔室结构设计和工艺控制具有重要意义。
- 杨旺刘学平夏焕雄向东牟鹏
- 宏观自洽的Monte Carlo方法及其应用被引量:1
- 2013年
- 传统Monte Carlo方法在模拟系统微观行为时较少考虑系统大尺度上的宏观状态,因而需要通过大量样本的抽样模拟,才能使模拟结果与系统宏观状态自洽,这使其在大空间、多元素的系统模拟方面计算代价令人难以接受。该文提出了一种宏观自洽的Monte Carlo方法。该方法首先在大尺度上通过宏观分析方法快速廉价地模拟系统宏观时空演变过程,得到各时刻、各空间位置系统元素的宏观统计信息及随机分布参数;然后在微观模拟时综合此时刻当地宏观信息,进而在保证一定模拟精度和信息量的前提下降低了微观模拟的复杂度。利用该Monte Carlo方法针对等离子辅助化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)清洗刻蚀工艺,模拟了氟活性原子通过2种台阶形结构倒置的喷淋头小孔的微观过程,分别得到了其壁面吸收率及出口存活率。研究结果定性判定大圆向上的台阶形小孔设计有利于氟活性原子通过。
- 夏焕雄向东牟鹏瞿德刚
- 关键词:MONTE数值模拟
- 一种用于调节温度和功率空间分布的梯度阻抗模块
- 本发明属于化学气相沉积工艺腔室物理场耦合技术领域,特别涉及一种用于调节温度和功率空间分布的梯度阻抗模块。该阻抗模块设置在化学气相沉积设备的基台和衬底之间,阻抗模块由阻抗模块绝缘隔热层分隔为若干个阻抗介质区;阻抗模块一侧为...
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- 一种面向工艺腔室气流分布调节的CVD设备喷淋头
- 本发明涉及一种化学气相沉积设备领域,特别涉及一种面向工艺腔室气流分布调节的CVD设备喷淋头。该喷淋头上设置若干个台阶形的喷淋孔,喷淋孔由上部直径较大的圆孔和下部直径较小的圆孔构成;通过使台阶深度、大孔孔径、小孔孔径中的一...
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- 面向布气均匀性的竖直式喷淋头布气系统优化设计
- 2014年
- 竖直式喷淋头布气系统在半导体工艺腔室类设备中广为采用,其布气均匀性是决定半导体工艺均匀性的关键因素之一。以布气均匀性为驱动,对竖直式喷淋头布气系统进行优化设计。在优化策略设计中为解决传统参数优化方法优化喷淋头多孔板面时需要预先确定拓扑结构、人为缩小参数空间造成系统分辨率低的问题,提出描述喷淋头多孔板面等效阻抗模型,将喷淋头板面小孔结构和布局的优化问题转换为喷淋头板面对气体流动的阻抗特性优化问题,进而建立了高分辨率的喷淋头板面阻抗分布优化模型。优化的喷淋头板面阻抗分布使得喷淋头的布气不均匀性(在N2质量流量1.041 7×10^–4 kg/s、腔室压力266Pa典型工艺条件下)由0.36%降低至0.03%。采用CFD数值试验对优化的竖直式喷淋头布气系统在入口气体质量流量6.250 0×10^–5-1.666 7×10^–4 kg/s、腔室压力133-665 Pa的工艺范围内进行测试,结果表明:优化的喷淋头系统布气效果均优于对照的喷淋头系统,其布气不均匀性均好于0.35%。针对喷淋头板面小孔布局及结构,列举3种拓扑调整方案,并根据阻抗优化结果给出对应的优化的几何配置实例。
- 夏焕雄向东牟鹏
- 关键词:多孔介质优化设计