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李艳霞

作品数:5 被引量:19H指数:4
供职机构:西南交通大学材料科学与工程学院材料先进技术教育部重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 3篇理学

主题

  • 4篇氧化锌
  • 4篇四针状氧化锌
  • 3篇氧化锌晶须
  • 3篇四针状氧化锌...
  • 3篇晶须
  • 3篇掺杂
  • 2篇ZNO
  • 2篇场发射
  • 1篇低维结构
  • 1篇形貌
  • 1篇一维纳米
  • 1篇一维纳米结构
  • 1篇气敏
  • 1篇气敏特性
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米ZNO
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇发光
  • 1篇FE掺杂

机构

  • 5篇西南交通大学

作者

  • 5篇李艳霞
  • 4篇周祚万
  • 3篇王凯
  • 1篇范希梅
  • 1篇刘国梅
  • 1篇刘菁菁

传媒

  • 1篇功能材料
  • 1篇材料导报
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 3篇2007
  • 2篇2006
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
Fe掺杂T-ZnO的结构和绿光发光性质研究被引量:6
2006年
采用固相反应工艺制备了不同浓度掺杂Fe的四针状氧化锌晶须(T-ZnO),利用XRD研究了掺杂后T-ZnO的物相结构,用荧光光谱研究其发光性能。结果表明,Fe在ZnO中的固溶度约为0.7%(摩尔分数),超过此极限,则Fe以第二相(ZnFe2O4)形式出现。掺杂后的T-ZnO出现明显的绿光发光特征,其发光强度随掺杂浓度增加先降低后增加。分析认为,绿光的发光机理是电子由VO到VZn跃迁引起的。
王凯周祚万刘国梅李艳霞
关键词:四针状氧化锌晶须掺杂
四针状ZnO晶须(T-ZnO)的掺杂及其气敏特性研究被引量:4
2007年
采用高温固溶工艺制备了Al3+,Fe3+和Ag+掺杂的T-ZnO气敏材料,并制作了烧结型厚膜气敏元件,测试了元件对H2S,NH3,C2H5OH和H2的敏感特性,研究了掺杂剂、掺杂工艺和材料形貌结构对T-ZnO材料气敏特性的影响规律。结果显示,T-ZnO材料对H2S和C2H5OH气体灵敏度较高,对H2和NH3等气体灵敏度较差;经过H2气氛热处理,掺物质的量百分数为0.1%Al3+的T-ZnO对气体表现出很高的灵敏度,在268.5℃时,对体积分数为10-4的H2S的灵敏度达160;同时,Al3+掺杂工艺改善了材料对H2S和C2H5OH的恢复-响应特性。在Fe3+掺杂ZnO样品中,出现第二相(ZnFe2O4)可以提高对气体的灵敏度。
李艳霞王凯周祚万
关键词:四针状氧化锌晶须掺杂气敏特性
氧化锌低维结构材料场发射性能研究进展被引量:4
2007年
ZnO具有负的电子亲和势、丰富的结构和形貌可设计性以及良好的机械和化学稳定性等优点,是一种最有前途的阴极电子发射材料。结合作者实验室的工作,综述了近年来迅速发展的ZnO低维结构的场发射特性以及制备方法、形貌结构、排列及密度、表面吸附、掺杂和热处理等因素对其场发射性能的影响,介绍了四针状氧化锌晶须(T-ZnOw)作为场发射阴极材料的优势。
李艳霞范希梅周祚万
关键词:氧化锌低维结构四针状氧化锌场发射
一维纳米结构ZnO掺杂的研究进展被引量:5
2006年
ZnO是目前已知纳米结构中形态最为多样的多功能材料之一,其一维纳米结构的掺杂改性日益成为研究和应用的热点。本文按照杂质原子引入一维纳米结构ZnO晶格的先后,将ZnO的掺杂分为原位掺杂和后期掺杂两类,对当前一维纳米结构ZnO的掺杂进展进行了回顾,提出掺杂工艺中尚待解决的问题,并对其发展趋势及前景进行了展望。
王凯周祚万刘菁菁李艳霞
关键词:纳米ZNO掺杂形貌
四针状氧化锌晶须的场发射特性研究
作为半导体氧化物材料,氧化锌(ZnO)具有优异的电、磁、光、力学和化学等宏观特性,广泛应用于精细陶瓷、紫外线屏蔽、压电材料、光电材料、高效催化材料、磁性材料等领域。由于ZnO具有负的电子亲和势,高的机械强度和化学稳定性,...
李艳霞
关键词:四针状氧化锌晶须T-ZNOW掺杂改性光致发光场发射特性
文献传递
共1页<1>
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