欧秀平
- 作品数：6 被引量：8H指数：2
- 供职机构：华南理工大学电子与信息学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 基于阈值电压的P-Si TFT模型研究进展
- 基于阈值电压的P-Si TFT分区模型是目前主要的P-Si TFT模型。本文首先对目前基于阈值电压的p-Si TFT模型研究现状进行了分析,在此基础上重点介绍了三种典型的已用于电路仿真器中的SPICE模型：RPI模型、S...
- 欧秀平姚若河
- 关键词：薄膜晶体管阈值电压仿真模型
- 文献传递
- 多晶硅薄膜晶体管中的晶粒间界电荷分享效应被引量：1
- 2008年
- 通过对晶粒间界两侧耗尽区建立准二维模型,研究晶粒间界电荷分享效应对多晶硅薄膜晶体管阈值电压的影响。研究表明,考虑了晶粒间界电荷分享效应的阈值电压将变小,其中晶粒尺寸对阈值电压的影响最大。在此基础上,建立了多晶硅薄膜晶体管的阈值电压解析模型。
- 欧秀平姚若河吴为敬
- 关键词：多晶硅薄膜晶体管晶粒间界
- 多晶硅薄膜晶体管阈值电压模型的研究
- 多晶硅薄膜晶体管具有比非晶硅高1～2个数量级的载流子迁移率，并能集成开关元件和驱动电路，在有源矩阵液晶显示等领域中有着广阔的应用前景。
阈值电压是基于阈值电压的分区模型中的关键参数，通过对其的准确定义可有效地区分晶...
- 欧秀平
- 关键词：多晶硅薄膜晶体管阈值电压模型晶粒间界表面势导数法有源矩阵液晶显示
- 文献传递
- 低掺杂多晶硅薄膜晶体管阈值电压的修正模型被引量：3
- 2010年
- 对低掺杂多晶硅薄膜晶体管的表面势进行分析,将表面势开始偏离亚阈值区、沟道电流迅速增加时所对应的栅压作为晶体管的阈值电压.考虑到多晶硅薄膜的陷阱态密度为单指数分布,通过对低掺杂多晶硅薄膜晶体管的表面势进行求解,推导出一个多晶硅薄膜晶体管阈值电压解析模型,并采用数值仿真方法对模型进行了验证.结果表明:新模型所得到的阈值电压与采用二次导数法提取的阈值电压相吻合.
- 姚若河欧秀平
- 关键词：多晶硅薄膜晶体管阈值电压表面势
- 数字阵列乘法器的算法及结构分析被引量：4
- 2006年
- 对数字阵列乘法器的移位加算法、Pezaris算法、Baugh-Wooley算法的性能进行了分析,讨论其各自的特点;指出进一步提高并行快速乘法器性能的研究重点。
- 姚若河欧秀平
- 关键词：阵列乘法器
- 多晶硅薄膜晶体管的有效迁移率模型被引量：1
- 2010年
- 提出一个多晶硅薄膜晶体管的有效迁移率模型.该模型同时考虑了晶体管沟道内晶粒的数目、载流子在晶粒与晶粒间界处不同的输运特性和栅致迁移率降低效应,适应于从小晶粒到大晶粒线性区的多晶硅薄膜晶体管.研究表明:当晶粒尺寸Lg<0.4μm时,其有效迁移率主要由晶粒间界控制;降低晶粒间界陷阱态密度可提高有效迁移率;减小栅氧化层厚度可增强栅压对有效迁移率的控制作用;高栅压时出现明显的有效迁移率退化效应.
- 姚若河欧秀平
- 关键词：多晶硅薄膜晶体管迁移率模型晶粒间界
