宗原
- 作品数：41 被引量：42H指数：4
- 供职机构：华东理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：化学工程理学一般工业技术动力工程及工程热物理更多>>
- 一种交互式商品销售平台
- 本发明公开了一种交互式商品销售平台，包括：采购管理模块，用于根据补货提醒从国内各产能地区和生产方采购商品；所述商品为可降解产品；商品管理模块，用于对商品进行分类；订单管理模块，用于对订单状态进行操作管理；站点管理模块，用...
- 谢思远宗原游明杰柯文旺
- 一种冷氢化流化床用气体分布板及其冷氢化流化床结构
- 本发明公开了一种冷氢化流化床用气体分布板及其冷氢化流化床结构，包括罐体、分别设置在所述罐体底部和顶部的物料进口和气体出口、设置在所述罐体内部的且位于所述物料出口上方的多个板体以及设置在所述板体上方并与外界连通的硅粉入口，...
- 宗原赵玲童贵王宁陈皓宁
- 一种用于反应挤出过程的双螺杆挤出机虚拟设计平台
- 本发明公开了一种可用于反应挤出过程的双螺杆挤出机虚拟设计平台。该设计平台包括：基于Visual Basic采用Javascript脚本语言进行编程，自底向上对挤出元件模块进行参数化构建，并利用旋转、平移特征编译完成整体螺...
- 赵玲宗原唐豪王晓强
- 文献传递
- 热塑性弹性体的超临界流体发泡方法及其产品、应用
- 本发明公开了一种热塑性弹性体的超临界流体发泡方法及其产品、应用。该热塑性弹性体发泡材料的制备方法的步骤如下：(1)将热塑性弹性体材料在模腔中升温至发泡温度；其中，发泡温度为(T<Sub>g</Sub>+180℃)～(T<...
- 赵玲陈弋翀刘涛胡冬冬吴楷文许志美奚桢浩宗原凌轶杰
- 文献传递
- 基于喷动床技术的超临界CO2聚氨酯珠粒发泡工艺
- 2020年
- 以热塑性聚氨酯为原料,超临界CO2为发泡剂,通过喷动床发泡技术制备了热塑性聚氨酯发泡珠粒,考察了CO2流速、饱和温度、饱和压力、泄压速率对珠粒发泡行为的影响。结果表明,珠粒发泡均匀性先随着CO2流速上升而上升,之后基本不变,表明形成稳定喷动后流速的提升对珠粒发泡均匀性无改善作用。珠粒发泡倍率随着饱和温度和饱和压力的提高先上升后下降,随着泄压速率的提高而提高。饱和温度的提高使泡孔密度下降,泡孔直径增大,饱和压力和泄压速率的提高使泡孔密度上升,泡孔直径下降。当CO2流速为0.012 m/s、饱和温度为150℃、饱和压力为10 MPa、泄压速率为20 MPa/s时,珠粒发泡倍率最大,达到9倍,泡孔密度为1.13×107个/cm3,平均泡孔直径为82.3μm。
- 夏成志陈弋翀许志美宗原刘涛赵玲
- 关键词：喷动床超临界CO2热塑性聚氨酯
- 一种用于制备聚合物发泡材料的方法和装置
- 本发明公开了一种用于制备聚合物发泡材料的方法和装置。该装置包含：一饱和单元，用于将聚合物颗粒在物理发泡剂中进行饱和；一发泡单元，用于将所述饱和单元中饱和完成后的聚合物颗粒进行发泡；一加料单元，用于将所述聚合物颗粒转移至所...
- 赵玲许志美刘涛姚舜宗原胡冬冬
- 文献传递
- 一种乙烯裂解炉用传热强化热交换管
- 本发明涉及一种用于管式裂解炉的新型强化传热热交换管，该新型热交换管按照一定间距安装数对中国专利号CN200610152587所公开的中空立交盘和扭曲片静态混合器的组合，合适数量的新型热交换管安装在易发生结焦的高温管段。管...
- 宗原赵玲柏德鸿刘兆彦
- 文献传递
- 反应挤出过程的三维数值模拟及其在芳纶聚合中的应用
- 缩聚反应挤出过程的螺杆结构需随着反应进程相应变化才能高效稳定地生产高分子量、高品质的产品。采用有限元数值方法，构建了同向旋转双螺杆中反应挤出过程的三维数值模型，较系统地模拟分析了挤出设备中流场与反应之间的相互关系。提出了...
- 赵玲唐豪宗原
- 关键词：螺杆结构
- 基于MP-PIC方法的冶金硅氢氯化流化床反应器模拟被引量：2
- 2022年
- 冶金硅氢氯化流化床是目前多晶硅生产工艺中实现四氯化硅(silicontetrachloride,STC)循环利用的关键反应器。基于MP-PIC方法建立了冶金硅氢氯化流化床反应器模型。模型中反应源项采用总包反应动力学进行计算。在网格以及计算颗粒包含的真实颗粒数量无关性检验的基础上,对反应器内三氯氢硅(trichlorosilane,TCS)初始浓度进行了无关性检验。模型验证结果表明,模拟结果与实验值符合良好。反应器特征分析结果表明:TCS产率受化学平衡与气固两相流动因素共同控制;反应器操作压力对TCS产率的影响较小;提高进口H_(2)/STC摩尔比,可以提高TCS产率但会降低H_(2)的转化率。
- 吴诗鸣陈皓宁宗原许志美赵玲
- 关键词：多晶硅流化床反应器计算流体力学
- 超临界二氧化碳介质中晶圆清洗与选择性刻蚀研究进展
- 2024年
- 随着集成电路特征尺寸的逐渐减小,器件结构会要求更高的纵横比,常规湿法清洗由于表面张力很难进入晶圆深沟槽结构内部,不能满足更细线条工艺要求和高深宽比结构,直接影响沟槽内的污染物去除效果;常规湿法刻蚀各向异性差、结构坍塌严重、深沟槽刻蚀效果不明显;而等离子体干法刻蚀则存在刻蚀速率慢、光刻胶脱落和黏附、结构损伤、废气处理等一系列问题。超临界清洗和刻蚀技术是最具有前景的环境友好、无损伤技术,能够耦合刻蚀、清洗与干燥工艺为一体,且可以循环使用,安全环保,是晶圆制造过程中常规清洗和刻蚀的首选替代技术。综述了超临界二氧化碳中晶圆清洗与选择性刻蚀的研究进展,重点介绍了超临界二氧化碳共溶剂、微乳液体系在光刻胶剥离以及含硅基底选择性蚀刻中的应用,展望了超临界二氧化碳晶圆清洗和刻蚀存在的问题和发展趋势。
- 张泽欣郑伟中徐益升胡冬冬卓欣宇宗原孙伟振赵玲
- 关键词：晶圆清洗超临界二氧化碳超临界流体微乳液
