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李晨辉

作品数:104 被引量:280H指数:10
供职机构:华中科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点实验室开放基金国家科技重大专项更多>>
相关领域:化学工程一般工业技术金属学及工艺电子电信更多>>

文献类型

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领域

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主题

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  • 8篇金属
  • 8篇金属陶瓷
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  • 7篇瓷粉
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机构

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作者

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传媒

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  • 1篇硅酸盐通报
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  • 1篇机械工程材料
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年份

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  • 2篇2011
  • 2篇2009
  • 5篇2008
  • 4篇2007
  • 2篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2003
104 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
氧化锌镓薄膜的制备技术和研究现状被引量:1
2011年
介绍了制备GZO薄膜的各种方法,如磁控溅射法、化学气相沉积法、溶胶-凝胶法、脉冲激光沉积法、喷雾热解法;阐述了这些方法的镀膜原理,并比较了各种工艺的优缺点。综述了GZO薄膜在单层膜领域、复合多层膜领域有机物基底上镀膜领域和薄膜后续退火处理领域的研究现状。提出了产业化过程中需要解决的问题:①制备高密度、高溅射稳定性和导电性优良的靶材;②完善现有镀膜工艺条件;③制备符合不同生产要求的薄膜。
王小伟李晨辉柯文明胡加佳黄帅
关键词:透明导电氧化物电阻率
一种温度场均匀的增材制造铺粉装置
本发明属于増材制造领域,并公开了一种温度场均匀的增材制造铺粉装置,该装置包括工作框、送粉缸、成形缸、铺粉辊、辐射加热机构和传导加热机构,其中:工作框被隔板分隔为左侧部分和右侧部分,右侧部分作为成形腔,该工作框左侧部分下方...
闫春泽刘主峰李昭青陈鹏史玉升文世峰吴甲民李晨辉
文献传递
基底温度对直流溅射Nb掺杂TiO_2薄膜性能的影响被引量:6
2012年
采用陶瓷靶直流磁控溅射,以玻璃为基底制备2.5wt%Nb掺杂TiO2薄膜,控制薄膜厚度在300~350 nm,研究了不同基底温度下所制得薄膜的结构、形貌和光学特性.XRD分析表明,基底温度为150℃、250℃和350℃时,薄膜分别为非晶态、锐钛矿(101)和金红石相(110)结构.基底温度250℃时,锐钛矿相薄膜的晶粒尺寸最大,约为32 nm.薄膜表面形貌的SEM分析显示,薄膜粗糙度和致密度随基底温度升高得到改善.薄膜的平均可见光透过率在基底温度为250℃以内约为70%,随基底温度升高至350℃,平均透过率下降为59%,金红石相的存在不利于可见光透过.Nb掺杂TiO2薄膜的光学带宽在3.68~3.78 eV之间变化.基底温度为250℃时,锐钛矿相薄膜的禁带宽度最大,为3.78 eV.
黄帅李晨辉孙宜华柯文明
关键词:基底温度TIO2直流磁控溅射显微结构光学特性
放电等离子体烧结Cu(In_(0.7)Ga_(0.3))Se_2四元合金靶材的结构和导电性被引量:1
2017年
