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杨继华

作品数:6 被引量:21H指数:3
供职机构:东北师范大学化学学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电气工程化学工程更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 5篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇卟啉
  • 2篇钛酸铅
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米晶
  • 2篇光谱
  • 1篇导电
  • 1篇导电聚合物
  • 1篇碘化
  • 1篇电场
  • 1篇电荷
  • 1篇电荷转移
  • 1篇电聚合
  • 1篇电特性
  • 1篇电子光谱
  • 1篇修饰
  • 1篇衍生物
  • 1篇荧光
  • 1篇荧光光谱
  • 1篇四氢
  • 1篇四氢呋喃

机构

  • 5篇吉林大学
  • 3篇东北师范大学
  • 2篇中国科学院
  • 1篇北京大学
  • 1篇河南大学
  • 1篇阜新高等专科...

作者

  • 6篇杨继华
  • 4篇白玉白
  • 4篇王德军
  • 2篇姜月顺
  • 2篇洪元佳
  • 2篇翟剩勇
  • 2篇余大书
  • 2篇杨文胜
  • 2篇张昕彤
  • 1篇孙浩然
  • 1篇孙海珠
  • 1篇王永强
  • 1篇张杰
  • 1篇黄宗浩
  • 1篇陈思光
  • 1篇卢然
  • 1篇张文
  • 1篇王妍妍
  • 1篇杜祖亮
  • 1篇陈咏梅

传媒

  • 3篇高等学校化学...
  • 2篇吉林大学自然...
  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 1篇2003
  • 1篇2001
  • 3篇1997
  • 1篇1994
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
外电场对PbTiO_3纳米晶表面光电特性的影响
1997年
研究了1000℃(1#)和450℃(2#)条件下烧结的PbTiO纳米晶,在外电场处理前后的表面光电特性.结果表明,外电场的处理对PbTiO3纳米晶表面光电特性的影响具有明显的尺寸效应:经外电场处理后1#PbTiO3纳米晶表面光优响应没有变化;2#PbTiO3纳米晶变化明显.
杨继华白玉白王妍妍洪元佳张昕彤王德军李铁津余大书翟剩勇
关键词:纳米晶钛酸铅
具有表面光电特性的PbTiO_3纳米晶的尺寸效应被引量:3
1997年
利用溶胶-凝胶法制备不同粒径的PbTiO3纳米晶.表面光电压谱的研究结果表明,随粒径尺寸的减小,其表面光伏响应发生谱带加宽现象,并出现新的体相跃迁光伏响应结构.这些特性是小尺寸PbTiO3纳米晶内不同于体相PbTiO3的Ti4+的d轨道配位环境的体现.
杨继华洪元佳白玉白王妍妍张昕彤王德军李铁津余大书翟剩勇
关键词:纳米材料纳米晶钛酸铅尺寸效应
D-π-A分子H-聚集体的电子光谱被引量:9
2001年
合成了具有强电子给体和强电子受体的D π A分子 5 (4 N ,N 二甲氨基苯乙烯基 ) (1H ,3H) 2 ,4,6 嘧啶三酮 (AB1)和 5 (4 N ,N 双十八烷基氨基苯乙烯基 ) (1H ,3H) 2 ,4,6 嘧啶三酮 (AB18) ,并对其电子光谱进行了研究 .AB18在环己烷中聚集体的吸收光谱及AB1和AB18的表面光电压谱在 45 0nm附近出现H 聚集体的谱带 ,比其在氯仿溶液中单体的ICT带蓝移了 30nm左右 .AB1和AB18固体及其高浓度的氯仿溶液分别在 6 2 0nm和 6 10nm附近出现来源于H 聚集体的激基缔合物的荧光 ,6 2 0nm带比单体红移 3 0 0 0cm-1左右 .还探讨具有强电子给体和受体的D π A分子间π π相互作用 .
陈思光姜月顺卢然杨文胜杨继华李铁津杜祖亮
关键词:荧光光谱电子光谱Π-Π相互作用
n-GaAs(100)、Si(111)表面修饰卟啉分子的光致界面电荷转移特性的研究被引量:4
1994年
利用表面光电压谱研究了四碘化四-(4-三甲胺苯基)卟啉(TTMAPPIH_2)修饰n-GaAS(100)和n-Si(111)半导体表面的光致界面电荷转移特性,结果表明,n-GaAs(100)表面修饰TTMAPPIH_2分子的光致界面电荷转移效率远比n-Si(111)表面修饰的高,并且发现在该卟啉分子的非吸收区也有明显的光致界面电荷转移现象,而与n-Si(111)间则没有这种转移特性。用电化学测量和UV光谱确定了TTMAPPIH2相对于n-GaAs(100)、n-si(111)的能级位置关系,对TTMAPPIH2分子与n-GaAs(100)和n-Si(111)间的不同光致界面电荷转移特性进行了解释。
杨继华张杰宫明宣王德军孙浩然曹锡章白玉白李铁津
关键词:表面修饰电荷转移
导电聚合物MEH-PPV表面光电特性的研究被引量:1
2003年
用接触电位差(CPD)方法研究了导电聚合物MEH-PPV薄膜的光电特性.测得MEH-PPV的能隙为2 1eV,表面功函数为4 7-4 8eV,是p型导电材料.同时研究了不同铸膜溶剂对薄膜光电特性的影响.测得由不含芳环的四氢呋喃为溶剂制得的薄膜表面功函数比由含芳环的氯苯为溶剂制得的薄膜低0 15eV.
黄宗浩孙海珠张文杨继华
关键词:导电聚合物光电特性四氢呋喃
卟啉衍生物π离子自由基二聚体的电子光谱研究被引量:4
1997年
根据四甲基吡啶铜叶啉(CuTMPyP)的光谱电化学和部分质子化的5,10,15-三(4-羟基苯基)-20-(4-十六烷氧苯基)卟啉(P31)LB膜的荧光光谱,研究了卟琳衍生物离子自由基二聚体的电子光谱.电还原产生的CuTMPyP负离子自由基与基态分子通过SOMO’-LUMO作用形成面对面二聚体,在480nm处出现二聚体的Q带,在820nm处出现π*→π*带.质子化产生的P31正离子自由基与基态分子通过SOMO-HOMO作用形成面对面二聚体,在470~515nm处出现二聚体的Q带吸收,在710nm出现π→π带.与单体Q带相比这些Q带发生蓝移.
姜月顺杨继华王德军陈咏梅杨文胜白玉白李铁津王永强
关键词:卟啉衍生物二聚作用
共1页<1>
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