常超
- 作品数：45 被引量：29H指数：4
- 供职机构：西安交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程文化科学更多>>
- 一种提高高功率微波传输器件击穿阈值的装置及方法
- 本发明公开了一种高击穿阈值的高功率微波传输装置及方法，装置包括一个内表面镀纳米多孔合金材料的圆波导，圆波导的两端设置有活动闸板式真空截止阀；圆波导内部镀有纳米多孔复合材料，可以吸附波导和微波系统中的气体、抑制高功率微波作...
- 常超桂猷猷伍成邵浩孙钧
- 文献传递
- 我国可转换债券特性及其投资选择研究
- 常超
- 关键词：可转换公司债券特性分析
- 高功率微波传输通道击穿诊断研究被引量：4
- 2015年
- 高功率微波(HPM)器件在强电磁场作用下的击穿是限制HPM系统功率容量的主要因素之一,是HPM技术进步的瓶颈和国际性的技术挑战。本文开展了纳秒脉冲宽度、吉瓦高功率微波传输通道内击穿发光诊断实验,通过纳秒级响应的四分幅ICCD相机和光电倍增管研究了等离子体可见光和X射线发射的时间及空间发展规律。实验发现HPM通道在传输纳秒微波脉冲时有大量可见光,可能的原因是HPM源的乏电子束轰击收集极的金属表面轫致辐射连续谱的光子在波导内多次反射的结果。通过光电倍增管探测了微波源X射线幅度分布,确认了收集极存在较高能量X射线的结果。
- 常超郭乐田孙钧魏福利周海生刘彦升曹亦兵曾鹏王东阳谢晋
- 关键词：高功率微波传输通道击穿
- 微波功率分配器、合成器以及分配合成器
- 本发明涉及一种微波功率分配器、微波功率合成器和微波功率分配合成器，上述微波功率分配器包括：第一圆波导，接收微波并将微波传输至第三圆波导；第二圆波导，与第三圆波导相连，并维持短路状态；第三圆波导，与第一矩波导、第二矩波导和...
- 常超郭乐田孙钧肖仁珍武晓龙
- 文献传递
- 在横磁电磁场模式下抑制介质表面二次电子倍增的方法
- 本发明公开一种在横磁电磁场模式下抑制介质表面二次电子倍增的方法，所述方法包括：根据二次电子发射产额曲线的第一交叉点，确定磁场的回旋频率，二次电子发射产额曲线由介质表面材料确定；根据磁场的回旋频率，在介质表面施加磁场，介质...
- 常超李爽孙钧郭乐田武晓龙谢佳玲
- 一种紧凑型两路高功率容量的微波功率合成器
- 紧凑型两路高功率容量的微波功率合成器，由两个通过H面连接的过模矩形波导、一个在E面耦合的圆波导以及设置在矩形波导腔内曲面形匹配结构构成。在频率范围4.2GHz～4.3GHz时，两个矩形波导端口之间高度隔离（隔离度大于30...
- 常超黄文华陈昌华孙钧熊正锋
- 文献传递
- 时变等离子体高功率微波频率上转换的粒子模拟被引量：1
- 2017年
- 基于电磁波与时变介质相互作用能够实现电磁波频率上转换的原理,通过粒子模拟(PIC)方法对电磁波与时变等离子体薄层相互作用进行模拟,实现了频率由2.45GHz提升至130GHz,功率转化效率约为0.39%。探究了等离子体参数(包括等离子体密度、有限的等离子体上升时间以及等离子体薄层厚度)对频率上转换的影响。模拟结果验证了等离子体密度决定上转换频率,与理论结果相符。模拟结果表明,等离子体薄层厚度越大,得到的上转换波的能量越大;等离子体的上升时间越小,上转换波的转换效率和频谱纯度越高。采用等离子体密度2×10^(20)cm^(-3),等离子体厚度1cm,等离子体上升时间0.04ns可以得到可观的130GHz上转换波输出。
- 高明珠陈坤常超刘纯亮
- 关键词：频率上转换等离子体参数
- 微波模式转换器
- 本发明提供了一种微波模式转换器，该微波模式转换器包括输入圆波导、耦合圆波导、短路圆波导、第一短路矩形波导、第二短路矩形波导以及输出矩形波导；该耦合圆波导，与该输入圆波导、该短路圆波导均相连且位于两者之间；该第一短路矩形波...
- 常超郭乐田孙钧宋志敏崔新红
- 文献传递
- 微波模式转换器
- 本发明提供了一种微波模式转换器，该微波模式转换器包括输入圆波导、耦合圆波导、短路圆波导、第一短路矩形波导、第二短路矩形波导以及输出矩形波导；该耦合圆波导，与该输入圆波导、该短路圆波导均相连且位于两者之间；该第一短路矩形波...
- 常超郭乐田孙钧宋志敏崔新红
- 文献传递
- X波段馈源输出窗高功率微波击穿实验装置被引量：5
- 2010年
- 为了开展高功率微波（HPM）馈源输出窗介质击穿实验研究,设计了一种组合型X波段高功率微波（HPM）喇叭馈源击穿实验装置。装置采用变张角喇叭与可移动介质输出窗组合的结构,通过调节变张角喇叭口面与输出窗间的距离,使得介质输出窗内表面电场强度可调。数值模拟结果表明：在满足馈源喇叭驻波比小于1.15,E面和H面基本等化的情况下,当调节变张角喇叭口面与介质输出窗距离在0-400 mm范围内变化时,HPM馈源输出窗上的电场强度变化为32.6-87.0 kV.cm^-1,满足了在真空度3×10＾-3Pa、脉冲宽度20 ns条件下,HPM介质击穿对电场强度变化的要求。根据数值模拟结果,设计加工了HPM介质击穿实验装置,并成功地应用于GW级HPM馈源输出窗介质击穿实验研究。
- 张治强秋实方进勇张庆元侯青常超焦永昌
- 关键词：高功率微波介质击穿馈源输出窗方向图
