王晓刚
- 作品数：234 被引量：608H指数：13
- 供职机构：西安科技大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金宁夏回族自治区科技厅科技攻关项目陕西省教育厅科研计划项目更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术矿业工程天文地球更多>>
- SiC/Al基电子封装复合材料的无压浸渗法制备与热性能研究被引量：7
- 2009年
- 用网格堆积法制备SiC多孔陶瓷,以此作为增强体,用无压浸渗工艺制备45%～65%体积分数的SiC/Al基电子封装复合材料,测定25～300℃热导率和热膨胀系数。实验结果表明,增强体经高温氧化处理后能显著的改善SiC/Al的浸润性能;提高浸渗温度和延长浸渗时间可以改善浸渍效果,浸渗温度在1050℃,浸渗时间5h浸渗效果最好;Mg是促进浸渗的有利因素,可有效改善铝在增强体内的渗透深度。该工艺制备的SiC/Al复合材料,热膨胀系数较经典模型计值低,热导率达189W(m.K),可以较好的满足电子封袋材料的要求。
- 樊子民王晓刚田欣伟马宁强
- 关键词：电子封装无压浸渗
- 一种碳化硅晶须和微粉的工业制备方法
- 本发明涉及一种工业制备碳化硅晶须和微粉的方法，它是将石墨与其他工业用碳质和硅质原料混合后，装入工业SiC冶炼炉内进行合成反应，用石墨作导电发热体制备碳化硅晶须和微粉。该方法原料来源丰富廉价，生产工艺简单，可大批量工业化生...
- 王晓刚李晓池
- 文献传递
- 酸处理对碳纳米管电子自旋共振谱的研究被引量：1
- 2013年
- 采用浓硫酸与硝酸混酸对碳纳米管的进行了酸氧化处理,并采用TEM,FTIR和ESR对处理后的碳纳米管的形貌,官能团类型和电子自旋状态进行了表征。结果表明:酸处理能够切断碳纳米管,并且使其管径变小,同时可以使碳纳米管的C-C键发生断裂,产生-COOH。ESR图谱显示电子自旋谱的峰高比随酸处理时间增加而增加,意味着增加碳纳米管中未成对电子和导带电子数量有所增加。同时酸处理后的碳纳米管的g因子和线宽都随着酸处理时间增加而增加,g因子从2.012增加到2.018,线宽从19×10-4增加到26×10-4,意味着缺陷能够影响电子自旋状态。
- 陈进张海燕王晓刚李健健王超李敏
- 关键词：碳纳米管酸处理电子自旋共振
- α-SiC微粉颗粒表面改性的工业生产方法
- 本发明公开了一种α-SiC微粉颗粒表面改性的工业生产方法，包括以下步骤：一、选取合适的α-SiC微粉；二、SiC先驱体预处理：对所选用的SiC先驱体进行研磨处理或溶解处理，所选用的SiC先驱体为聚碳硅烷PCS；三、α-S...
- 孟昭王晓刚
- 文献传递
- 煤中难选矿物质赋存状态与综合利用研究被引量：13
- 2000年
- 采用低温灰化和各种微束分析技术 ,对一些高硫高灰、低硫高灰难选煤进行了多学科研究 .结果表明 ,煤中难选矿物质大多是原生的 ,并以化学和生物化学成因为主 ;受沉积环境的制约 ,难选矿物质具有区域性 ,除难选硫之外 ,西南晚二叠世煤中的难选矿物质主要是石英 ,华北石炭二叠纪煤中的难选矿物质主要是高岭石和伊利石 ;难选硫主要赋存于镜质组中 ;难选灰大多赋存于惰质组中 ;难选矿物质以粒度小、分散 ,与有机质结合紧密为其基本赋存特征 ;
- 张慧王晓刚张科选肖文钊
- 关键词：煤赋存状态综合利用
- α、β相SiC混合粉体水基喷雾造粒方法及陶瓷体性能研究
- 研究采用α、β两相SiC作为原料，用水溶性酚醛树脂作为粘结剂及高温碳源，研究其添加量以及浆料固相含量对于碳化硅浆料喷雾造粒以及陶瓷性能的彭响，确定其最佳添加比例及喷雾造粒的工艺参数，制备出高密度高性能的碳化硅陶瓷。
- 王雪莹王晓刚刘银渡邓丽荣陆树河华小虎
- 关键词：工艺参数固相含量
- 不同氧化剂制备聚苯胺纳米纤维研究被引量：1
- 2008年
- 采用BPO和FeC l3.6H2O为氧化剂,以苯胺(An)为原料在界面体系下采用"无模板"的方法制备了聚苯胺纳米纤维。探讨了温度、氧化剂浓度对PANI结构及形貌的影响,研究发现FeC l3可同时起到氧化剂和掺杂剂的作用,且氧化剂的浓度直接影响到电导率的高低和聚苯胺的微观结构。以相对低廉、简单的生产工艺来合成出电导率高、且有一定长径比的聚苯胺(PANI)纳米纤维。
- 王贞王晓刚强军锋刘振
- 关键词：聚苯胺纳米纤维氯化铁过氧化苯甲酰无模板法
- 渭北煤田构造压缩区与相对拉张区及其特征被引量：4
- 1992年
- 本文从力学变形分析出发,结合区域构造环境和岩石力学性质的分析,把渭北煤田东部煤系基底奥灰岩赋存区划分为构造压缩区和相对拉张区两种类型的构造区。在压缩区各种构造形迹以闭合型为主,在拉张区则以开启型为主。因而在压缩区奥灰水处于滞缓或缓慢迳流状态,在拉张区则处于强迳流状态。矿井突水事故多发生于拉张区,而在压缩区则可能性较小。
- 王晓刚
- 关键词：煤田
- 电致发热SiC多孔陶瓷制备研究被引量：4
- 2005年
- 采用一种新方法制备了具有2种孔隙结构的电致发热SiC多孔陶瓷。根据SEM,X射线分析,气孔率与电阻率等测试结果可知,试样主孔道直径在300μm左右,微孔道直径在30～40μm,气孔率可达55%,电阻率在0.0007～0.00195Ω·m。研究了烧结温度和烧结时间与电阻率的关系,并根据机械性能的测试结果,探讨了试样的强度与烧结温度的关系。
- 樊子民王晓刚任建勋张军锋田欣伟
- 关键词：电致发热碳化硅多孔陶瓷电阻率
- SiC材料的工业制备方法及其进展被引量：8
- 2001年
- 介绍了工业制备SiC的各种方法和近年来国内外生产SiC的新工艺及机械法制备SiC粉体技术。指出未来工业制备SiC材料的发展应侧重于对传统的Acheson冶炼工艺进行改进 ;扩大制备SiC材料的新工艺的生产规模 ;研究发明用廉价原料制备高性能的新型SiC材料的方法以及研究超细粉碎及分级技术制备多种SiC产品等。
- 王晓刚刘永胜李晓池李强
- 关键词：SIC
