您的位置: 专家智库 > >

孙震海

作品数:4 被引量:5H指数:1
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电路
  • 1篇氧化硅
  • 1篇清洗工艺
  • 1篇理论和实验研...
  • 1篇集成电路
  • 1篇二氧化硅
  • 1篇NUMERI...
  • 1篇WSIX
  • 1篇
  • 1篇WETTAB...
  • 1篇DETACH...

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇孙震海
  • 1篇陶凯
  • 1篇孙凌

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇半导体技术

年份

  • 3篇2008
  • 1篇2006
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
WSix沉积前清洗中一种失效现象及改进方法被引量:1
2008年
研究并讨论了在WSix制备的前清洗中,用气态氟化氢(HF)清洗时,多晶硅表面有从其体内析出的含磷物,这种析出物很容易跟气态HF中的微量水汽结合,形成HPO3晶体。这样的晶体在Si片表面不容易被检测到,却可以很大程度地影响芯片的良率。本系统观测了这一现象,解释了这种失效的机制,并且给出这种失效模式的解决方案。
孙震海郭国超韩瑞津
利用ISSG退火技术实现沉积二氧化硅薄膜平坦化被引量:3
2006年
利用现场水汽生成(in-situsteamgeneration,ISSG)退火这种新型的低压快速氧化热退火技术,在对沉积二氧化硅薄膜热退火的同时进行补偿氧化生长,最终实现了沉积二氧化硅薄膜的平坦化.实验数据表明,ISSG退火补偿生长后整个晶圆表面的薄膜厚度波动(最大值与最小值之差)从0·76nm降到了0·16nm,49点厚度值的标准偏差从0·25nm降到了0·04nm.同时,薄膜的隧穿场强增加到4·3MV/cm,硅氧界面与传统的氧气快速退火工艺相比更为良好.实验结果为二氧化硅薄膜平坦化提供了新的思路,对实际生产具有重要意义.
陶凯孙震海孙凌郭国超
Numerical Study on Hydrodynamic Forces for Micro Particle Detachment by Droplet Impact被引量:1
2008年
This paper presents the results of a numerical investigation of micro-sized particle removal by droplet impact. Computational fluid dynamics simulation is used to calculate the flow distribution of droplet impact on a flat surface. The hydrodynamic forces exerted on the particle are then computed. Key factors controlling particle removal are discussed. Both hydrophilic and hydrophobic surfaces are considered. The flow distributions,especially the front edge expanding upon impact at microscale,strongly depend on surface wettability. The associated hydrodynamic forces on the particles vary accordingly. In addition, the impact on a dry surface can produce higher removal efficiency than that on a wet surface. Under the same impact conditions, the drag force exerted on a particle residing on a dry surface can be three orders of magnitudes larger than on a wet surface. Improving droplet impact velocity is more effective than improving droplet size.
孙震海韩瑞津
关键词:WETTABILITY
先进喷射清洗工艺去除颗粒污染的理论和实验研究
清洗工艺是集成电路制造中重复频率最高的步骤,随着器件的不断微缩,清洗工艺对器件的影响越来越明显,对清洗工艺的精确控制成为器件进一步微缩的必要条件。应用于超深亚微米(90nm以下)的清洗工艺,在保证高的清洗效率的前提下,必...
孙震海
关键词:集成电路
共1页<1>
聚类工具0