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江勇

作品数：2 被引量：6H指数：2
供职机构：中国科学院等离子体物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 2篇硬X射线
  • 2篇逃逸电子
  • 1篇低杂波
  • 1篇低杂波电流驱...
  • 1篇电流驱动
  • 1篇逃逸
  • 1篇托卡马克
  • 1篇轫致辐射
  • 1篇HT-7超导...
  • 1篇超导
  • 1篇超导托卡马克

机构

  • 2篇中国科学院等...

作者

  • 2篇江勇
  • 2篇卢洪伟
  • 2篇胡立群
  • 2篇林士耀
  • 1篇段艳敏
  • 1篇许平
  • 1篇陈开云

传媒

  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇原子能科学技...

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
低杂波电流驱动下HT-7超导托卡马克逃逸电子行为被引量：3
2008年
HT-7托卡马克的逃逸电子诊断系统由CdTe，BGO，Na三种探测器组成，可以用来观测逃逸电子撞击托卡马克第一壁材料产生的硬X射线轫致辐射，它的能量响应范围是0．3～1．5MeV。结合电子回旋辐射、中子等诊断手段，研究了HT-7超导托卡马克在低杂波电流驱动下的逃逸电子行为。实验结果显示：高功率低杂波的关断和低功率低杂波的投入都会增强逃逸电子的产生，但是如果低杂波可以将等离子体环电压降低到逃逸的阈值电场以下，低杂波的投入就可以抑制电子的逃逸。逃逸电子的产生还和低杂波功率有着密切的关系，可以通过控制低杂波的投入和关断的时刻以及改变低杂波功率来抑制逃逸电子的产生。
卢洪伟胡立群江勇林士耀
关键词：逃逸电子硬X射线轫致辐射
全超导托卡马克装置欧姆放电逃逸电子行为研究被引量：3
2009年
电子发生逃逸在托卡马克等离子体中是较常见的现象,特别是在等离子体破裂阶段,会产生大量的逃逸电子。本工作利用硬X射线监测系统,并结合其它相关诊断系统研究世界上第1个运行的全超导托卡马克(EAST)装置在欧姆放电的不同阶段逃逸电子的行为。研究结果表明:在欧姆放电起始阶段,逃逸电子的初级产生过程占主导地位。随着放电的进行,逃逸电子的次级雪崩过程逐渐增长,在放电后期一直到等离子体破裂阶段,雪崩过程将占据主导地位。等离子体破裂后,因存在较高的环电压而产生了高能逃逸电子拖尾。
卢洪伟胡立群江勇林士耀陈开云段艳敏许平
关键词：逃逸电子硬X射线
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