选用650℃下真空合成的Cu(In_(0.7)Ga_(0.3))Se_2单相合金粉末,通过放电等离子体烧结(SPS)法制备了CIGS合金靶材。研究了烧结温度、保温时间以及烧结压强等工艺参数对CIGS四元合金靶材的结构与性能的影响。研究表明,烧结温度为500℃以上时,靶材为单一的Cu(In_(0.7)Ga_(0.3))Se_2相。随着烧结温度的升高,靶材的晶粒尺寸增大,致密度和电阻率基本呈线性升高;随着保温时间的延长,靶材晶粒尺寸增大,致密度和电阻率也随之升高;随着烧结压强的提高,靶材的致密度增加,而电阻率随之降低。综上所述,烧结温度为600℃,压强为30 MPa,保温时间为5 min的工艺条件下,制备靶材的电阻率为50Ω·cm,致密度为98%。
谭志龙冯海权张俊敏王传军闻明管伟明郭俊梅李晨辉
关键词:致密度
选择性激光烧结/冷等静压复合制造高密度Al_2O_3异形陶瓷件的研究被引量:15
2013年
为了获得高密度复杂形状氧化铝陶瓷件,提出采用覆膜和混合相结合的方式制备出含有机粘接剂w(PVA)=1.5%和w(ER06)=8.0%的Al2O3复合粉体,对复合粉体进行选择性激光烧结(selective laser sintering,SLS)/冷等静压(cold isostatic pressing,CIP)成形、再经脱脂、高温烧结获得最终陶瓷零部件的制造方法。研究了激光烧结的4个工艺参数,得出在激光功率为21 W、扫描速度为1 600 mm/s、扫描间距为100μm、单层层厚为150μm时,获得的SLS陶瓷坯体密度和强度较好,较高强度的SLS坯体有利于后续其它工艺的进行。研究了具有随形包套的SLS陶瓷件的CIP工艺,得出随着压力的增大,陶瓷坯体的孔隙得到更大程度的消除,粉体颗粒重排压实,密度和强度显著提高,而当CIP压力大于200 MPa时,致密化速率减小。基于环氧树脂粘接剂的热重(TG)曲线分析,对SLS/CIP试样进行合理的脱脂、高温烧结处理,所得Al2O3陶瓷件相对密度大于92.26%。为制造高性能复杂形状的陶瓷件提供了一种新的方法,并拓展了SLS技术的应用范围。
史玉升刘凯贺文婷李晨辉魏青松
关键词:选择性激光烧结等静压AL2O3相对密度
一种复相陶瓷铸型的激光选区快速成型方法及其产品
本发明属于陶瓷制备领域,并公开了一种复相陶瓷铸型的激光选区快速成型方法及其产品,该方法包括如下步骤:将不同粒径的Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>粉体与环氧树脂E12充分混合后获得Al<Sub>2</...
李晨辉邹阳刘江安史玉升吴甲民贺智勇张启富
文献传递
固含量对氧化铝泡沫陶瓷吸声性能的影响
2020年
为解决变电站低频噪声污染问题,以Al2O3为原粉,采用凝胶注模-发泡法制备了氧化铝泡沫陶瓷,研究了固含量对氧化铝泡沫陶瓷的微观形貌、开口孔隙率、抗压强度和在不同空腔厚度下的吸声系数的影响。结果表明,固含量增加会使泡沫陶瓷大孔数量减少、开口孔隙率降低、抗压强度增大;随着固含量的增加,泡沫陶瓷的吸收峰移向低频段,吸收峰峰值先增大后减小,吸收峰主要位于1000 Hz以下频段;随着空腔厚度的增大,吸收峰移向低频段,吸收峰峰值增大。该泡沫陶瓷不仅对高频声波具有较好的吸声效果,对低频声波也具有较好的吸声效果,是一种具有极大应用潜力的低频吸声材料。
裴春明杨黎波李国锐胡梁李晨辉
关键词:泡沫陶瓷抗压强度吸声系数
纳米针状ITO的FESEM与TEM研究被引量:1
2007年
采用近水沸点沉淀和煅烧工艺制备了纳米针状ITO粉末并采用场发射扫描电镜、透射电镜和X射线衍射等手段对ITO粉末进行表征。分析结果表明:ITO前驱体纳米针的直径大体上分布在20 nm~100 nm之间,其长径比主要分布在3~8之间;ITO纳米针的直径主要分布在20 nm~60 nm之间,而其长径比则分布在4~12之间。ITO前驱体针是由相当细长的直径为3 nm~4 nm的纳米丝组成的,且这些纳米丝非常规整的排列成平行于ITO前驱体纳米针的轴向,而ITO纳米针却是由其平坦面垂直于针的轴向的薄片状亚单元组成的。ITO前驱体针是由In(OH)_3和Sn_3O_2(OH)_2组成的,且ITO前驱体针中的纳米丝是沿In(OH)_3的[100]晶向择优取向生长。
陈霞李晨辉
关键词:ITO
一种调控剂、LTCC微波介质材料及其制备方法
本发明属于微波介质材料相关技术领域,其公开了一种调控剂、LTCC微波介质材料及其制备方法,所述调控剂的表达式为Li<Sub>2</Sub>Ti<Sub>0.9</Sub>Zr<Sub>0.1</Sub>Si<Sub>1‑...
李晨辉程凯马佳进邹阳孙永明史玉升
文献传递
机械合金化过程理论模型研究进展被引量:20
2002年
对机械合金化过程理论模型主要模拟方法与结论作了评述。机械合金化过程理论模型大致可分为四类:运动学模型、碰撞模型、能量传输模型与球磨图、温升效应模型。这些模型可在一定范围内预测工艺参数和粉末材料参数对机械合金化过程和结果的影响,有利于机械合金化工艺的优化。
余立新李晨辉熊惟皓陆庆忠
关键词:机械合金化高能球磨数学模型纳米复合材料运动学模型
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