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王元立

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇原位
  • 2篇砷化铟
  • 2篇子线
  • 2篇量子
  • 2篇量子线
  • 2篇晶格
  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延
  • 2篇超晶格

机构

  • 2篇中国科学院

作者

  • 2篇王元立
  • 2篇陈涌海
  • 2篇黄秀颀
  • 2篇吴巨
  • 2篇叶小玲
  • 2篇王占国
  • 2篇金鹏
  • 2篇张春玲

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2007
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法
一种以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在该衬底的邻位面上用分子束外延工艺生长铟铝砷或铟镓砷材料的缓冲层；步骤3：生长完缓冲层后在砷压保护下停顿2～5分钟...
王元立吴巨金鹏叶小玲张春玲黄秀颀陈涌海王占国
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以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法
一种以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在该衬底的邻位面上用分子束外延工艺生长铟铝砷或铟镓砷材料的缓冲层；步骤3：生长完缓冲层后在砷压保护下停顿2～5分钟...
王元立吴巨金鹏叶小玲张春玲黄秀颀陈涌海王占国
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