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朴勇

作品数:8 被引量:25H指数:3
供职机构:大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 4篇会议论文

领域

  • 4篇理学
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇SICN
  • 4篇磁控
  • 4篇磁控溅射
  • 3篇化学结构
  • 3篇非平衡磁控溅...
  • 2篇带隙
  • 2篇碳含量
  • 2篇光学
  • 2篇光学带隙
  • 1篇氮化碳
  • 1篇电子谱
  • 1篇性能分析
  • 1篇原子力显微镜
  • 1篇力学性能
  • 1篇介电
  • 1篇介电材料
  • 1篇拉曼
  • 1篇拉曼光谱
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射制备

机构

  • 8篇大连理工大学
  • 1篇中国人民解放...

作者

  • 8篇朴勇
  • 8篇高鹏
  • 8篇徐军
  • 6篇董闯
  • 6篇丁万昱
  • 4篇邓新绿
  • 3篇王德和
  • 2篇陆文琪
  • 2篇马腾才
  • 1篇陈小锰
  • 1篇李艳琴
  • 1篇梁宏军
  • 1篇丁万煜

传媒

  • 2篇真空科学与技...
  • 1篇物理学报
  • 1篇应用光学
  • 1篇2006北京...

年份

  • 1篇2007
  • 4篇2006
  • 2篇2005
  • 1篇2004
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
基体负偏压对SiCN薄膜结构和性能的影响
Si3N4是一种介电材料,SiC是一种半导体材料,两者的结合将可能是一种具有宽的带隙光学和电学性质的超硬材料。本文采用微波-ECR等离子体增强非平衡磁控溅射技术制备SiCN薄膜,并对薄膜的化学结构、力学性能进行了表征。研...
高鹏徐军朴勇丁万昱王德和董闯
关键词:非平衡磁控溅射
文献传递
基体负偏压对SiCN薄膜结构和性能的影响
Si3N4是一种介电材料,SiC是一种半导体材料,两者的结合将可能是一种具有宽的带隙光学和电学性质的超硬材料.本文采用微波-ECR等离子体增强非平衡磁控溅射技术制备SiCN薄膜,并对薄膜的化学结构、力学性能进行了表征.研...
高鹏徐军朴勇丁万昱王德和董闯
关键词:非平衡磁控溅射介电材料
文献传递
微波ECR等离子体增强磁控溅射制备SiNx薄膜及其性能分析被引量:12
2006年
利用微波ECR磁控反应溅射法在室温下制备无氢SiNx薄膜.通过傅里叶红外光谱、X射线电子谱、膜厚仪、纳米硬度仪、原子力显微镜等分析手段,分析了N2流量、Si靶溅射功率等实验参数对SiNx薄膜结构、化学配比以及机械性质的影响.结果表明,SiNx薄膜中Si-N结构、化学配比及机械性质与等离子体中的Si元素含量关系密切,随着N2流量的增加或者Si靶溅射功率的降低,等离子体中的Si元素含量降低,SiNx薄膜结构、化学配比及硬度发生变化,红外光谱发生偏移,硬度下降,沉积速率降低.
丁万昱徐军李艳琴朴勇高鹏邓新绿董闯
关键词:SINX磁控溅射
碳含量对碳氮化硅薄膜化学结构和力学性能的影响被引量:4
2006年
利用微波电子回旋共振(MW-ECR)等离子体增强非平衡磁控溅射法制备了碳氮化硅(SiCN)薄膜。研究结果表明,碳含量对薄膜化学结构、力学性能有很大影响。傅里叶变换红外光谱(FT-IR)和X射线光电子能谱(XPS)表征显示,随着碳靶溅射偏压由-450 V提高到-650 V,薄膜中碳含量由19.0%增加到27.1%,sp3C-N键含量增多,薄膜生长速率由3.83 nm/min提高到5.83 nm/min,硬度在-600 V时达到最大值25.36 GPa。上述结果表明,提高碳靶溅射偏压,可以提高薄膜含碳量,得到性能较好的SiCN薄膜。
朴勇徐军高鹏丁万昱陆文琪马腾才
关键词:SICN化学结构力学性能
碳含量及化学结构对SiCN薄膜结构和性能的影响
利用微波—ECR等离子体增强非平衡磁控溅射法制备了Si—C—N薄膜。分别以高纯石墨和单晶硅为溅射靶,以高纯氮气和氩气为工作气体,研究了碳靶溅射偏压变化对薄膜结构以及其光学性能的影响。随着碳靶溅射偏压由450V增加到650...
朴勇高鹏徐军丁万昱邓新绿董闯
关键词:SICN化学结构光学带隙
文献传递
Si掺杂对DLC薄膜结构和性能的影响
<正>类金刚石(diamond-like carbon)膜是含有sp3键的非晶碳膜,具有许多与金刚石膜类似的优点,如高硬度、低摩擦系数、高耐磨性、高电阻率、良好的化学稳定性和抗腐蚀能力以及红外透光性能,在机械、电子、光学...
陈小锰徐军邓新绿朴勇高鹏董闯
关键词:PECVDPVD
文献传递
沉积参数对碳氮化硅薄膜化学结构及光学性能的影响被引量:6
2006年
利用微波电子回旋共振(MW-ECR)等离子体增强非平衡磁控溅射法制备了碳氮化硅(SiCN)薄膜。研究结果表明:硅靶溅射功率和氮气流量对薄膜化学结构、光学、力学等性能有很大影响。傅里叶变换红外光谱(FT-IR)和X射线光电子能谱(XPS)表征显示,随着硅靶溅射功率由150W增加到 350 W,薄膜中C-Si-N键含量由14.3%增加到43.6%;氮气流量的增大(2~15 sccm)易于形成更多的sp2C=N键和sp1C≡N键.在改变硅靶溅射功率和氮气流量的条件下,薄膜光学带隙最大值分别达到2.1 eV和2.8 eV。
朴勇梁宏军高鹏丁万昱陆文琪马腾才徐军
关键词:光学带隙
溅射靶功率对氮化碳薄膜结构的影响被引量:3
2005年
利用双放电腔微波ECR等离子体增强非平衡磁控溅射技术,在Si(100)上制备氮化碳薄膜,并对薄膜进行了拉曼(Raman)、原子力显微镜(AFM)、X射线光电子谱(XPS)等结构的表征。发现溅射靶功率对制膜工艺、薄膜的结构和表面形貌产生很大影响。随着溅射靶功率的增大,薄膜的沉积速率减小,表面粗糙度增大,薄膜结构中的sp2含量增加。
高鹏徐军朴勇丁万煜邓新绿王德和董闯
关键词:非平衡磁控溅射拉曼光谱X射线光电子谱原子力显微镜
共1页<1>
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