樊泰君
- 作品数:17 被引量:16H指数:3
- 供职机构:电子科技大学更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域:一般工业技术电子电信理学交通运输工程更多>>
- 一种双层微测辐射热计及其制作方法
- 本发明公开了一种双层微测辐射热计,包括微桥结构,该微桥结构由上桥面和下桥面两个独立的桥面所组成,所述上桥面设有一层或多层光吸收材料,下桥面包含支撑与绝缘层、金属电极、热敏电阻薄膜、钝化及调控层,下桥面与衬底之间形成下层光...
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- 一种氧化钒复合薄膜及其制备方法
- 本发明公开了一种氧化钒复合薄膜及其制备方法,其特征在于,该薄膜为氧化钒-富勒烯复合薄膜,即由二维的氧化钒与零维的富勒烯相复合而成。这种氧化钒-富勒烯复合薄膜能结合氧化钒、富勒烯两种成分的优点,克服单纯氧化钒薄膜在制备方法...
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- 一种太赫兹或红外微测辐射热计及其制作方法
- 本发明公开了一种太赫兹或红外微测辐射热计,包括用于非制冷太赫兹探测器或非制冷红外探测器的微测辐射热计的微桥结构,该微桥结构中的热敏电阻材料和光吸收材料为氧化钒-富勒烯两元复合薄膜、或者是氧化钒-富勒烯-碳纳米管三元复合薄...
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- 非制冷红外焦平面微桥形变的主要原因及其控制被引量:1
- 2012年
- 微桥是微测辐射热计阵列像元的重要部分,经微细加工工艺制成的微桥结构常常发生弯曲变形,从而严重影响器件性能。利用有限元分析方法研究了造成微桥变形的原因。结果表明,重力导致的微桥形变值仅为1.44×10-5μm,而薄膜的本征应力导致的形变值却高达2.108μm,与实际观测值相当。因此,本征应力是造成微桥变形的主要原因。此外,还研究了本征应力梯度导致的形变,并提出了采用在电极的表面再沉积一层SiNx薄膜的方法,使桥腿的形变值由0.587μm明显地减小到0.271μm,有效地控制了本征应力梯度导致的桥腿变形。
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- 关键词:形变有限元分析
- 太赫兹无机吸光材料的制备与特性研究
- 太赫兹波段作为一个研究的空白区域,由于其在透视性、安全性等方面的优势,近几十年内得到了极大的发展。人们渐渐的开始从光波方向和电磁波方向往中间的太赫兹波段进行研究,其中太赫兹探测器成为了研究重点,本文主要针对非制冷太赫兹探...
- 樊泰君
- 一种氧化钒复合薄膜及其制备方法
- 本发明公开了一种氧化钒复合薄膜及其制备方法,其特征在于,该薄膜为氧化钒-富勒烯-碳纳米管三元复合薄膜,即由二维的氧化钒与零维的富勒烯以及一维的碳纳米管三种成分相复合而成。与单纯的氧化钒薄膜、或氧化钒-碳纳米管、氧化钒-富...
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- 一种DAST-碳纳米管复合薄膜及其制备方法
- 本发明公开了一种4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲基苯磺酸盐(英文简称DAST)与碳纳米管的复合薄膜及其制备方法,该薄膜由碳纳米管与DAST膜相复合而成。本发明采用这种DAST-碳纳米管复合膜用于红外或太赫兹等光...
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- 文献传递
- 一种双层微测辐射热计及其制作方法
- 本发明公开了一种双层微测辐射热计及其制作方法,包括用于非制冷红外探测器或非制冷太赫兹探测器微测辐射热计的微桥结构,其特征在于,该微桥由上桥面和下桥面两个独立的桥面所组成,光吸收材料处在上桥面、热敏电阻材料处在下桥面,微桥...
- 许向东杨卓蒋亚东何琼樊泰君黄龙敖天宏马春前陈超
- 一种太赫兹或红外微测辐射热计及其制作方法
- 本发明公开了一种太赫兹或红外微测辐射热计,包括用于非制冷太赫兹探测器或非制冷红外探测器的微测辐射热计的微桥结构,该微桥结构中的热敏电阻材料和光吸收材料为氧化钒-富勒烯两元复合薄膜、或者是氧化钒-富勒烯-碳纳米管三元复合薄...
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- 文献传递
- 双层红外微测辐射热计的微桥结构仿真被引量:4
- 2012年
- 非制冷红外探测器具有广阔的军事和民用前景。近年来,出现了一类性能优越的新型双层微测辐射热计型红外探测器。利用有限元分析方法和光学导纳矩阵法详细研究了两种类型的双层微测辐射热计的主要性能。结果表明,双层微测辐射热计的综合性能优于单层微测辐射热计。其中,双层S型结构的温升最优,但其力学稳定性较差,难以满足实践需要;双层U型结构的温升虽低于双层S型结构的温升,但明显优于单层微桥;重要的是,双层U型结构在光吸收性能、力学稳定性、器件制造等方面均优于双层S型结构。所以,双层U型结构的综合性能更优。还设计了一种综合性能更优的改进型双层U型结构。
- 杨卓许向东敖天宏王志樊泰君黄龙蒋亚东陈超
- 关键词:非制冷红外探测器有限元分析