成鹏飞
- 作品数：103 被引量：171H指数：8
- 供职机构：西安工程大学理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金博士科研启动基金陕西省教育厅科研计划项目更多>>
- 相关领域：电气工程一般工业技术理学化学工程更多>>
- 基于思政育人导向的电动力学课程教学实践与反思被引量：1
- 2022年
- 电动力学是应用物理学和光电信息类本科专业一门必修的学科基础课。在国家课程思政教学改革的大背景下,该文就电动力学课程教学,结合研究现状和自身教学实践,对目前存在的问题进行剖析,并提出改革措施,同时强调思政育人导向对教师和学生的双向作用。这一教学改革的实践和探索,对专业课程思政育人课堂效果的提高有明显的促进作用。
- 成鹏飞王晓娟王军马保科程琳韩小祥
- 关键词：电动力学课程教学
- 稀土氧化物掺杂的ZnO－Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>系压敏陶瓷生料制备工艺
- 本发明公开了一种稀土氧化物掺杂的ZnO-Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>系压敏陶瓷的生料制备工艺，将所有添加组分直接与主料ZnO混合球磨造粒，再压制成生坯，经排胶后以100～200℃/小时的速率从室...
- 李盛涛成鹏飞
- 文献传递
- 稀土氧化物掺杂ZnO压敏陶瓷的介电性能
- 本文在-130～20 ℃范围内测量了ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷的介电谱，发现ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷同时包含两种损耗峰，这两种损耗峰分别对应于V()o和Zn()i，但以V()o所形成的损耗峰为主;稀土氧化物不改变特...
- 李盛涛成鹏飞李建英赵雷
- 关键词：ZNO压敏陶瓷介电性能老化过程
- 文献传递
- 三维多层纳米氧化锌的制备方法
- 本发明公开的三维多层纳米氧化锌的制备方法，具体按照以下步骤实施：1)分别称取乙酸锌和氢氧化钾；2)将称取的乙酸锌和氢氧化钾分别溶解于去离子水中，配制成乙酸锌溶液和氢氧化钾溶液；3)将配制的乙酸锌溶液和氢氧化钾溶液充分混合...
- 余花娃王晶严祥安成鹏飞夏蔡娟刘汉臣张英堂伍刚
- 文献传递
- 基于深度神经网络的焊缝X射线图像缺陷检测与识别方法
- 本发明公开了一种基于深度神经网络的焊缝X射线图像缺陷检测与识别方法，该方法包括以下步骤：获取焊缝X射线图像的开源数据集并创建相应的标签文件‑采用中值滤波进行预处理‑将预处理后图像进行划分‑进行训练‑在Neck层嵌入注意力...
- 姚家辉王九鑫董琪刘心如刘嫚苏耀恒成鹏飞卢定泽
- ZnO压敏陶瓷介电损耗的温度谱研究被引量：12
- 2009年
- 利用Novocontrol宽频介电谱仪在-100—20℃温度范围内测量了ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷的介电频谱,其频率范围为10-2—106Hz.研究表明:ZnO压敏陶瓷特征损耗峰的活化能分别为0.26和0.36eV,结合实验条件、理论计算结果及其他现象的分析排除了特征损耗峰源于阴极电子注入、夹层极化和偶极子转向极化的可能.热刺激电流(TSC)谱共出现三个峰,其中高温峰对应于TSC实验加压过程引入的热离子极化,而中温峰和低温峰对应于介电损耗峰.在分析的基础上,提出了ZnO压敏陶瓷的特征损耗峰起源于耗尽层内本征缺陷的电子弛豫过程.
- 成鹏飞李盛涛李建英
- 关键词：ZNO压敏陶瓷本征缺陷介电谱热刺激电流
- 稀土氧化物对ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷晶界结构和电气性能的影响
- 成鹏飞
- 关键词：ZNO压敏陶瓷稀土氧化物介电谱
- 一种三维定位的消防服
- 本实用新型公开了一种三维定位的消防服，涉及一种消防衣。其包括防护服本体和监测系统，所述的监测系统由设置在防护服本体内壁上的三维定位模块、控制模块、位置显示模块、物联网通讯模块和内置电源模块组成；所述的三维定位模块、位置显...
- 卢定泽王九鑫刘宇程郝红娟苏耀恒成鹏飞张振声徐永康王刚张勃宇关同乐杜雨蓉杨恬吴鑫王盼盼张树源
- 文献传递
- ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷晶界对残压的影响被引量：5
- 2009年
- ZnO压敏陶瓷残压的高低决定了MOA的保护水平,针对残压的形成机制尚不清楚,测量了传统工艺制备的ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷的小电流区、大电流区及部分中电流区的伏安特性,通过对中电流区和大电流区伏安特性的数据拟合发现,中电流区晶界电压降与电流密度之间符合隧道电流导电机制,且当进入大电流区时该晶界击穿电压最终达到一稳定值。计算表明,晶界击穿电压所引起的残压占总残压的90%左右,因此降低残压应主要考虑降低晶界上的击穿电压。
- 成鹏飞李盛涛王玉平朱斌
- 关键词：ZNO压敏陶瓷伏安特性残压
- K掺杂优化CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷介电性能的研究被引量：1
- 2019年
- 使用固相反应法制备了不同浓度K^+掺杂的CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO)陶瓷试样,采用XRD、SEM、EDS、XPS、宽频介电谱仪对掺杂后的CCTO陶瓷的相结构、显微结构、晶粒与晶界内阳离子分布、阳离子氧化态、介电性能进行了表征,结果表明:K^+优先替代了Ca^(2+)形成受主掺杂。根据电荷守恒,晶粒内以生成氧空位为主,金属离子析出被抑制,此时晶粒尺寸趋于减小。当掺杂浓度超过6 mol%时,晶胞膨胀形成了Cu空位。介电性能的变化与点缺陷和显微结构的变化有关,K^+掺杂后,晶粒尺寸先减小,然后随掺杂浓度的增加而增大。掺杂使晶界与晶粒比例的变化或阻抗的改变,导致了晶粒尺寸或阻抗的变化,从而影响CCTO介电性能。因此,点缺陷调控是改善CCTO介电性能的有效方式。
- 曹壮成鹏飞宋江
- 关键词：CACU3TI4O12掺杂介电性能
