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翁圣

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：浙江大学更多>>
发文基金：浙江省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 2篇真空镀膜
  • 2篇气保护
  • 2篇氩气
  • 2篇氩气保护
  • 2篇粉末压片
  • 2篇粉末压制
  • 2篇半导体
  • 2篇SUB
  • 1篇等离子体
  • 1篇等离子体共振
  • 1篇离子
  • 1篇媒介
  • 1篇表面等离子体
  • 1篇表面等离子体...
  • 1篇ZNO薄膜

机构

  • 3篇浙江大学

作者

  • 3篇翁圣
  • 3篇邱东江
  • 3篇范文志
  • 2篇王俊
  • 2篇丁扣宝
  • 2篇蒋银土
  • 2篇施红军
  • 1篇吴惠桢
  • 1篇王俊

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2012
  • 2篇2011
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
以表面等离子体为媒介的ZnO薄膜发光增强特性研究被引量：1
2011年
采用两步法制备Si基Ag/ZnO双层结构薄膜,研究了Ag覆盖层的厚度和生长温度T对ZnO近带边发光强度的影响.对于厚度为100nm的ZnO薄膜,发现Ag覆盖层的最佳厚度仅为8nm,此时双层薄膜相对于单层ZnO薄膜的发光增强因子η达到最大值8.1;同时还发现,在最佳Ag层厚度下,生长温度T≥300℃时生长Ag所获Ag/ZnO双层薄膜的ZnO发光强度比生长温度T≤200℃时生长的双层薄膜样品大一倍以上,η≈18.结合对双层薄膜表面形貌的测量,发现高生长温度下得到的双层薄膜样品的高η值可归因于高表面粗糙度导致高的外量子效率.
邱东江范文志翁圣吴惠桢王俊
关键词：表面等离子体共振
一种制备P型CuAlO<Sub>2</Sub>半导体体材料的方法
本发明提出了一种简单快速制备高质量的、具有P型导电性CuAlO<Sub>2</Sub>半导体体材料的方法。将Cu<Sub>2</Sub>O粉末和Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>粉末以1：1的摩尔比配...
邱东江范文志王俊蒋银土丁扣宝施红军翁圣
文献传递
一种制备P型CuAlO<Sub>2</Sub>半导体体材料的方法
本发明提出了一种简单快速制备高质量的、具有P型导电性CuAlO<Sub>2</Sub>半导体体材料的方法。将Cu<Sub>2</Sub>O粉末和Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>粉末以1：1的摩尔比配...
邱东江范文志王俊蒋银土丁扣宝施红军翁圣
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