林彰达
- 作品数：23 被引量：27H指数：4
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术化学工程更多>>
- 一种热丝法生长金刚石的方法
- 本发明属于化学汽相沉积技术，特别是涉及采用热丝法汽相沉积大面积金刚石膜的方法。本发明为了有效地利用真空室，节省电耗及气体有效的生长大面积金刚石膜，从而提供一种由一根或多根W钨丝竖直悬挂在反应室顶，待沉积基材相对于W丝竖直...
- 陈岩林彰达
- 文献传递
- 原子氢与金刚石表面的相互作用被引量：1
- 1991年
- 用高分辨率电子能量损失谱研究了氢原子吸附在金刚石表面的各种振动模式,其中主要是位于360meV处的C—H键的伸长振动和位于160meV处的“剪”振动。用氚原子代替氢原子吸附在金刚石表面,观测到上述振动模式所发生的同位素位移。将金刚石表面加热至900℃后,各种振动模式全部消失,这时吸附氢原子全部脱去,金刚石表面的悬键变成平躺在表面上,导致金刚石表面石墨化。由于石墨化后π-带的作用,在损失谱上出现一个非弹性的、连续的损失峰结构。我们用UPS和AES技术进一步证实了脱氢后金刚石表面的石墨化。
- 罗春平孟革齐上雪林彰达
- 关键词：氢原子金刚石相互作用
- 用低能电子衍射谱仪(LEED)观察氢终止的Si(111)表面
- 1994年
- 本文描述了一种得到无重构的理想的氢终止Si（111）表面的化学处理方法，用这种方法得到的表面，可以用低能电子衍射谱仪（LEED）进行结构研究。本实验使用我们自己设计加工的电子背轰击式加热器，作品可加热到800℃以上，亦可冷却到液氮温度。文中对氢终止Si（111）表面的研究的初步结果作一概述，给出了表面覆盖氢化物的LEED研究证据。
- 李晴胡晓晖林彰达
- 关键词：衍射LEED硅
- SiO_2层对金刚石膜初期生长影响的研究
- 1994年
- 用俄歇子能谱（AES）研究了热丝法生长金刚石膜中未经划痕处理的单晶硅衬底在不同沉积时间下的表面结构及Si，C，O元素浓度的深度分布。结果表明：在沉积过程中，随沉积时间增加时，基材表面C浓度增加，O浓度下降，但SiC过渡层的生长缓慢。700℃沉积4h时仍无结构完整的SiC层生成，这是表面SiO2层阻碍了SiC的形成。分析了不经划痕处理的基材形核率低的原因。用高分辨电镜（HREM）观察了生长良好的金刚石膜的膜—基界面，发现没有SiO2层存在。
- 陈岩陈启谨崔玉德孙碧武林彰达
- 关键词：生长速率氧化硅
- 钛与铋系高温超导材料界面相互作用的X射线光电子能谱研究
- 1991年
- 本文报道用X射线光电子能谱(XPS)观测Ti与铋系高温超导体相互作用过程中电子结构的变化。结果表明,Ti原子夺走超导体内部的O,在表面形成Ti—O键,在XPS探测区域内,Bi—0,Cu—O键被破坏,Cu^(2+)和Bi^(3+)被还原为金属态。成键氧的被夺走影响了超导体的电子结构,用标准四探针法检测得到Ti的蒸镀使薄膜的超导转变温度降低,并且不能达到零电阻。
- 孟革沈电洪李楠谢侃林彰达王玉鹤李林
- 关键词：钛系铋系超导体超导电性
- 金刚石薄膜表面的HREELS研究
- 1991年
