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祝永峰

作品数:45 被引量:17H指数:3
供职机构:沈阳仪表科学研究院有限公司更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:自动化与计算机技术电子电信文化科学化学工程更多>>

文献类型

  • 31篇专利
  • 9篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 16篇自动化与计算...
  • 9篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 30篇感器
  • 30篇传感
  • 30篇传感器
  • 24篇压力传感器
  • 24篇力传感器
  • 14篇芯片
  • 12篇敏感电阻
  • 7篇电阻
  • 7篇极板
  • 6篇硅片
  • 5篇压力敏感
  • 5篇压力敏感芯片
  • 5篇封装
  • 4篇压敏电阻
  • 4篇压阻
  • 4篇微机械
  • 4篇惠斯通电桥
  • 4篇键合
  • 4篇隔离区
  • 4篇硅电容

机构

  • 44篇沈阳仪表科学...
  • 1篇国家工程研究...

作者

  • 45篇祝永峰
  • 38篇张治国
  • 28篇李颖
  • 23篇郑东明
  • 14篇张娜
  • 12篇刘剑
  • 11篇张哲
  • 10篇梁峭
  • 9篇白雪松
  • 6篇刘宏伟
  • 6篇何方
  • 5篇李永清
  • 4篇金琦
  • 4篇陈信琦
  • 3篇李长春
  • 3篇唐慧
  • 3篇冯艳敏
  • 3篇于子涵
  • 2篇刘沁
  • 2篇匡石

传媒

  • 4篇仪表技术与传...
  • 2篇微处理机
  • 2篇第十二届全国...
  • 1篇电子世界
  • 1篇中国科技成果
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇中国仪器仪表...

年份

  • 4篇2024
  • 5篇2023
  • 2篇2022
  • 4篇2021
  • 6篇2020
  • 2篇2018
  • 3篇2017
  • 2篇2016
  • 3篇2015
  • 4篇2014
  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2009
  • 2篇2007
  • 2篇2004
45 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种高温高灵敏度压力传感器芯片及加工方法
本申请实施例提供一种高温高灵敏度压力传感器芯片及加工方法,包括:衬底层、敏感电阻层和连接层;衬底层由碳化硅材料组成,衬底层的一侧形成有矩形空腔;敏感电阻层设置于衬底层的另一侧,敏感电阻层设置有两个,且两个敏感电阻层的设置...
贾文博张治国祝永峰何方任向阳王卉如钱薪竹张娜
经济型高精度硅压力传感器芯片及加工方法
一种经济型高精度硅压力传感器芯片及加工方法,其结构包括硅膜片,电极,硅片层,技术要点是:在硅片层的上表面刻蚀有压力传感器的空腔,在硅片层及压力传感器空腔上部设置有一层感受压力的硅膜片,在硅膜片上嵌入有硅片注入层,在该硅片...
贾文博张治国李永清何方祝永峰任向阳张娜李昌振王卉如钱薪竹
一种绝压传感器
一种绝压传感器,包括玻璃—硅复合极板和硅可动极板,技术要点是:在硅可动极板下固定一个玻璃—硅复合极板,所述硅可动极板是在两面抛光的硅片层两侧的中心岛部分固定有氧化硅层,硅片层一端的侧面固定有金属导电层,该硅片层的厚度为3...
张治国李颖祝永峰刘剑郑东明张哲张娜
文献传递
高稳定MEMS硅压力敏感芯片关键技术研究
张治国李颖郑东明刘宏伟金琦祝永峰
高精度压力传感器是工业过程控制和高端装备发展信息化、智能化的核心基础零部件,也是关系到国家安全和国民经济建设的基础性、战略性关键部件,应用领域广泛,具有重要意义。随着我国在石油、石化、能源、航天、航空、军工等重点领域的战...
关键词:
关键词:压力传感器压力敏感芯片扩散电阻
基于硅硅键合技术的高精度压力传感器的研究被引量:3
2017年
硅压阻压力传感器核心部件一般是由单晶硅和玻璃组成的微结构,由于单晶硅和玻璃的材料特性存在差异,在制造过程中会引入封装应力对传感器的性能产生不利影响。采用硅硅键合技术制造压力传感器核心部件的微结构,以同质材料替代异质材料实现器件的封装,可有效减少封装应力,提升压力传感器的性能。文中通过结合硅压阻压力敏感芯片的制造工艺和硅硅键合工艺,实现了敏感芯片与硅衬底间的硅硅键合,键合强度达到体硅强度。研制的差压型压力敏感芯片装配成传感器的零点温度漂移下降60%,静压误差下降约1个数量级。
李颖张治国郑东明梁峭张哲刘剑祝永峰
关键词:传感器
硅基溅射薄膜传感器研究
硅基MEMS工艺和溅射薄膜传感器进行有机结合,将硅基MEMS工艺小型化、成本低、产量大的优点和溅射薄膜传感器高稳定性的优点同时兼容,并克服了硅基MEMS扩散硅传感器存在不稳定隐患的缺点和溅射薄膜传感器体积大、成本高、不利...
郑东明祝永峰陈学斌常胜利
关键词:压力传感器微机械加工
文献传递
一种微机械硅压力敏感芯片
一种微机械硅压力敏感芯片,现有技术的芯片敏感度与精确度较低,技术要点是:它以硅衬底为主体,在芯片表面设置有压力膜片,在压力膜片下有凹形硅杯,压力膜片上设置有压敏电阻;压敏电阻分为两段由P+连结区相连的电阻组成,压敏电阻通...
张治国郑东明李颖刘剑张哲梁峭祝永峰
文献传递
硅基压力传感器及其制造方法
硅基压力传感器及其制造方法,传感器由差压敏感器件、静压补偿单元、封装结构组成,差压敏感器件采用差动电容结构,其特征是从上到下依次由上玻璃固定极板、硅敏感芯片可动极板、下玻璃固定极板、玻璃底板、导压管封装而成;静压补偿单元...
李颖张治国刘剑张哲郑东明梁峭张娜祝永峰于子涵
文献传递
超级结MOSFET特性仿真分析
2023年
为实现硅基MOSFET功率器件低导通电阻和高击穿电压的折衷优化,在传统MOSFET漂移区中引入周期性排列的P区和N区,增加垂直分布的PN结结构,设计一种具有1200V耐压的超级结MOSFET。基于对工作原理的分析,使用Silvaco TCAD软件建立结构模型,仿真该器件的电流-电压特性、转移特性以及耐压特性。由仿真结果归纳出所设计超级结MOSFET工作原理,并与传统MOSFET进行对比。实验结果显示该超级结MOSFET在诸多方面均存在优势,为新型硅基功率半导体器件的设计改进提供了新的思路。
王卉如张治国祝永峰贾文博李颖任向阳钱薪竹
关键词:电流-电压特性耐压特性
一种冲力式谷物产量传感器试验标定装置及试验标定方法
本申请涉及物体称量技术领域,具体涉及一种冲力式谷物产量传感器试验标定装置及试验标定方法;其中的试验标定装置包括上粮箱、下粮箱、升运器、传输结构、存粮箱、位置调节结构、称重结构及振动结构;上粮箱位于所述下粮箱的上方;升运器...
何方张娜李林峰王鹏薛力铭单鹤南贾文博金琦李颖祝永峰孙志平郑楠薄玖旺胡延丽徐海宁刘妍蒋伯华曹阳
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