李世平
- 作品数：36 被引量：122H指数：6
- 供职机构：株洲南车时代电气股份有限公司更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 150mm高压脉冲功率晶闸管的研制与应用被引量：6
- 2012年
- 大功率脉冲电源是脉冲电磁发射武器平台的重要组成部分,开关器件是其关键技术。150 mm(6英寸)超大功率脉冲晶闸管的成功研发,满足了超大功率脉冲电源开关器件运行寿命长、可靠性高、体积小、重量轻的发展趋势要求。文章重点研究了浪涌电流下超大功率脉冲晶闸管的特性。
- 李世平任亚东熊思宇余伟
- 关键词：脉冲电源电磁发射晶闸管浪涌电流DI/DT
- 晶闸管管芯参数测试模具
- 本实用新型公开了一种晶闸管管芯参数测试模具，它包括上模具、中模具、下模具，上模具中部设有形状与芯片图形形状一致用于观察芯片图形的通孔，上模具外缘对应其中部芯片图形观察通孔形状锚顶的位置设有一供芯片阴极引出线穿出的管销及用...
- 贺振卿刘国友李世平
- 文献传递
- 一种半导体芯片封装装置
- 本实用新型公开了一种半导体芯片封装装置，包括管壳，半导体芯片，门极引线和阴极引线，还包括中间铜块和钼片，管壳包括管座和管盖，通过管座和管盖将两个或两个以上的半导体芯片封装在一个管壳之内，半导体芯片之间使用中间铜块彼此隔开...
- 熊辉李世平徐先伟段翼
- 文献传递
- 高压直流输电系统故障电流下晶闸管的温升计算被引量：8
- 2008年
- 在分析HVDC晶闸管最大故障电流与结温关系的基础上,建立瞬态热阻抗模型,提出了一种计算晶闸管温升的优化算法,并进行了仿真计算。
- 彭勇殿李世平黄建伟刘国友
- 关键词：HVDC晶闸管结温
- UHVDC换流阀晶闸管雪崩特性测试技术被引量：1
- 2008年
- 特高压直流输电(UHVDC)用晶闸管的测试和试验除了必须满足常规的项目要求之外,还必须进行一些普通工业应用极少提及的特殊项目,例如雪崩电压特性(长雪崩和短雪崩)测试。文章论述了一种±800kV特高压直流输电用晶闸管的雪崩特性测试及测试台的研制。该设备采用计算机自动控制,数据采集、电压电流波形显示、测试结果记录均由LABVIEW编写的控制程序完成,使用简便、自动化程度高。
- 李世平任亚东陈彦熊思宇
- 关键词：晶闸管特高压直流输电
- 一种晶闸管管芯参数测试模具
- 本发明公开了一种晶闸管管芯参数测试模具，它包括上模具、中模具、下模具，上模具中部设有形状与芯片图形形状一致用于观察芯片图形的通孔，上模具外缘对应其中部芯片图形观察通孔形状锚顶的位置设有一供芯片阴极引出线穿出的管销及用于固...
- 贺振卿刘国友李世平
- 文献传递
- 6英寸高压晶闸管的研制被引量：29
- 2007年
- 基于5英寸换流阀晶闸管的设计和工艺技术平台,通过优化杂质扩散工艺、光刻版设计和台面造型保护工艺,保证了掺杂分布的均匀性、重复性和可控性,以及器件良好的阻断特性,确保器件获得较高的电流上升率、电压上升率,研制出了6英寸4000A/8000V高压晶闸管样品。并采用电子辐照技术得到进一步优化,对器件的通态压降与反向恢复电荷的折衷关系。
- 刘国友黄建伟舒丽辉李世平邹冰艳王大江
- 关键词：特高压直流输电换流阀电子辐照
- 防爆整流管及其封装方法
- 本发明公开了一种防爆整流管及其封装方法，该防爆整流管包括：管座，其包含底座以及环绕连接底座的瓷环；管盖，其与管座连接形成管壳；芯片组件，其设在管壳内；以及防爆缓冲组件，其连接在管壳内，在芯片组件周围形成防爆圈从而在爆炸时...
- 曾文彬任亚东颜骥李世平潘学军唐柳生高超刘栋
- 文献传递
- 轨道交通用3300V等级IGBT芯片开发及其应用推广
- 刘国友刘可安黄建伟覃荣震舒丽辉吴煜东罗海辉谭兴进张泉李世平陈燕平忻兰苑
- 功率半导体是现代制造业、消费电子等领域不可或缺的支撑技术，通过功率半导体器件的电能转换，将“粗”电变成“精”电，使能源利用更高效、更节能、更环保并给使用者提供更多方使，是节能减排、新型工业化的基础与核心技术。IGBT(绝...
- 关键词：
- 关键词：功率半导体器件
- 一种芯片台面腐蚀装置
- 本发明公开了一种芯片台面腐蚀装置，主要包括隔片和芯片架；所述隔片为圆形片状；所述芯片架包括档板、锁紧装置、旋转装置以及固定架；所述挡板位于芯片架的两侧，在挡板外侧连接有锁紧装置，所述锁紧装置可以向内侧挤压挡板，使挡板将装...
- 黄建伟刘国友邹冰艳李世平潘昭海
- 文献传递
