李秉臣
- 作品数：17 被引量：33H指数：3
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划北京市科委重大项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 808nm大功率量子阱激光器无吸收腔面镀膜的研究被引量：9
- 1999年
- 用电子束反应蒸发法制备的 ａ Ｓｉ∶ Ｈ 膜和 Ａｌ２ Ｏ３ 膜组成的 ａ Ｓｉ∶ Ｈ／ Ａｌ２ Ｏ３ 膜系，解决了 ａ Ｓｉ／ Ａｌ２ Ｏ３ 膜系在 ８０８ｎｍ 波长有较强光吸收问题，吸收系数从 ２×１０３ｃｍ － １ 降低到可以忽略的程度．ａ Ｓｉ∶ Ｈ 膜的光学带隙为 １７４ｅ Ｖ 左右．应用到 ８０８ｎｍ 大功率量子阱激光器腔面镀膜上。
- 李秉臣彭晔廖显伯
- 关键词：量子阱激光器腔面镀膜
- 一种GaN基LED高反电极
- 本发明涉及一种GaN基LED高反电极，属于光电子器件制造技术领域。该电极的结构从下到上包括掺杂Mg的、器件发出的光从该层到达高反电极层，然后经电极反射再从该层返回器件内部的半导体GaN基底层(1)，欧姆接触层(6)，高反...
- 沈光地朱彦旭李秉臣郭霞董立闽
- 文献传递
- Ａｕ／Ｐｔ／ＡｕＧｅ在Ｎ－ＧａＡｓ低欧姆接触电极的研究
- 李秉臣白云霞
- 关键词：退火欧姆接触比电阻
- 2.5G DFB量子阱激光器p型欧姆接触电极的研究
- 2000年
- 对2.5GDFB量子阱激光器p型低阻欧姆接触电极进行了研究，在退火温度400℃，退火时间30s进行快速热退火条件下，对AuPtTiInAsp＋－InGaAs(掺Zn>1×1019cm－3)MQWnInP和AuPtTip＋－InGaAs(掺Zn>1×1019cm－3)MQWnInP两种结构进行了p型欧姆接触试验研究，并对两者串联电阻进行了比较，其结果前者的串联电阻阻值为后者的1/4。
- 李秉臣彭晔朱洪亮
- 关键词：串联电阻量子阱激光器欧姆接触电极
- Au-Pt-Ni/p-InP新的低欧姆接触电极被引量：1
- 1998年
- 用磁控溅射法淀积的非合金膜系Au_Pt_Ni/ p_InP( 1～ 2× 1 0 18cm-3 ) ,在 40 0℃ 30s的退火条件下 ,实现了比接触电阻低达 3× 1 0 -6Ω·cm2 的欧姆接触 .对不同温度 ( 30 0～ 5 0 0℃ )退火的Au_Pt_Ni/ p_InP欧姆接触所做的AES深度剖面分析揭示了Pt膜层阻挡Au的内扩散和InP外扩散的作用 .
- 李秉臣彭晔李建中
- 关键词：比接触电阻化合物半导体
- 2.5G DFB量子阱激光器p型欧姆接触电极的研究
- 对2.5G DFB量子阱激光器p型低阻欧姆接触电极进行了研究，在退火温度400℃，退火时间30s进行快速热退火条件下，对Au-Pt-Ti/InAs/p<'+>-InGaAs(掺Zn＞1×10<'19>cm<'-3>)MQ...
- 李秉臣彭晔朱洪亮
- 关键词：欧姆接触串联电阻
- 文献传递
- 一种GaN基LED高反电极
- 本发明涉及一种GaN基LED高反电极，属于光电子器件制造技术领域。该电极的结构从下到上包括掺杂Mg的、器件发出的光从该层到达高反电极层，然后经电极反射再从该层返回器件内部的半导体GaN基底层(1)，欧姆接触层(6)，高反...
- 沈光地朱彦旭李秉臣郭霞董立闽
- 文献传递
- 氮化镓基篮绿色发光二极管(LED)中游工艺技术产业化
- 杨辉张书明段俐宏王海李秉臣王胜国张双益章裕中吴启全胡德进
- 该项目设计和建设了一条全新的生产线，利用快速退火方法解决了氮化镓的P型活化的产业化技术难题；采用特殊工艺技术制作的P型层透明电极其光的透过率大于70%，满足欧姆接触的要求；在蓝宝石衬底减薄工艺技术中，采用研磨抛等工艺步骤...
- 关键词：
- 关键词：氮化镓
- 低接触电阻、低光吸收、全角高反射的LED电极
- 本发明的低接触电阻、低光吸收、全角高反射的LED电极属于光电子器件制造技术领域。该电极的结构为：第一层是掺杂的半导体层基底(1)；第二层是位于半导体基底上的欧姆接触层(8)；第三层是在欧姆接触层上的一层银高反镜(3)；第...
- 沈光地朱彦旭李秉臣郭霞董立闽
- 文献传递
- GaAs衬底生长的立方GaN晶片键合技术被引量：4
- 2002年
- 利用晶片键合技术通过多层金属膜成功地把立方相GaN LED结构键合到新衬底Si上,并且利用湿法腐蚀技术去掉了原GaAs衬底.SEM和PL观察表明,利用键合技术可以完整地把立方相GaN外延薄膜转移到新的衬底上而不改变外延层的物理和光学性质.XRD（X射线衍射）结果分析显示,键合后的样品中出现了新的合金和化合物:AuGa2,Ni4N,意味着用来作为黏附层和形成Ohm接触的Ni/Au膜与p-GaN形成了紧密的结合,保证了金属膜与GaN层的牢固度和界面的小接触电阻,成功地完成了键合,为下一步以GaAs吸收衬底生长的GaN基器件的研制打下了基础.
- 孙元平付羿渠波王玉田冯志宏赵德刚郑新和段俐宏李秉臣张书明杨辉姜晓明郑文莉贾全杰
- 关键词：GAN立方相砷化镓氮化镓
