王松雁
- 作品数：31 被引量：116H指数：8
- 供职机构：哈尔滨工业大学材料科学与工程学院先进焊接与连接国家重点实验室更多>>
- 发文基金：香港城市大学研究基金国防科技技术预先研究基金国防科技工业技术基础科研项目更多>>
- 相关领域：金属学及工艺一般工业技术电子电信核科学技术更多>>
- 绝缘栅双极晶体管固体开关技术研究被引量：20
- 2002年
- 采用二只1.2kV,75A的绝缘栅双极晶体管(IGBT)串联,对用于加速器的IGBT固体开关技术进行了研究;通过采取动态电压和静态电压平衡措施来解决IGBT串联中的瞬态电压平衡问题。在不同工作条件下,串联IGBT开关工作性能稳定,重复性好。在纯阻性负载上得到了上升时间约300ns、下降时间约1 64μs、峰值电压1.8kV的输出。
- 甘孔银汤宝寅王小峰王浪平王松雁朱剑豪武洪臣
- 关键词：IGBT固体开关绝缘栅双极晶体管加速器
- 用于复杂形状精密机械零件表面强化处理的Model-3PⅢ装置
- 等离子体浸没离子注入(PIII)消除了一般束线离子注入(IBII)固有的直射性限制,特别适合于处理复杂形状零件.PIII通过等离子体渗氮、氮离子注入有效地增强了零件表面耐磨、抗腐性能.近几年来,我们针对初期PIII存在的...
- 汤宝寅王松雁王浪平王小峰甘孔银澎湃
- 关键词：等离子体浸没离子注入表面改性
- 文献传递
- 表面凹陷对等离子体浸没离子注入均匀性的影响被引量：8
- 2000年
- 利用二维流体模型和数值计算方法模拟了等离子体浸没离子注入 (PⅢ )中 ,具有圆弧凹槽的平面靶周围的鞘层扩展情况 ,计算了鞘层扩展过程中的电势分布、离子速度和离子密度变化 ,获得了沿靶表面的离子入射角度和注入剂量的分布情况 ,为等离子体浸没离子注入处理复杂形状靶提供了理论基础。
- 曾照明汤宝寅王松雁田修波刘爱国王小峰朱箭豪
- 关键词：等离子体浸没离子注入鞘层均匀性
- 滚珠全方位离子注入与沉积表面强化处理装置
- 滚珠全方位离子注入与沉积表面强化处理装置，它涉及一种对圆球体和复杂形状的机械零件进行均匀强化处理装置。该装置包含有多功能等离子体浸没离子注入装置、强流阴极弧金属等离子体源B、以及高电压慢速旋转靶台。高电压慢速旋转靶台的工...
- 汤宝寅王浪平王小峰孙继武王松雁
- 文献传递
- 用于全方位离子注入的10kV固体脉冲调制器研制被引量：2
- 2003年
- 采用IGBT串联技术研制成功了用于全方位离子注入的10 kV固体脉冲调制器。试验表明:该固体脉冲调制器在纯阻性负载时最高输出电压为14 kV,最高输出脉冲电流为20 A,输出脉冲宽度可在2 ms和112 ms之间以1 ms步长变化、脉冲重复频率范围为1 Hz^4 kHz,短时间可以工作到8.6 kHz。但在等离子体负载时,由于输入电容的影响,下降时间比较长。
- 甘孔银汤宝寅王浪平王小峰王松雁武洪臣
- 关键词：全方位离子注入IGBT串联
- 10kV绝缘栅双极型晶体管固体开关的研制被引量：13
- 2003年
- 采用8只IXLF19N250A绝缘栅双极型晶体管串联研制成功了10kV固体开关。试验表明:该固体开关最高输出电压为14kV,最高输出脉冲电流为20A、输出脉冲宽度可在2112μs之间以1μs步长变化,脉冲重复频率范围为1Hz4kHz,短时间可以工作到8.6kHz。
- 甘孔银汤宝寅王浪平王小峰王松雁卢和平黎明朱剑豪
- 关键词：绝缘栅双极型晶体管固体开关
- 滚珠全方位离子注入与沉积表面强化处理方法及装置
- 滚珠全方位离子注入与沉积表面强化处理方法及装置，它涉及一种对圆球体和复杂形状的机械零件进行均匀强化处理的方法和装置。该方法运用金属等离子体浸没离子注入与沉积技术，并使工件在10～60KV的高电位下匀速自转。该装置包含有多...
- 汤宝寅王浪平王小峰孙继武王松雁
- 文献传递
- 浸没式等离子体表面改性技术
- 1999年
- 研制了浸没式等离子体表面改性装置，等离子体由外置等离子体源产生，使装置对材料的处理工艺变得灵活。配置的高抵压脉冲电源可进行单纯的等离子体注入，也可进行等离子体的注入与氮化，同时可对采用的工艺进行优化，因而提供了一种有效的等离子体表面改性方法。
- 田修波汤宝寅王松雁
- 关键词：等离子体表面改性浸没式
- 在GCr15轴承钢表面制备Al2O3陶瓷薄膜及膜的摩擦特性研究
- 本文描述了用金属等离子体浸没离子注入与沉积在GCr15轴承钢表面制各Al2O3陶瓷薄膜的技术。通过被处理的GCr15轴承钢试样表面X射线衍射（XRD）分析,以及表面显微硬度与摩擦特性的测量,分析与讨论了GCr15轴承钢表...
- 王浪平王付斌汤宝寅王小峰甘孔银王宇航刘洪喜于永澔王松雁
- 关键词：表面显微硬度GCR15轴承钢
- 文献传递
- 适用于全方位离子注入过程的脉冲调制器上升沿参数设计的研究
- 本课题建立了两种物理模型来描述理想脉冲情况下等离子体中的电子运动,并建立了电子运动方程.在无限长平面靶情况下首次得到了电子运动方程的解析解,提出了理想上升沿判据.通过对保形全方位离子注入的处理工艺参数的研究,获得了各个工...
- 汤宝寅甘孔银于永澔王浪平王小峰刘洪喜王松雁
- 关键词：离子注入上升沿
- 文献传递
