朱绍平
- 作品数：5 被引量：8H指数：2
- 供职机构：重庆师范大学更多>>
- 发文基金：重庆市教委科研基金更多>>
- 相关领域：理学自动化与计算机技术电子电信冶金工程更多>>
- ZnO薄膜的制备及发光研究进展被引量：2
- 2010年
- ZnO作为一种新型的宽禁带半导体材料,具有优良的光电性能,在光电器件、压电器件、表面声波器件等领域具有广泛的应用前景。介绍了ZnO薄膜的制备方法及影响薄膜光致发光效果的不同因素。
- 朱绍平马勇方成林万勇
- 关键词：ZNO薄膜光致发光
- Sb掺杂ZnO薄膜的制备及光学性能研究
- ZnO薄膜作为一种新型的宽禁带氧化物半导体材料，具有优异的光电特性。在发光器件、表面声波器件、气敏传感器，透明导电膜等方面具有广泛的应用。ZnO薄膜室温下的禁带宽度为3.37eV，激子束缚能60meV，远高于ZnSe、G...
- 朱绍平
- 关键词：ZNO薄膜射频磁控溅射光学带隙光致发光
- 文献传递
- 退火处理对Ti-WO_3薄膜的结构和气敏特性的影响被引量：4
- 2008年
- 用X射线衍射和透射电镜表征了直流磁控溅射法制得的Ti-WO3薄膜的晶型、晶格常数、粒径等。研究了退火对Ti-WO3薄膜气敏性质和微结构的影响,找出了最佳退火温度和工作温度;并对机理进行了分析。结果表明:450℃退火的薄膜的气敏效应很好,最佳工作温度在150℃左右;
- 张召涛杨晓红马勇孙彩芹闫勇彦朱绍平
- 关键词：直流磁控溅射退火气敏特性
- Sb掺杂ZnO纳米材料的研究进展
- 2009年
- ZnO纳米材料是一种新型的直接带隙半导体材料,其禁带宽度为3.37eV。Sb掺杂ZnO纳米材料在光电、气敏效应、p型导电等方面具有优良的性质。介绍Sb掺杂ZnO纳米材料在这几方面的最新研究进展。
- 闫勇彦马勇朱绍平
- 关键词：ZNO薄膜P型ZNO
- 氧浓度对MS法制备的ZnO:Sb薄膜的光学性能影响被引量：2
- 2010年
- 在玻璃衬底上以Zn-Sb合金靶为靶材,采用射频反应磁控溅射法制备出具有良好C轴取向的ZnO:Sb薄膜。用X射线衍射仪、分光光度计和荧光发光光度计等测试手段分析了Sb掺杂ZnO薄膜的晶体结构和光学性质。薄膜在N2气中550℃退火后的X射线衍射谱表明:Sb掺杂ZnO薄膜主要沿ZnO的(002)方向生长,没有检测到其它杂质相的生成。退火前,薄膜的光学带隙随氧浓度的增大而增大,退火后薄膜光学带隙减少。薄膜的室温光致发光谱中有较强的蓝光发射峰,并对蓝光的发射机理作了分析:蓝光(487 nm左右)的发射与锌填隙(Zn i)和锌空位(VZn)缺陷能级有关,还与Sb3+离子提供了相应的蓝光中心有关;蓝光峰(436 nm左右)的发射与锌填隙缺陷能级和氧空位(VO)形成的浅施主能级有关,这些蓝光峰的出现对于开发出单色蓝光发光器件有重要意义。
- 朱绍平马勇房燕张爱民
- 关键词：射频磁控溅射透射率光致发光氧浓度
