房丽敏
- 作品数:5 被引量:7H指数:1
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- 多势垒结构电流特性的数值分析
- 2007年
- 通过数值自洽求解定态的维格纳方程和泊松方程,计算了一维多势垒结构偏压隧道电流,讨论了共振隧穿结构参数(量子阱宽度)连续变化对其电流特性的影响。数值模拟结果给出这类电子器件的量子极限——可观察到共振隧穿现象的量子阱宽度的限度。
- 房丽敏
- 关键词:多势垒结构共振隧穿电流特性
- 微波场中温度分布的二维数值模拟被引量:1
- 2008年
- 时域有限差分法是解决电磁场问题的一种有效方法.根据电磁模型和热模型,通过α因子将热模型的时间步长降到和电磁模型时间步长同一数量级,将它们结合给出了微波加热模型.模拟了从四周加载波源来加热材料,并且给出了模拟的结果.
- 李勇房丽敏
- 关键词:时域有限差分法数值模拟
- BaTi_(1-x-y)Nb_xMn_yO_3半导体陶瓷PTC效应的研究
- 2007年
- 采用固相法制备了施主杂质Nb和受主杂质Mn共掺的BaTiO3基半导体复合陶瓷.通过对比实验结果,详细地分析了施主杂质和受主杂质的参杂效应对于BaTiO3基PTC陶瓷的室温电阻率和升阻比的影响,得到了充分利用BaTiO3基半导体复合陶瓷PTC效应较为理想的掺杂浓度范围.同时,比较Heywan与Ihring模型对于PTC效应的不同解释,根据原子价控理论和铁电效应补偿理论进一步分析了PTC效应的微观机制,较为完备地解释了PTC效应.
- 房丽敏李勇
- 关键词:BATIO3PTC效应电阻率
- 双势垒系统伏安特性的数值模拟被引量:1
- 2005年
- 通过自洽求解维格纳方程和泊松方程,计算了双势垒系统的偏压隧道电流,讨论了双势垒系统的结构参数的变化对其伏安特性的影响.数值模拟的结果对这类电子器件的设计有一定的指导意义.
- 赵可沦房丽敏
- 关键词:负微分电阻伏安特性
- N掺杂钛酸锶的第一性原理研究被引量:5
- 2009年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势计算方法,研究了N掺杂SrTiO3体系的几何结构和电子结构.通过分析N位于不同掺杂位置的SrTiO3晶格几何结构和电子态密度的变化发现:N掺杂SrTiO3使得其晶格结构发生畸变,但是N杂质原子位于不同掺杂位置导致其最近邻原子的相对位置变化存在明显差异;N掺杂SrTiO3不仅导致其费米能级进入到价带中,而且使得其光学带隙窄化,从而提高了其光吸收性能.但是,位于不同掺杂位置的N杂质原子2p态电子对N掺杂SrTiO3体系整体电子结构变化的贡献作用明显不同,从而导致其光学带隙窄化程度存在明显差异.
- 房丽敏
- 关键词:钛酸锶电子结构第一性原理