温殿忠
- 作品数:162 被引量:177H指数:7
- 供职机构:黑龙江大学更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金黑龙江省自然科学基金黑龙江省教育厅科学技术研究项目更多>>
- 相关领域:自动化与计算机技术电子电信理学电气工程更多>>
- 一种压敏材料应变因子测试装置和所用的悬臂梁测试构件
- 本实用新型公开了一种压敏材料应变因子测试装置和所用的悬臂梁测试构件,该装置包括防震台、悬臂梁测试构件、模态激振器、激振器信号源、激光非接触振动测量仪、万用表、数字示波器和计算机;悬臂梁测试构件放置在模态激振器上,在激振器...
- 赵晓锋李丹丹温殿忠
- 文献传递
- 一种单片集成二维磁场传感器及其制作工艺
- 本发明公开了一种单片集成二维磁场传感器及其制作工艺,所述传感器包括第一硅片(1)和第二硅片(2),在第一硅片(1)上设置有用于检测二维磁场的四个硅磁敏三极管,其中两个硅磁敏三极管在xy平面内沿y轴、相反磁敏感方向对称设置...
- 赵晓锋金晨晨邓祁温殿忠
- PECVD法制备纳米晶粒多晶硅薄膜被引量:1
- 2008年
- 采用射频等离子体增强化学气相沉积系统(RF-PECVD)以高纯SiH4为气源在P型〈100〉晶向单晶硅片上、衬底温度600℃、射频(13.56MHz)电源功率50W时沉积非晶硅薄膜,利用高温真空退火制作纳米晶粒多晶硅薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、Raman光谱、AFM测量和分析薄膜微结构及表面形貌,实验结果表明,退火温度为800℃时非晶硅薄膜晶化,形成择优取向为〈111〉晶向的多晶硅薄膜;退火温度增加,Raman谱TO模和TA模强度逐渐减弱;AFM给出800℃退火后薄膜晶粒明显细化,形成由20~40nm大小晶粒组成的多晶硅薄膜,薄膜晶粒起伏程度明显减弱。
- 赵晓锋温殿忠
- 关键词:PECVD纳米晶粒非晶硅多晶硅高温退火
- 一种磁场传感器
- 本实用新型公开了一种磁场传感器,所述传感器包括第一硅片(1)和第二硅片(2),在所述第一硅片(1)上设置有一个呈立体结构的硅磁敏三极管,在所述第一硅片(1)和第二硅片(2)上分别设置一个聚/导磁微结构(4),其中,所述聚...
- 赵晓锋宋灿温殿忠张洪泉
- 文献传递
- 一种复合磁场传感器及其制作工艺
- 本发明公开了一种复合磁场传感器及其制作工艺,所述复合磁场传感器包括作为衬底的硅片(1),在所述硅片(1)的上表面制作有两个N沟道场效应晶体管,分别为第一场效应晶体管(MOSFET1)和第二场效应晶体管(MOSFET2),...
- 赵晓锋郝建东李易王璐温殿忠
- 文献传递
- 硅在KOH溶液和EPW中各向异性腐蚀的异同被引量:4
- 1995年
- <正>本文在文献(1~5)的基础上,进一步应用碰撞理论研究了硅在KOH溶液和EPW中各向异性腐蚀的机理,并给出了硅在这两种腐蚀液中各向异性腐蚀速率的实验结果.
- 温殿忠庄玉光
- 关键词:硅EPW各向异性
- 一种单片集成空间磁矢量传感器及其制作工艺
- 本发明公开了一种单片集成空间磁场传感器及其制作工艺,所述传感器包括作为器件层的第一硅片(1)和作为衬底的第二硅片(2),其中,在第一硅片(1)上设置有六个呈立体结构的硅磁敏三极管,其中两两硅磁敏三极管结合,形成三个磁敏感...
- 赵晓锋白云佳温殿忠张洪泉
- 文献传递
- 一种基于银和氧化石墨烯的CRS阻变存储器及其制备方法
- 本发明公开了一种CRS阻变存储器及其制备方法,所述阻变存储器包括衬底(1)和设置在其上方的阻变单元,所述阻变单元包括由下至上依次设置的底电极(2)、中间层和顶电极(3),所述阻变单元具有一个或多个。本发明提供的CRS阻变...
- 王璐左泽杨天宇温殿忠
- 文献传递
- 一种基于银和氧化石墨烯的CRS阻变存储器
- 本实用新型公开了一种CRS阻变存储器,所述阻变存储器包括衬底(1)和设置在其上方的阻变单元,所述阻变单元包括由下至上依次设置的底电极(2)、中间层和顶电极(3),所述阻变单元具有一个或多个。本实用新型提供的CRS阻变存储...
- 王璐李文昊温殿忠
- SiO_2层上沉积的纳米多晶硅薄膜及其特性被引量:2
- 2011年
- 采用低压化学气相沉积(LPCVD)系统以高纯SiH4为气源,在p型10.16 cm<100>晶向单晶硅衬底SiO2层上制备纳米多晶硅薄膜,薄膜沉积温度为620℃,沉积薄膜厚度分别为30 nm、63 nm和98 nm.对不同薄膜厚度的纳米多晶硅薄膜分别在700℃、800℃和900℃下进行高温真空退火.通过X射线衍射(XRD)、Raman光谱、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对SiO2层上沉积的纳米多晶硅薄膜进行特性测试和表征,随着薄膜厚度的增加,沉积态薄膜结晶显著增强,择优取向为<111>晶向.通过HP4145B型半导体参数分析仪对沉积态掺硼纳米多晶硅薄膜电阻I-V特性测试发现,随着薄膜厚度的增加,薄膜电阻率减小,载流子迁移率增大.
- 赵晓锋温殿忠王天琦丁玉洁
- 关键词:迁移率