您的位置: 专家智库 > >

杨怀民

作品数:12 被引量:22H指数:3
供职机构:中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
发文基金:国防科技工业技术基础科研项目更多>>
相关领域:电子电信理学核科学技术自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 6篇会议论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇核科学技术

主题

  • 4篇电路
  • 4篇射线
  • 4篇中子
  • 4篇集成电路
  • 3篇辐照效应
  • 3篇大规模集成电...
  • 2篇电离辐照
  • 2篇电离辐照效应
  • 2篇射线剂量
  • 2篇芯片
  • 2篇抗辐射
  • 2篇抗辐射加固
  • 2篇计算机
  • 2篇计算机芯片
  • 2篇半导体
  • 2篇X射线剂量
  • 1篇单粒子
  • 1篇单粒子效应
  • 1篇单片
  • 1篇单片机

机构

  • 9篇中国工程物理...
  • 3篇中国工程物理...
  • 2篇北京邮电大学
  • 1篇兰州大学
  • 1篇西华大学

作者

  • 12篇杨怀民
  • 2篇徐曦
  • 2篇袁国火
  • 2篇许献国
  • 2篇徐天容
  • 1篇蒋英杰
  • 1篇詹峻岭
  • 1篇赵刚
  • 1篇胡健栋
  • 1篇王旭利
  • 1篇赵聚朝
  • 1篇赵聚朝
  • 1篇邓建红
  • 1篇胡建栋
  • 1篇贾温海
  • 1篇周开明
  • 1篇董秀成
  • 1篇赵汝清

传媒

  • 2篇强激光与粒子...
  • 2篇核电子学与探...
  • 2篇第八届全国抗...
  • 1篇核技术
  • 1篇信息与电子工...
  • 1篇第11届全国...
  • 1篇四川省电子学...
  • 1篇第六届全国抗...

年份

  • 2篇2006
  • 3篇2005
  • 2篇2004
  • 1篇2003
  • 1篇2002
  • 1篇2000
  • 1篇1999
  • 1篇1996
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
大规模集成电路芯片的X射线剂量增强效应
本文介绍大规模集成电路N80C196KC20单片机芯片在X射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应.实验测量了N80C196KC20单片机芯片X射线辐射剂量增强系数,研究了剂量增强效应机理.用Intel公司的N80C196...
杨怀民
关键词:大规模集成电路计算机芯片X射线
文献传递
CMOS集成电路的闭锁特性和闭锁窗口分析被引量:5
2004年
由于布局结构的复杂性,CMOS集成电路可能存在多个潜在的寄生闭锁路径。各个闭锁路径因触发剂量率和闭锁维持电压、闭锁维持电流不同而相互影响,可能产生一个或多个闭锁窗口。在详细分析CMOS集成电路闭锁特性的基础上,建立了"三径"闭锁模型,对闭锁窗口现象进行了合理解释。
许献国杨怀民胡健栋
关键词:CMOS集成电路
FLASHROM芯片高能中子单粒子效应研究
近年来高能中子(14MeV)对计算机存储器芯片的单粒子效应引起了广泛的注意.本文简要报告了FLASHROM存储器芯片的高能中子单粒子效应试验方法和结果.
杨怀民范思安胡尚斌王学智李健
关键词:高能中子单粒子效应存储器
文献传递
N80C196KC20芯片的X射线剂量增强效应被引量:3
2006年
介绍大规模集成电路N80C196KC20单片机芯片在X射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应。用Intel公司的N80C196KC20单片机芯片进行X射线、钴源总剂量辐照试验,测量了电源工作电流ICC,芯片的功能失效表征了它的总剂量响应。芯片在较低的总剂量水平发生功能失效,γ失效总剂量-165Gy(Si)。芯片失效时工作电流发生快速增长。实验测量了N80C196KC20单片机芯片的X射线剂量增强系数,研究了剂量增强效应机理。
杨怀民徐曦邓建红詹峻岭赵聚朝王旭利袁国火
关键词:计算机芯片
双极晶体管脉冲中子辐射效应─瞬时退火实验研究被引量:4
1996年
本文介绍了快脉冲堆瞬态辐照试验的瞬时退火结果。实验采用了合理的试验方法和监测系统。在国内首先测到了三极管中子辐照的瞬时退火曲线,并与国外有关实验结果作了比较。
蒋英杰贾温海赵汝清杨怀民
关键词:脉冲中子源半导体器件
计算机大规模集成电路芯片抗辐射加固性能评估技术研究
研究了CMCS工艺计算机系统芯片的辐射效应,提出了一种计算机芯片生存能力抗辐射评估的基本概念,有关效据的收集与参量定义方法。对一种计算机芯片的辐射效应数据进行了处理和生存概率的计算。
杨怀民
关键词:抗辐射加固计算机系统
文献传递
80C31单片机系统伽玛剂量率闭锁窗口现象研究
MVX闪光机上对80C31单片机系统进行了伽玛剂量率辐照试验。在试验中还观察到了计算机系统的闭锁窗口现象。在伽玛量率5.91E+8rads(Si)/s至2.86E+9rads(Si)/s之间80C31单片机系统发生了闭锁...
杨怀民
关键词:单片机
大规模集成电路中子和γ综合电离辐照效应探究
CMOS工艺的大规模集成电路对电离辐射十分敏感,但综合辐照环境下的电离效应鲜有报道.通过对80C196KC和PSD501B1两种不同的芯片开展中子和γ综合电离辐照效应试验及研究,发现在反应堆中子、γ综合辐照环境下,CMO...
徐天容杨怀民
关键词:大规模集成电路中子Γ射线电离辐照效应
文献传递网络资源链接
大规模集成电路中子和γ射线综合电离辐照效应研究被引量:3
2005年
研究了反应堆中子和γ射线综合辐照环境下CMOS工艺大规模集成电路的电离辐照效应。通过对80C196KC20和PSD501B1两种不同芯片在该环境下开展综合辐照试验,发现总的静态电流增长不明显。对试验结果综合分析得出在反应堆的综合辐照环境下,中子电离效应较弱,并且由于中子位移效应引起载流子迁移率降低和载流子浓度降低,使得总的静态电流下降,从而抵消中子和γ射线综合电离导致的静态电流增长。
徐天容杨怀民
关键词:中子射线电离辐照效应
对辐射感应闭锁窗口现象的解释被引量:1
2004年
中、大规模CMOS器件受到瞬态辐射时,出现了闭锁单窗口、多窗口现象。为了获得闭锁窗口的出现原因,借助对窗口现象的有关参考文献的研究,利用计算机电路模拟软件,分析了CMOS器件多个闭锁路径之间的相互作用。在此基础上,提出了解释窗口现象的"三径"闭锁模型。应指出的是,该闭锁模型还需要试验上的进一步验证与支持。
许献国杨怀民胡建栋
关键词:核电子学计算机模拟CMOS器件
共2页<12>
聚类工具0