- 用高分辨电子能量损失谱(HREELS)研究了用热丝CVD(HF CVD)方法生长的多晶金刚石薄膜表面的振动谱。发现HREELS可以用来研究多晶金刚石薄膜表面的吸附分子的振动。生长的样品不作任何处理,表面是以H终止的。振动的损失谱主要是位于160meV附近的一个损失峰,对应于CH_2(或CH_3)的“剪”振动;360meV的一个损失峰,对应于CH的伸长振动;305meV的“剪”振动的二次谐振损失峰。以及一些较弱的峰,在105meV的对应于C—C伸长振动的损失峰;455meV的“剪”振动的三次谐振损失峰;520meV的损失峰,对应于“剪”振动与伸长振动的结合。将金刚石加热到900℃或用Ar^+轰击,各种振动损失峰消失,出现一连续谱。对退火或Ar^+轰击处理的样品吸原子H或原子D,主要的振动损失峰重新出现。
- 孙碧武张青哲齐上雪谢侃林彰达
- 关键词：HREELS金刚石膜吸附分子热丝ANNEALING连续谱
- Pd-化合物半导体界面的价带研究被引量：2
- 1991年
- 利用同步辐射光电子能谱对 Pd/GaAs、Pd/InP、Pd/InSb及 Pd/PbS界面形成过程中价带的变化进行了研究.在覆盖度θ(?)40A范围.上述界面体系的价带谱均主要由Pd4d带构成,并在Permi能级附近存在一个由Pd与衬底原子相互作用反键轨道形成的过渡肩峰;随着覆盖度增加,这一过渡肩峰逐渐被Pd4d带主峰所覆盖;对Pd4d带双峰进行解谱,得出了峰位置、峰半高宽及峰分裂间距随θ的变化关系,并由此对各体系中的界面过程进行了讨论.不同界面体系中,两类基本的界面过程——表面偏析与化学相互作用过程——的贡献各不相同,其中衬底负离子组份化学活性较强的界面体系中,化学相互作用过程为主被证明.
- 李楠林彰达高永立J.H.Weaver
- 关键词：化合物半导体电子能谱
- 最新的Van Hove LEED程序库
- 1996年
- 用低能电子衍射（ＬＥＥＤ）强度－电子能量曲线（Ｉ－Ｖ ｃｕｒｖｅ）确定晶体表面结构是目前国际上广泛采用的一种方法．由于理论计算的复杂性，充分利用世界上现有的计算程序已显得十分必要，本文对 Ｖａｎ Ｈｏｖｅ的 ＬＥＥＤ程序库及其应范围和特点作一简单的介绍．
- 胡晓明林彰达M.A.VanHove
- 关键词：低能电子衍射程序库晶体结构
- 蓝色氧化钨的光电子能谱研究
- 1990年
- 本文用光电子能潜技术对蓝色氧化钨的表面价态进行了一系列研究。结果表明:蓝色氧化钨并不是单一价态的氧化钨,而是由W^(+5)和W^(+6)两种价态组成。氩离子刻蚀,真空高温处理都是一个失氧还原过程,也是钨由高价态向低价态的转变过程。同时,费密能级附近的态密度随着价态变低而逐渐增加。
- 谢侃齐上雪伍乃娟林彰达
- 关键词：氧化钨光电子能谱价态
- 用低能电子衍射研究氢离子轰击硅表面所产生的相变被引量：1
- 1996年
- 文章描述了用低能电子衍射（ＬＥＥＤ）观察氢离子对碳杂质稳定的Ｓｉ（１１１）－（１×１）及清洁再构的Ｓｉ（１００）－（２×１）表面轰击，然后加热退火所产生的相变．实验发现：碳杂质稳定的Ｓｉ（１１１）－（１×１）表面经氢离子轰击并在８００℃退火后产生清洁再构的Ｓｉ（１１１）－（７×７）结构；而Ｓｉ（１００）－（２×１）表面经离子氢及氩的混合气体轰击后，在９００℃退火产生一个亚稳态Ｓｉ（１００）－ｃ（４×４）结构，进一步在７００℃退火后，我们得到一个稳定的Ｓｉ（１００）－ｐ（２×２）结构．文章对实验观察到的相变做了简单的解释，提出了一个新的Ｓｉ（１００）－ｐ（２×２）表面结构模型．
- 胡晓明林彰达
- 关键词：硅表面相变电子衍射氢离子
