庄米雪
- 作品数：6 被引量：1H指数：1
- 供职机构：广东工业大学更多>>
- 发文基金：广东省教育部产学研结合项目广州市科技计划项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 一种ZnS<Sub>1-x</Sub>Se<Sub>x</Sub>半导体薄膜的制备方法
- 本发明公开了一种ZnS<Sub>1-x</Sub>Se<Sub>x</Sub>半导体薄膜的制备方法，采用化学水浴沉积法，以硫酸锌作为Zn<Sup>2+</Sup>源，以硫脲作为S<Sup>2-</Sup>源，以硒代硫酸钠...
- 刘俊刘军魏爱香庄米雪
- 一种ZnS<Sub>1-x</Sub>Se<Sub>x</Sub>半导体薄膜的制备方法
- 本发明公开了一种ZnS<Sub>1-x</Sub>Se<Sub>x</Sub>半导体薄膜的制备方法，采用化学水浴沉积法，以硫酸锌作为Zn<Sup>2+</Sup>源，以硫脲作为S<Sup>2-</Sup>源，以硒代硫酸钠...
- 刘俊刘军魏爱香庄米雪
- 文献传递
- ZnS薄膜制备和光学性能研究被引量：1
- 2013年
- 采用化学水浴法,以硫酸锌、硫脲、联氨、氨水和去离子水为反应前驱物制备ZnS薄膜。采用SEM、EDS、XRD和透射光谱分析方法,研究反应前驱物中氨水以及联氨的浓度对ZnS薄膜形貌、成分、结构和光学性能的影响,同时对ZnS薄膜的形成机理做进一步分析。结果表明:ZnS薄膜由纳米颗粒组成,这些ZnS纳米颗粒为非晶态结构。ZnS薄膜中S与Zn原子比最大为0.79∶1,薄膜中夹杂少量ZnO或Zn(OH)2。ZnS薄膜在可见光波段的透过率大于80%,禁带宽度为3.74～3.84 eV。氨水和联氨浓度对薄膜形貌、成分和光学性能有较大的影响。当反应前驱物中氨水浓度为0.5～0.8 mol/L、联氨浓度为0.5～1.0 mol/L时,溶液中的化学反应以在衬底上发生的离子-离子反应占主导作用,能在衬底上形成致密且颗粒大小分布均匀的ZnS薄膜,S与Zn的原子比接近1∶1。
- 刘军魏爱香庄米雪招瑜
- 关键词：太阳电池ZNS薄膜表面形貌光学带隙
- 铜铟硫半导体薄膜的制备及其在太阳能电池上的应用
- 铜铟硫（CuInS2，简称CIS）薄膜为Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ三元化合物半导体材料，其禁带宽度为1.53 eV，与太阳能电池材料所需最佳禁带宽度(1.45 eV)相接近，其吸收系数在可见光范围内高达105 cm-1，仅需1～2μm的...
- 庄米雪
- 关键词：太阳能电池半导体薄膜
- 文献传递
- 氨水浓度对化学浴沉积的Zn(O,S)薄膜形貌、结构和性能的影响
- 2012年
- 采用化学浴法,以ZnSO4.7H2O和SC(NH2)2作为反应前驱物,C6H5O7Na3.2H2O作为络合剂,NH3.H2O作为辅助络合剂和缓冲剂制备Zn(O,S)薄膜。采用SEM、EDS、XPS、XRD和透射光谱分析方法,研究氨水浓度对化学浴法制备的Zn(O,S)薄膜形貌、成分、结构和光学性能的影响以及Zn(O,S)薄膜的形成机理。结果表明:Zn(O,S)薄膜是由ZnO和ZnS纳米颗粒混合组成的,ZnO具有纤锌矿结构,ZnS是以非晶相存在。随着反应溶液中氨水浓度的降低,薄膜中所包含的ZnO逐渐减少,ZnS逐渐增加,S/Zn原子比逐渐增加,透射率和光学带隙也逐渐增大。
- 刘军魏爱香招瑜刘俊庄米雪
- 关键词：透射率光学带隙
- CuInS2纳米纸阵列薄膜的制备及生长机理
- 2014年
- 采用溶剂热合成技术,以氯化铜、硝酸铟和硫脲为反应物,十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为阳离子表面活性剂,草酸为还原剂,无水乙醇为溶剂,直接在掺氟的SnO2透明导电玻璃(FTO)衬底上合成CuInS2(CIS)薄膜.采用扫描电子显微镜(SEM)、高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)、X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、能量色散谱(EDS)、紫外-可见(UV-Vis)反射光谱和透射光谱对样品的形貌、结构、成分和光学性能进行分析.结果表明,在适当的反应物浓度下,在FTO衬底上形成了垂直衬底生长的、具有良好结晶性能的黄铜矿结构的CIS纳米纸阵列薄膜.CIS薄膜中Cu,In,S的原子比为1.1∶1∶2.09,在紫外-可见和近红外波段具有良好的光吸收特性,禁带宽度约1.51 eV.结合不同反应时间制备的CIS薄膜的形貌、结构和成分分析,讨论了CIS纳米纸阵列薄膜的生长机理.
- 庄米雪魏爱香刘俊颜志强招瑜
