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李灵宵

作品数：2 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电路
  • 1篇锗化硅
  • 1篇热裂解
  • 1篇裂解
  • 1篇高速电路
  • 1篇SI
  • 1篇硅
  • 1篇GESI/S...
  • 1篇GSMBE
  • 1篇HBT

机构

  • 2篇中国科学院

作者

  • 2篇刘金平
  • 2篇李灵宵
  • 2篇李建平
  • 2篇黄大定
  • 2篇孙殿照
  • 2篇朱世荣
  • 2篇孔梅影
  • 2篇刘学锋
  • 1篇林兰英
  • 1篇邹吕凡
  • 1篇高斐
  • 1篇林燕霞

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2000
  • 1篇1999
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
高速电路用GeSi/Si外延材料
黄大定李建平孙殿照刘学锋刘金平林燕霞高斐邹吕凡朱世荣李灵宵孔梅影林兰英
该项目为SiGe/Si材料生长工艺及其掺杂控制技术，项目过程中生长出了高质量的n-p-n HBT所需要的Si/SiGe/Si构材料：Ge组分及n、p型掺杂均达到项目指标要求；能够严格控制n、p型掺杂区域，将基区的硼杂质限...
关键词：
关键词：HBT
低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响被引量：2
1999年
为提高外延ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ材料中Ｓｉ发射极的生长速率，研究了Ｓｉ２Ｈ６预热温度对Ｓｉ生长速率的影响，结果表明在一很窄的温区内，Ｓｉ的生长速率提高了一倍．进一步升温Ｓｉ的生长速率迅速下降．用四级质谱仪对低温Ｓｉ－ＧＳＭＢＥ中Ｓｉ２Ｈ６的热裂解过程进行了研究，对该现象做了解释．
李建平黄大定刘金平刘学锋李灵宵朱世荣孙殿照孔梅影
关键词：硅锗化硅GSMBE热裂解
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