王正乾
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
- 供职机构：重庆大学动力工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 有间壁时坩埚内硅熔体动量和质量输运的数值模拟
- 2009年
- 采用低雷诺数κ-ε紊流模型,模拟了直拉法坩埚内加入间壁后硅熔体的流动和氧的输运情况。分析了不同的间壁长度、间壁位置、晶体转速、坩埚转速和温度边界条件对流场和浓度场的影响。结果表明:变化间壁的长度和位置,硅熔体流动有较大的变化;间壁的长度变短,熔体-晶体界面的氧浓度增加;增加间壁与坩埚中心轴的距离,熔体-晶体界面的氧浓度降低;增加晶体转速或坩埚转速能提高熔体-晶体界面氧浓度的径向分布均匀性;增加坩埚侧壁与熔体-晶体界面的温差,流动增强,熔体-晶体界面的氧浓度增大。
- 徐赟瑜李明伟王正乾王晓丁
- 关键词：直拉法紊流模型数值模拟硅
- LEC法砷化镓晶体生长中熔体流动与传热传质数值模拟
- 砷化镓单晶是继硅单晶以后的第二代重要的半导体材料，它是半导体器件和集成电路的重要原材料。液封直拉法是生长砷化镓单晶的最重要方法之一。坩埚中熔体的流动与传热、传质影响着晶体的质量。本文建立了LEC法和双坩埚LEC法砷化镓单...
- 王正乾
- 关键词：数值模拟晶体生长砷化镓晶体
- 文献传递
- 双坩埚LEC法砷化镓熔体流动与传热传质数值模拟
- 2009年
- 采用低雷诺数κ-ε湍流模型,模拟了双坩埚LEC法砷化镓熔体的流动与传热传质。分析了不同晶体转速、内坩埚转速、外坩埚转速条件下的熔体流动与传热,获得了考虑溶质分凝效应后的Si掺杂在砷化镓熔体中的分布。结果表明:随着晶体转速的增大,生长界面附近等温线更加平直且等温线密度增大;随着内坩埚转速的增大,生长界面附近等温线凸向熔体;外坩埚转速对生长界面等温线形状影响很小;Si在熔体中的质量浓度梯度除生长界面和补充熔体进口处较大外,主要集中在小管内及其附近。
- 王正乾李明伟徐赟瑜王晓丁
- 关键词：数值模拟
