沈东军
- 作品数：54 被引量：43H指数：5
- 供职机构：中国原子能科学研究院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金中国原子能科学研究院院长基金更多>>
- 相关领域：理学核科学技术电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 一种针孔准直器
- 本发明涉及一种准直器。为解决现有针孔准直器存在的针孔形状不理想，使得重离子微束的低能散射严重，导致产生的重离子束斑过大，不能满足应用要求等问题，本发明提供了一种针孔准直器，包括上底衬、第一狭缝结构、第二狭缝结构和下底衬；...
- 惠宁许谨诚郭刚沈东军
- 文献传递
- 北京HI-13串列加速器上单粒子效应辐射装置简介
- 在北京HI-13串列加速器上建立了微电子器件单粒子效应地面模拟辐照试验装置.利用Q3D磁谱仪的高分辨特性和散焦特性,获得了强度均匀分布、注量率可调的单能重离子束流,开展了大量星用器件抗单粒子效应性能评估试验研究.为了深入...
- 郭刚许谨诚李志常路秀琴郭继宇陈泉沈东军刘建成惠宁
- 关键词：加速器单粒子效应
- 文献传递
- p-n结脉冲激光诱发电荷收集试验研究
- 2012年
- 测量了脉冲激光诱发半导体p-n结的瞬态脉冲电流,研究瞬态脉冲幅值和收集电荷与能量、偏压及入射位置的相关性。研究结果表明,瞬态脉冲信号幅值和收集到的总电荷随脉冲激光能量的增大而增多,与激光能量呈指数关系;收集电荷随偏压而增大;敏感区内的收集电荷数相差不大,远离敏感区的收集电荷明显减小。另外,将研究结果与重离子试验数据进行比对,两者有一定的相似性,但电荷收集脉冲幅值、脉冲波形有一定的差异。其结果为深入研究激光模拟单粒子效应技术奠定了基础。
- 薛玉雄杨生胜郭刚把得东安恒田恺曹洲史淑廷沈东军
- 关键词：脉冲激光电荷收集单粒子效应
- 加速器单粒子效应样品温度测控系统研制及实验应用被引量：3
- 2015年
- 为满足国内半导体器件单粒子效应（SEE）截面与温度的关系研究需求,本文基于北京HI-13串列加速器SEE辐照实验终端研制了样品温度测控系统,实现了90~450K范围内实验样品温度的测量和控制,系统控制精度好于±1K。为验证系统可靠性,使用该系统研究了SRAM单粒子翻转（SEU）截面随温度的变化关系,在215~353 K范围内测量了SRAM翻转截面随温度的变化曲线。结果表明,SRAM SEU截面随温度的升高而增加,与理论预期结果一致。
- 蔡莉刘建成范辉郭刚史淑廷惠宁王惠王贵良沈东军何安林
- 关键词：重离子单粒子效应单粒子翻转
- 大容量SRAM单粒子效应测试系统的设计和验证
- 和大气环境中的高能粒子可能致使航天器和近地空间飞行器的半导体器件发生单粒子效应,威胁其可靠性和寿命.静态随机存储器(SRAM)是航天器和近地空间飞行器电子学系统的重要组成部分,对SRAM单粒子效应的研究是充分认识单粒子效...
- 范辉刘建成郭刚沈东军史淑廷蔡莉何安林
- 关键词：航天器电子系统静态随机存储器单粒子效应虚拟仪器技术
- 航天器件重离子微束辐射装置
- 为了深入研究单粒子效应的微观机制,使得在抗辐射加固芯片的设计中更具有针对性,采用束流直径与芯片特征尺度相当的重离子微束进行地面模拟研究是最有效的手段之一。利用重离子微束可以确定芯片不同区域的敏感度;确定其电荷产生、放大和...
- 许谨诚郭刚陈泉沈东军惠宁郭红英
- 文献传递
- 一种重离子微束定位方法及用于该方法的芯片
- 本发明属于重离子微束辐照技术领域，具体涉及一种重离子微束定位方法及用于该方法的芯片。包括在芯片内设定一个具有至少一对竖直边缘、水平边缘的定位测试电路，定位测试电路的边缘内部为敏感区域，重离子微束入射到敏感区域都能够产生单...
- 柳卫平欧阳晓平史淑廷郭刚陈泉惠宁蔡莉沈东军张艳文刘建成韩金华覃英参郭红霞李丽丽
- 文献传递
- 高电荷态重离子束流产生技术的研究被引量：3
- 2014年
- 为了提高北京HI-13串列加速器束流的硅中射程和LET值,本文开展了高电荷态束流引出技术及pA级弱束流诊断技术研究。采用电刚度和磁刚度模拟技术,配合pA级弱束流束斑观测和束流强度监测技术,获得能量360MeV、峰总比80%的197 Au离子束流,其在Si中的表面LET为86.1MeV·cm2·mg-1、射程为30.1μm,满足单粒子效应(SEE)实验的要求,拓展了北京HI-13串列加速器上单粒子效应实验所用离子的能量和LET值范围。
- 高丽娟史淑廷郭刚刘建成陈泉沈东军惠宁王贵良孔福全范辉蔡莉王惠
- 关键词：高电荷态单粒子效应
- 65nm工艺SRAM低能质子单粒子翻转错误率预估被引量：5
- 2019年
- 质子单粒子效应是纳米工艺集成电路空间应用面临的主要辐射问题之一。本文开展了一款商业级65 nm工艺4 M×18 bit随机静态存储器(SRAM)质子单粒子翻转实验研究。针对地球同步轨道、低地球轨道,使用Space Radiation 7.0程序,预估了低能质子、高能质子和重离子引起的错误率。错误率预估分析结果表明,不同轨道及环境模型下低能质子错误率占总错误率的比例范围为1%～86%,其中太阳质子事件、地球俘获带等环境模型中低能质子单粒子翻转引起的错误率占主导,建议空间应用的元器件对低能质子不敏感。
- 何安林郭刚沈东军刘建成史淑廷
- 关键词：空间辐射环境
- 现代纳米集成电路质子单粒子效应研究进展被引量：1
- 2015年
- 近年来,随着半导体工艺技术的迅速发展,质子单粒子效应研究的重要性上升到了一个新的高度。综述了国际上纳米集成电路质子单粒子效应研究的主要进展,如低能质子成为纳米集成电路单粒子效应和软错误率的主要贡献因素,中高能质子与新型器件材料(如钨)核反应研究成为质子单粒子效应新的热点问题,介绍了中国原子能科学研究院在纳米集成电路低能质子实验方面开展的相关工作。
- 何安林郭刚沈东军刘建成史淑廷范辉宋雷
- 关键词：质子单粒子效应核反应
