池京容
- 作品数：2 被引量：6H指数：2
- 供职机构：深圳大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：广东省自然科学基金深圳市基础研究计划项目深圳市科技计划项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程动力工程及工程热物理更多>>
- 铜铟镓硒薄膜的四元叠层法制备与表征被引量：4
- 2012年
- 采用热蒸发沉积Ga、离子束溅射沉积Cu、In和Se,在BK7玻璃上形成Ga/Gu/In/Se四元叠层,在同一高真空环境下对四元叠层进行退火热处理,制备得到铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池吸收层材料CIGS薄膜.通过X射线衍射仪、能谱仪、扫描电子显微镜、分光光度计及四探针,测量材料的结构、组分、形貌以及光电特性.结果表明,通过精确控制热蒸发蒸镀Ga膜料的时间,实现在CuInSe2(CIS)薄膜上掺杂Ga元素,制备的CIGS薄膜均呈黄铜矿结构,当Ga的原子数分数x(Ga)=3.96%～9.26%时,衍射峰较强,结晶度较高,其中x(Ga)=4.70%,N(Ga)/(N(Ga)+N(In))=0.16时,颗粒明显,大小均匀平整,对应最大晶粒尺寸约为61.01 nm,光学带隙为1.18 eV.
- 范平池京容梁广兴郑壮豪张东平蔡兴民李定梅陈天宝
- 关键词：太阳电池离子束热蒸发晶体结构光学性能电学性能
- 离子束溅射制备CdS多晶薄膜及性能研究被引量：2
- 2010年
- 采用离子束溅射的方法在玻璃衬底上制备CdS多晶薄膜,研究了沉积过程中基底温度(100～400℃)与薄膜厚度(35～200nm)对其微结构与光电性能的影响。结果表明,不同基底温度下制备的CdS薄膜均属于六方相多晶结构且具有(002)择优取向生长特征;随着基底温度的升高,(002)特征衍射峰强度增加,半高宽变小相应薄膜结晶度增大,有利于颗粒的生长;分析CdS薄膜的光谱图线可知,薄膜在可见光区平均透射率高于75%,光学带隙值随着基底温度升高而增大(2.33～2.42eV)且薄膜电阻高达109Ω;在基底温度为400℃条件下制备不同厚度的CdS薄膜,发现(50～100nm)较薄的CdS薄膜具有较为明显的六方相CdS多晶薄膜结构、较优光学性能和高电阻值,满足CIS基太阳电池中缓冲层材料的基本要求。
- 范平梁广兴张东平蔡兴民池京容李盛艺
- 关键词：CDS薄膜离子束溅射微结构光电性能
